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1. (WO2006038489) MATÉRIAU DE NITRURE DE SILICIUM CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DUDIT MATÉRIAU
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/038489    N° de la demande internationale :    PCT/JP2005/017701
Date de publication : 13.04.2006 Date de dépôt international : 27.09.2005
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    01.08.2006    
CIB :
C04B 35/584 (2006.01)
Déposants : YOKOHAMA TLO COMPANY, LTD. [JP/JP]; 79-5, Tokiwadai, Hodogaya-ku, Yokohama-shi, Kanagawa 2408501 (JP) (Tous Sauf US).
KOMEYA, Katsutoshi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
TATAMI, Junichi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
MEGURO, Takeshi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KATASHIMA, Tomofumi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
WAKIHARA, Toru [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : KOMEYA, Katsutoshi; (JP).
TATAMI, Junichi; (JP).
MEGURO, Takeshi; (JP).
KATASHIMA, Tomofumi; (JP).
WAKIHARA, Toru; (JP)
Mandataire : SHIMODA, Akira; 4kai, Kyobashi-Nichiei Biru, 3-4, Kyobashi 3-chome, Chuo-ku, Tokyo 104-0031 (JP)
Données relatives à la priorité :
2004-290328 01.10.2004 JP
2004-376116 27.12.2004 JP
Titre (EN) CONDUCTIVE SILICON NITRIDE MATERIAL AND PROCESS FOR PRODUCING THE SAME
(FR) MATÉRIAU DE NITRURE DE SILICIUM CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DUDIT MATÉRIAU
(JA) 導電性窒化ケイ素材料とその製造方法
Abrégé : front page image
(EN)[PROBLEMS] To provide a dense silicon nitride sinter having conductivity. [MEANS FOR SOLVING PROBLEMS] To a silicone nitride/rare-earth oxide/aluminum oxide system or a silicon nitride/rare-earth oxide/magnesia system is optionally added an oxide of a titanium group element, such as titanium oxide, hafnium oxide, or zirconium oxide, aluminum oxide, and/or aluminum nitride. Thereto is added an appropriate amount of carbon nanotubes (CNT). The CNT react with the silicon nitride and other ingredients which are in contact therewith or close thereto, depending on the period of burning at a high temperature, to yield silicon carbide (SiC). Becausethe silicon carbide is yielded along the nanotubes, the resultant sinter functions as a conductor excellent in heat resistance, corrosion resistance, etc.
(FR)L’invention a pour but de produire un frittage de nitrure de silicium dense de forte conductivité. On ajoute en option à un système de nitrure de silicium/d’oxyde de terre rare/d’oxyde d’aluminium ou bien à un système de nitrure de silicium/d’oxyde de terre rare/de magnésie un oxyde d’un élément de groupe de titane, comme un oxyde de titane, un oxyde d’hafnium ou un oxyde de zirconium, un oxyde d’aluminium et/ou un nitrure d’aluminium. On ajoute à ces éléments une quantité appropriée de nanotubes de carbone (CNT). Les CNT réagissent avec le nitrure de silicium et d’autres ingrédients qui sont au contact de celui-ci ou proches de celui-ci, selon la période de combustion à haute température, pour produire du carbure de silicium (SiC). Comme le carbure de silicium est produit le long des nanotubes, le frittage résultant fonctionne comme conducteur excellent en matière de résistance thermique, de résistance à la corrosion, etc.
(JA) 【課題】  導電性及び緻密性を有する窒化ケイ素焼結体を提供する。  【解決手段】  窒化ケイ素-希土類酸化物-酸化アルミニウム系又は窒化ケイ素-希土類酸化物-マグネシア系に、必要に応じて、酸化チタン、酸化ハフニウム、酸化ジルコニウム等のチタン属元素の酸化物、酸化アルミニウム及び/又は窒化アルミニウムを添加し、これに適当量のカーボンナノチューブ(CNT)を添加する。CNTは高温での焼成時間に応じて、接触しているか近傍の窒化ケイ素等と反応して炭化ケイ素(SiC)を生成し、炭化ケイ素はナノチューブにそって生成するため耐熱性、耐食性等に優れる導電体として機能する。  
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)