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1. (WO2006041093) CERAMIQUE DIELECTRIQUE POUR UTILISATION HAUTE FREQUENCE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/041093    N° de la demande internationale :    PCT/JP2005/018791
Date de publication : 20.04.2006 Date de dépôt international : 12.10.2005
CIB :
C04B 35/453 (2006.01), H01B 3/12 (2006.01)
Déposants : NAGOYA INDUSTRIAL SCIENCE RESEARCH INSTITUTE [JP/JP]; 10-19, Sakae 2-chome Naka-ku, Nagoya-shi Aichi 4600008 (JP) (Tous Sauf US).
OHSATO, Hitoshi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
GUO, Yiping [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : OHSATO, Hitoshi; (JP).
GUO, Yiping; (JP)
Mandataire : GORO, Kazuo; AKATSUKI UNION PATENT FIRM Midori Nagoya Bldg. 8th Floor 22-4, Meieki 3-chome Nakamura-ku, Nagoya-shi Aichi 4500002 (JP)
Données relatives à la priorité :
2004-298044 12.10.2004 JP
Titre (EN) DIELECTRIC CERAMIC FOR HIGH FREQUENCY USE
(FR) CERAMIQUE DIELECTRIQUE POUR UTILISATION HAUTE FREQUENCE
(JA) 高周波用誘電体セラミックス
Abrégé : front page image
(EN)The use of willemite as a dielectric material for high frequency use can provide a dielectric ceramic for high frequency use having low permittivity and high quality factor. The use of a combination of willemite with rutile-type titanium oxide can provide an excellent dielectric ceramic for high frequency use in which the absolute value of the temperature coefficient has been regulated to around 0 (zero). The dielectric ceramic for high frequency use can be fired at a relatively low temperature of 1200ºC to 1432ºC. Therefore, the application of the electric ceramic as a ceramic material where low temperature firing is necessary, for example, electronic devices produced by simultaneous firing in which an electrode is formed simultaneously with firing of a substrate, can be expected. Further, the willemite neither produces by-products in the synthetic process nor causes evaporation of components during firing. Accordingly, a compound having a contemplated composition can easily be synthesized, and, thus, the willemite is suitable for mass production.
(FR)L'invention concerne l'utilisation de willémite comme matériau diélectrique pour usage haute fréquence pour de produire une céramique diélectrique pour utilisation haute fréquence de faible permittivité et d'un facteur de grande qualité. L'utilisation d'une combinaison de willémite avec un oxyde de titane de type rutile une excellente céramique diélectrique pour utilisation haute fréquence où l'on a régulé la valeur absolue du coefficient de température aux alentours de 0 (zéro). La céramique diélectrique pour utilisation haute fréquence peut être cuite à une température relativement basse de 1200ºC à 1432ºC. C'est la raison pour laquelle on peut escompter une application de la céramique électrique comme matériau céramique où une cuisson basse température est nécessaire, par exemple, permet d'obtenir pour des dispositifs électroniques produits par cuisson simultanée dans lesquels une électrode est formée en même temps que la cuisson d'un substrat. En outre, la willémite ne donne pas de produits dérivés dans le processus synthétique et ne provoque pas l'évaporation de composants pendant la cuisson. En conséquence, un composé ayant une composition envisagée est facile à synthétiser, et donc la willémite convient à la production de masse.
(JA) 本発明によれば、高周波用誘電体材料としてウイルマイトを使用することにより、低誘電率で高い品質係数をもつ高周波用誘電体セラミックスを提供できる。また、ウイルマイトとルチル型酸化チタンとを組み合わせることにより、温度係数の絶対値が0付近に制御された、優れた高周波用誘電体セラミックスを提供できる。また、本発明の高周波用誘電体セラミックスは、1200°C~1432°Cという比較的低温での焼成が可能であるから、基板の焼成と同時に電極の形成を行う同時焼成によって製造される電子デバイス等のように、低温焼成が必要なセラミックス材料としての応用が期待できる。さらに、本発明に使用されるウイルマイトは、合成プロセス中において副生成物を生成したり、焼成中に成分が蒸発したりといったことがないため、意図した組成の化合物の合成が容易であり、量産に適する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)