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1. (WO2006025439) PROCÉDÉ DE FORMATION DE FINS MOTIFS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/025439    N° de la demande internationale :    PCT/JP2005/015883
Date de publication : 09.03.2006 Date de dépôt international : 31.08.2005
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    21.04.2006    
CIB :
G03F 7/40 (2006.01), H01L 21/027 (2006.01)
Déposants : AZ ELECTRONIC MATERIALS (JAPAN) K.K. [JP/JP]; Bunkyo Green Court, 28-8, Honkomagome 2-chome, Bunkyo-ku, Tokyo 1130021 (JP) (AE, AG, AL, AM, AU, AZ, BA, BB, BF, BJ, BR, BW, BY, BZ, CA, CF, CG, CI, CM, CN, CO, CR, CU, DM, DZ, EC, EG, GA, GD, GE, GH, GM, GN, GQ, GW, HR, ID, IL, IN, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, MA, MD, MG, MK, ML, MN, MR, MW, MX, MZ, NA, NE, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, RU, SC, SD, SG, SL, SM, SN, SY, SZ, TD, TG, TJ, TM, TN, TT, TZ, UA, UG, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW only).
AZ ELECTRONIC MATERIALS USA CORP. [US/US]; 70 Meister Avenue Somerville, NJ 08876 (US) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR only).
TAKAHASHI, Kiyohisa [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
TAKANO, Yusuke [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : TAKAHASHI, Kiyohisa; (JP).
TAKANO, Yusuke; (JP)
Mandataire : YOSHITAKE, Kenji; Kyowa Patent & Law Office Room 323, Fuji Bldg. 2-3, Marunouchi 3-chome Chiyoda-ku, Tokyo 100-0005 (JP)
Données relatives à la priorité :
2004-252123 31.08.2004 JP
2005-224050 02.08.2005 JP
Titre (EN) METHOD FOR FINE PATTERN FORMATION
(FR) PROCÉDÉ DE FORMATION DE FINS MOTIFS
(JA) 微細パターン形成方法
Abrégé : front page image
(EN)A method for fine pattern formation, which can effectively microfabricate a resist pattern using a material for fine pattern formation, is provided. The method for fine pattern formation can suppress the thickness of a crosslinked film and does not cause development defects. A fine pattern is formed by a material for fine pattern formation, comprising a water-soluble resin, a water-soluble crosslinking agent, and a solvent comprising water or a mixed liquid composed of water and a water-soluble organic solvent, and an amine compound-containing developing solution. The amine compound-containing developing solution is preferably a primary amine compound such as polyallylamine, monomethanolamine, or monoethanolamine, a secondary amine compound such as dimethylamine, diethylamine, dimethanolamine, or diethanolamine, a tertiary amine compound such as trimethylamine, triethylamine, trimethanolamine, or triethanolamine, or a quaternary amine compounds such as tetramethylamine hydroxide.
(FR)L’invention porte sur un procédé de formation de fins motifs, permettant la microfabrication d’un motif de résist à l’aide d’un matériau de formation de fins motifs. Le procédé de formation de fins motifs peut supprimer l’épaisseur d’un film réticulé et ne provoque pas de défauts de développement. Un fin motif est produit grâce à un matériau de formation de fins motifs, comprenant une résine soluble dans l’eau, un agent de réticulation soluble dans l’eau et un solvant comprenant de l’eau ou un liquide mélangé composé d’eau et d’un solvant organique soluble dans l’eau, et une solution de développement contenant un composé aminé. La solution de développement contenant un composé aminé est de préférence un composé aminé primaire comme un polyallylamine, un monométhanolamine ou un monoéthanolamine, un composé aminé secondaire comme un diméthylamine, un diéthylamine, un diméthanolamine ou un diéthanolamine, un composé aminé tertiaire comme un triméthylamine, un triéthylamine, un triméthanolamine ou un triéthanolamine ou un composé aminé quaternaire comme un hydroxyde de tétraméthylamine.
(JA) 微細パターン形成材料を用いて実効的にレジストパターンを微細化する微細パターン形成方法において、架橋膜膜厚を抑え、尚且つ現像欠陥がない微細パターン形成方法を提供する。水溶性樹脂、水溶性架橋剤、および、水または水と水溶性有機溶媒との混合液からなる溶媒を含有する微細パターン形成材料とアミン化合物含有現像液を用いて、微細パターンを形成させる。アミン化合物含有現像液は、ポリアリルアミン、モノメタノールアミン、モノエタノールアミン等の第1級アミン化合物、ジメチルアミン、ジエチルアミン、ジメタノールアミン、ジエタノールアミン等の第2級アミン化合物、トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリメタノールアミン、トリエタノールアミン等の第3級アミン化合物、水酸化テトラメチルアミン等の第4級アミン化合物が好ましい。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)