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1. WO2006006630 - DISPOSITIF MAGNÉTORÉSISTIF, PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF MAGNÉTORÉSISTIF ET MÉMOIRE À ACCÈS ALÉATOIRE MAGNÉTIQUE

Numéro de publication WO/2006/006630
Date de publication 19.01.2006
N° de la demande internationale PCT/JP2005/012955
Date du dépôt international 13.07.2005
CIB
H01L 43/08 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
43Dispositifs utilisant les effets galvanomagnétiques ou des effets magnétiques analogues; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
08Résistances commandées par un champ magnétique
G01R 33/09 2006.01
GPHYSIQUE
01MÉTROLOGIE; TESTS
RMESURE DES VARIABLES ÉLECTRIQUES; MESURE DES VARIABLES MAGNÉTIQUES
33Dispositions ou appareils pour la mesure des grandeurs magnétiques
02Mesure de la direction ou de l'intensité de champs magnétiques ou de flux magnétiques
06en utilisant des dispositifs galvano-magnétiques
09des dispositifs magnéto-résistifs
G11C 11/15 2006.01
GPHYSIQUE
11ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
CMÉMOIRES STATIQUES
11Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage électriques ou magnétiques particuliers; Eléments d'emmagasinage correspondants
02utilisant des éléments magnétiques
14utilisant des éléments à pellicules minces
15utilisant des couches magnétiques multiples
H01F 10/32 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
FAIMANTS; INDUCTANCES; TRANSFORMATEURS; EMPLOI DE MATÉRIAUX SPÉCIFIÉS POUR LEURS PROPRIÉTÉS MAGNÉTIQUES
10Pellicules magnétiques minces, p.ex. de structure à un domaine
32Multicouches couplées par échange de spin, p.ex. superréseaux à structure nanométrique
H01L 21/8246 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
77Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun
78avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels
82pour produire des dispositifs, p.ex. des circuits intégrés, consistant chacun en une pluralité de composants
822le substrat étant un semi-conducteur, en utilisant une technologie au silicium
8232Technologie à effet de champ
8234Technologie MIS
8239Structures de mémoires
8246Structures de mémoires mortes (ROM)
H01L 27/105 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
04le substrat étant un corps semi-conducteur
10comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration répétitive
105comprenant des composants à effet de champ
CPC
B82Y 25/00
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
82NANOTECHNOLOGY
YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
25Nanomagnetism, e.g. magnetoimpedance, anisotropic magnetoresistance, giant magnetoresistance or tunneling magnetoresistance
B82Y 40/00
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
82NANOTECHNOLOGY
YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
40Manufacture or treatment of nanostructures
G01R 33/093
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
33Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
02Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
06using galvano-magnetic devices, e.g. Hall effect devices; using magneto-resistive devices
09Magnetoresistive devices
093using multilayer structures, e.g. giant magnetoresistance sensors
G11C 11/16
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
11Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
02using magnetic elements
16using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect
H01F 10/3254
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
FMAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
10Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
32Spin-exchange-coupled multilayers, e.g. nanostructured superlattices
324Exchange coupling of magnetic film pairs via a very thin non-magnetic spacer, e.g. by exchange with conduction electrons of the spacer
3254the spacer being semiconducting or insulating, e.g. for spin tunnel junction [STJ]
H01F 10/3268
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
FMAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
10Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
32Spin-exchange-coupled multilayers, e.g. nanostructured superlattices
324Exchange coupling of magnetic film pairs via a very thin non-magnetic spacer, e.g. by exchange with conduction electrons of the spacer
3268the exchange coupling being asymmetric, e.g. by use of additional pinning, by using antiferromagnetic or ferromagnetic coupling interface, i.e. so-called spin-valve [SV] structure, e.g. NiFe/Cu/NiFe/FeMn
Déposants
  • 日本電気株式会社 NEC CORPORATION [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • 本庄 弘明 HONJO, Hiroaki [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 福本 能之 FUKUMOTO, Yoshiyuki [JP]/[JP] (UsOnly)
Inventeurs
  • 本庄 弘明 HONJO, Hiroaki
  • 福本 能之 FUKUMOTO, Yoshiyuki
Mandataires
  • 工藤 実 KUDOH, Minoru
Données relatives à la priorité
2004-20703314.07.2004JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) MAGNETORESISTIVE DEVICE, METHOD FOR MANUFACTURING MAGNETORESISTIVE DEVICE AND MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY
(FR) DISPOSITIF MAGNÉTORÉSISTIF, PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF MAGNÉTORÉSISTIF ET MÉMOIRE À ACCÈS ALÉATOIRE MAGNÉTIQUE
(JA) 磁気抵抗効果素子及び磁気抵抗効果素子の製造方法、磁気ランダムアクセスメモリ
Abrégé
(EN)
A method for manufacturing a magnetoresistive device comprises a step for forming an antiferromagnetic layer on the upper surface of a substrate, a step for forming a first fixed ferromagnetic layer on the antiferromagnetic layer on the upper surface of the substrate, a step for exposing the first fixed ferromagnetic layer to a gas containing oxygen atoms at a pressure of not less than 5 × 10-7 Pa and not more than 1 × 10-4 Pa, a step for forming a second fixed ferromagnetic layer on the first fixed ferromagnetic layer, a step for forming a tunnel barrier layer on the second fixed ferromagnetic layer, and a step for forming a free ferromagnetic layer on the tunnel barrier layer. In this connection, an oxygen gas having a pressure (partial pressure) of not less than 5 × 10-7 Pa and not more than 1 × 10-4 Pa exemplifies the gas containing oxygen atoms. In this method for manufacturing a magnetoresistive device, the second fixed ferromagnetic layer is so formed as to have a thickness of more than 0 and not more than 1 nm.
(FR)
Procédé de fabrication de dispositif magnétorésistif comprenant une phase de formation d’une couche antiferromagnétique à la surface supérieure d’un substrat, une phase de formation d’une première couche ferromagnétique fixe sur la couche antiferromagnétique à la surface supérieure du substrat, une phase d’exposition de la première couche ferromagnétique fixe à un gaz contenant des atomes d’oxygène à une pression supérieure ou égale à 5 × 10-7 Pa et ne dépassant pas 1 × 10-4 Pa, une phase de formation d’une seconde couche ferromagnétique fixe sur la première couche ferromagnétique fixe, une phase de formation d’une couche de protection à effet tunnel sur la seconde couche ferromagnétique fixe et une phase de formation d’une couche ferromagnétique libre sur la couche de protection à effet tunnel. Dans ce contexte, un gaz oxygène ayant une pression (pression partielle) supérieure ou égale à 5 × 10-7 Pa et ne dépassant pas 1 × 10-4 Pa peut représenter le gaz contenant des atomes d’oxygène. Selon ce procédé de fabrication de dispositif magnétorésistif, la seconde couche ferromagnétique fixe est conformée pour avoir une épaisseur supérieure à 0 et ne dépassant pas 1 nm.
(JA)
 磁気抵抗効果素子の製造方法は、反強磁性層を基板の上面側に形成することと、基板の上面側の反強磁性層の上に第1固定強磁性層を形成することと、第1固定強磁性層を5×10-7Pa以上1×10-4Pa以下の圧力で酸素原子を含む気体に暴露を行うことと、第1固定強磁性層の上に第2固定強磁性層を形成することと、第2固定強磁性層の上にトンネルバリア層を形成することと、トンネルバリア層の上に自由強磁性層を形成することとにより達成される。ただし、酸素原子を含む気体は、5×10-7Pa以上1×10-4Pa以下の圧力(又は分圧)の酸素ガスに例示される。上記の磁気抵抗効果素子の製造方法において、第2固定強磁性層の膜厚は、0より大きく1nm以下であるように形成される。
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