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1. WO2006008412 - TEST DE L'ETANCHEITE DE MEMS OU DE PETITS COMPOSANTS ENCAPSULES

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[ FR ]

REVENDICATIONS

1. Procédé de test de l'étanchéité d'un MEMS ou d'un petit composant encapsulé, le MEMS ou le petit composant étant logé dans une cavité d'un support, la cavité étant fermée par des moyens d'étanchéité et contenant un gaz à une masse volumique différente de celle qu'il aurait s'il était à la pression du milieu extérieur à la cavité, le procédé étant caractérisé en ce qu'il comprend une étape de mesure de la masse volumique du gaz contenu dans la cavité, la cavité étant pourvue d'une structure chauffante et de moyens de mesure de la température.

2. Procédé de test selon la revendication

1, caractérisé en ce que l'étape de mesure de la masse volumique du gaz comprend la production d'un échange de chaleur entre une source chaude présente dans la cavité et une source froide thermiquement reliée à la cavité, et la détermination d'une grandeur caractéristique de cet échange de chaleur.

3. Procédé de test selon la revendication

2, caractérisé en ce que la détermination d'une grandeur caractéristique de l'échange de chaleur comprend la détermination de la température ou de l'évolution de température de la source froide et/ou de la source chaude.

4. Procédé de test selon la revendication

3, caractérisé en ce que, la source chaude étant une résistance électrique de résistivité connue, la détermination de la température de la source chaude est obtenue par la mesure de la tension appliquée à ses bornes et du courant la traversant.

5. Procédé de test selon la revendication 4, caractérisé en ce que, la résistance électrique étant alimentée par une tension continue, la mesure de la masse volumique du gaz est obtenue à partir de la résistance thermique au travers du gaz contenu dans la cavité .

6. Procédé de test selon la revendication 2, caractérisé en ce que la source chaude est constituée de deux résistances électriques montées sur deux côtés apposés d'un pont de Wheatstone alimenté sur deux sommets opposés par une tension continue, les deux autres résistances électriques du pont de Wheatstone étant en contact avec la source froide, la tension prélevée sur les deux autres sommets opposés du pont de Wheatstone permettant de mesurer la masse volumique du gaz contenu dans la cavité.

7. Procédé de test selon la revendication 3, caractérisé en ce que, la source chaude étant une résistance électrique de résistivité connue, un échelon de tension est appliqué à ses bornes et on mesure la réponse temporelle de la résistance électrique constituant la source chaude pour déterminer la résistance thermique entre la source chaude et le reste de la cavité.

8. Procédé de test selon la revendication 3, caractérisé en ce que, la source chaude étant une résistance électrique de résistivité connue, une tension sinusoïdale est appliquée à ses bornes et la réponse temporelle de cette résistance électrique est mesurée, d'où on en déduit la résistance thermique entre la source chaude et le reste de la cavité.

9. Procédé de test selon la revendication

2, caractérisé en ce que la source chaude est constituée de deux résistances électrique montées sur deux côtés opposés d'un pont de Wheatstone alimenté sur deux sommets opposés par une tension alternative, les deux autres résistances électriques du pont de Wheatstone étant en contact avec la source froide, la tension prélevée sur les deux autres sommets opposés du pont de Wheatstone permettant d'obtenir le temps de réponse thermique de la source chaude, d'où on en déduit la résistance thermique entre la source chaude et le reste de la cavité.

10. Procédé de test selon la revendication 2, caractérisé en ce que la source chaude est une source chaude réalisée au cours d'un procédé de fabrication utilisé pour la réalisation de la fonction principale du MEMS ou du petit composant.

11. Procédé de test selon l'une des revendications 6 ou 9, caractérisé en ce que les résistances électriques du pont de Wheatstone sont des résistances électriques réalisées au cours d'un procédé de fabrication utilisé pour la réalisation de la fonction principale de MEMS ou du petit composant.

12. Dispositif comprenant un MEMS ou un petit composant encapsulé, le MEMS ou le petit composant étant logé dans une cavité d'un support, la cavité étant fermée par des moyens d'étanchéité et contenant un gaz à une masse volumique différente de celle qu'il aurait s'il était à la pression du milieu extérieur à la cavité, caractérisé en ce qu'un capteur de masse volumique est également logé dans la cavité qui est pourvue d'une structure chauffante et de moyens de mesure de la température.

13. Dispositif selon la revendication 12, caractérisé en ce que le MEMS ou le petit composant et le capteur de masse volumique sont des éléments réalisés au cours d'un procédé de fabrication optimisé pour la fonction principale du MEMS ou du petit composant .