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1. (WO2006039684) COUCHES DE PIEGEAGE CONTRAINTES POUR TRAITEMENTS DES SEMI-CONDUCTEURS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/039684    N° de la demande internationale :    PCT/US2005/035595
Date de publication : 13.04.2006 Date de dépôt international : 03.10.2005
CIB :
H01L 21/762 (2006.01), C30B 33/00 (2006.01)
Déposants : MASSACHUSETTS INSTITUTE OF TECHNOLOGY [US/US]; 77 Massachusetts Avenue, Cambridge, MA 02139 (US) (Tous Sauf US).
PITERA, Arthur, J. [US/US]; (US) (US Seulement).
FITZGERALD, Eugene, A. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : PITERA, Arthur, J.; (US).
FITZGERALD, Eugene, A.; (US)
Mandataire : HENRY, Steven, J.; Wolf, Greenfield & Sacks, P.C., 600 Atlantic Avenue, Boston, MA 02210 (US)
Données relatives à la priorité :
10/956,481 01.10.2004 US
Titre (EN) STRAINED GETTERING LAYERS FOR SEMICONDUCTOR PROCESSES
(FR) COUCHES DE PIEGEAGE CONTRAINTES POUR TRAITEMENTS DES SEMI-CONDUCTEURS
Abrégé : front page image
(EN)A method and structure for forming semiconductor structures using tensilely strained gettering layers. The method includes forming a donor wafer comprising a tensilely strained gettering layer disposed over a substrate, and at least one material layer disposed over the tensilely strained gettering layer. Additionally, the donor wafer may possess a particle-confining region proximate the tensilely strained layer. The method can also include introducing particles into the donor wafer to a depth below the surface, and accumulating at least some particles within the tensilely strained gettering layer. Next, the method can include initiating a cleaving action so as to separate at least one of the material layers form the substrate. The tensilely strained gettering layer may accumulate particles and/or point defects and reduce the implantation dose and thermal budget required for cleaving.
(FR)L'invention concerne un procédé et une structure de formation de structures semi-conductrices comprenant l'utilisation de couches de piégeage contraintes en traction. Ce procédé consiste à former une plaquette donneuse comprenant une couche de piégeage contrainte en traction recouvrant un substrat, et au moins une couche de matériau recouvrant la couche de piégeage contrainte en traction. La plaquette donneuse peut en outre comporter une zone de confinement de particules adjacente à la couche contrainte en traction. Ce procédé peut également comprendre une étape consistant à introduire les particules dans la plaquette donneuse, à une profondeur située sous la surface et à accumuler une partie au moins des particules dans la couche de piégeage contrainte en traction. L'étape suivante peut consister à amorcer une opération de clivage afin de séparer au moins une des couches de matériau du substrat. La couche de piégeage contrainte en traction permet d'accumuler les particules et(/ou des défauts ponctuels et de réduire la dose d'implantation et le bilan thermique nécessaires au clivage.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)