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1. (WO2006037844) STRUCTURES DOPEES OBTENUES PAR DEPOT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/037844    N° de la demande internationale :    PCT/FI2005/000423
Date de publication : 13.04.2006 Date de dépôt international : 05.10.2005
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    04.08.2006    
CIB :
C23C 16/24 (2006.01), C30B 29/06 (2006.01), H01L 21/00 (2006.01)
Déposants : OKMETIC OYJ [FI/FI]; Piitie 2, FI-01510 VANTAA (FI) (Tous Sauf US).
AIRAKSINEN, Veli, Matti [FI/FI]; (FI) (US Seulement).
HOKKANEN, Maria, Elina [FI/FI]; (FI) (US Seulement)
Inventeurs : AIRAKSINEN, Veli, Matti; (FI).
HOKKANEN, Maria, Elina; (FI)
Mandataire : BERGGREN OY AB; P.O. Box 16 (Jaakonkatu 3 A), FI-00101 HELSINKI (FI)
Données relatives à la priorité :
10/959,602 06.10.2004 US
Titre (EN) CVD DOPED STRUCTURES
(FR) STRUCTURES DOPEES OBTENUES PAR DEPOT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR
Abrégé : front page image
(EN)A CVD growing process of dopant doped silicon layers comprising epitaxial silicon or polycrystalline silicon, has been developed. The process is occurring advantageously at a high growing temperature of 600-1250°C, having a phase in which silicon comprised halide is used as a silicon source gas with a dopant.
(FR)L'invention concerne un procédé, nouveau et propre, de croissance par dépôt chimique en phase vapeur de couches de silicium dopées à l'aide d'un dopant, ces couches étant constituées d'un silicium épitaxial ou d'un silicium polycristallin. Pour plus d'efficacité, ce procédé est appliqué à une température de croissance élevée de 600-1250 °C, possédant une phase dans laquelle un halogénure de silicium est utilisé comme gaz source de silicium avec un dopant.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)