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1. (WO2006035425) PROCEDE DE PULVERISATION POUR LA PRODUCTION DE NANOPARTICULES SEMI-CONDUCTRICES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/035425    N° de la demande internationale :    PCT/IL2005/001013
Date de publication : 06.04.2006 Date de dépôt international : 22.09.2005
CIB :
C23C 30/00 (2006.01), H01L 21/00 (2006.01), C01G 11/00 (2006.01)
Déposants : TECHNION RESEARCH & DEVELOPMENT FOUNDATION LTD. [IL/IL]; Senate House, Technion City, 32000 Haifa (IL) (Tous Sauf US).
AMIRAV, Lilac [IL/IL]; (IL) (US Seulement).
LIFSHITZ, Efrat [IL/IL]; (IL) (US Seulement)
Inventeurs : AMIRAV, Lilac; (IL).
LIFSHITZ, Efrat; (IL)
Mandataire : BEN-AMI, Paulina; Ben-Ami & Associates, P.O. BOX 94, 76100 Rehovot (IL)
Données relatives à la priorité :
60/612,830 27.09.2004 US
Titre (EN) SPRAY METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR NANOPARTICLES
(FR) PROCEDE DE PULVERISATION POUR LA PRODUCTION DE NANOPARTICULES SEMI-CONDUCTRICES
Abrégé : front page image
(EN)A method is provided for producing semiconductor nanoparticles comprising: (i) dissolving a semiconductor compound or mixture of semiconductor compounds in a solution; (ii) generating spray droplets of the resulting solution of semiconductor compound(s); (iii) vaporizing the solvent of said spray droplets, consequently producing a stream of unsupported semiconductor nanoparticles; and (iv) collecting said unsupported semiconductor nanoparticles on a support.
(FR)La présente invention a trait à un procédé pour la production de nanoparticules semi-conductrices comprenant: (i) la dissolution d'un composé semi-conducteur ou un mélange de composés semi-conducteurs dans une solution; (ii) la génération de gouttelettes de pulvérisation de la solution de composé(s) semi-conducteur(s) obtenue; (iii) la vaporisation du solvant desdites gouttelettes de pulvérisation, et la production conséquente d'un flux de nanoparticules semi-conductrices non supportées; et (iv) le recueil desdites nanoparticules semi-conductrices non supportées sur un support.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)