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1. (WO2006039560) CAPTEURS INERTIELS AU SILICIUM FABRIQUES AU MOYEN DE MEMS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/039560    N° de la demande internationale :    PCT/US2005/035313
Date de publication : 13.04.2006 Date de dépôt international : 30.09.2005
CIB :
G01C 19/56 (2012.01), G01P 15/08 (2006.01)
Déposants : UNIVERSITY OF SOUTHERN CALIFORNIA [US/US]; 3716 S. Hope St., Suite 313, Los Angeles, California 90007-4344 (US) (Tous Sauf US).
KIM, Eun, Sok [US/US]; (US) (US Seulement).
ZOU, Qiang [CN/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : KIM, Eun, Sok; (US).
ZOU, Qiang; (US)
Mandataire : HARRIS, Scott, C.; FISH & RICHARDSON P.C., P.o. Box 1022, Minneapolis, Minnesota 55440-1022 (US)
Données relatives à la priorité :
60/614,909 30.09.2004 US
60/614,858 30.09.2004 US
Titre (EN) SILICON INERTIAL SENSORS FORMED USING MEMS
(FR) CAPTEURS INERTIELS AU SILICIUM FABRIQUES AU MOYEN DE MEMS
Abrégé : front page image
(EN)A MEMS silicon inertial sensor formed of a mass that is supported and constrained to vibrate in only specified ways. The sensors can be separately optimized from the support, to adjust the sensitivity separate from the bandwidth. The sensor can sense three dimensionally, or can only sense in a single plane.
(FR)L'invention concerne un capteur inertiel au silicium MEMS constitué d'une masse qui est pourvue d'un support et qui est contrainte de vibrer uniquement selon des modes spécifiés. Les capteurs peuvent être optimisés séparément du support de sorte que la sensibilité soit réglée séparément de la bande passante. Le capteur selon l'invention peut capter en trois dimensions ou dans un seul plan.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)