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1. WO2006005095 - MATERIAU POUR TRACES CONDUCTEURS CONSTITUE D'UN ALLIAGE DE CUIVRE

Numéro de publication WO/2006/005095
Date de publication 19.01.2006
N° de la demande internationale PCT/AT2005/000262
Date du dépôt international 11.07.2005
CIB
C22C 9/00 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
22MÉTALLURGIE; ALLIAGES FERREUX OU NON FERREUX; TRAITEMENT DES ALLIAGES OU DES MÉTAUX NON FERREUX
CALLIAGES
9Alliages à base de cuivre
C23C 14/34 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
23REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
CREVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
14Revêtement par évaporation sous vide, pulvérisation cathodique ou implantation d'ions du matériau composant le revêtement
22caractérisé par le procédé de revêtement
34Pulvérisation cathodique
H01L 21/00 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
B22F 1/00 2006.01
BTECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
22FONDERIE; MÉTALLURGIE DES POUDRES MÉTALLIQUES
FTRAVAIL DES POUDRES MÉTALLIQUES; FABRICATION D'OBJETS À PARTIR DE POUDRES MÉTALLIQUES; FABRICATION DE POUDRES MÉTALLIQUES; APPAREILS OU DISPOSITIFS SPÉCIALEMENT ADAPTÉS AUX POUDRES MÉTALLIQUES
1Traitement particulier des poudres métalliques, p.ex. en vue de faciliter leur mise en œuvre, d'améliorer leurs propriétés; Poudres métalliques en soi, p.ex. mélanges de particules de compositions différentes
CPC
C22C 9/00
CCHEMISTRY; METALLURGY
22METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
CALLOYS
9Alloys based on copper
C22C 9/10
CCHEMISTRY; METALLURGY
22METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
CALLOYS
9Alloys based on copper
10with silicon as the next major constituent
C23C 14/3414
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
14Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
22characterised by the process of coating
34Sputtering
3407Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
3414Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
H01B 1/026
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
BCABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
1Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
02mainly consisting of metals or alloys
026Alloys based on copper
H01L 21/02
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
H01L 23/49866
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; ; Selection of materials therefor
488consisting of soldered ; or bonded; constructions
498Leads, ; i.e. metallisations or lead-frames; on insulating substrates, ; e.g. chip carriers
49866characterised by the materials
Déposants
  • PLANSEE SE [AT]/[AT] (AllExceptUS)
  • O'SULLIVAN, Michael [IE]/[AT] (UsOnly)
  • WILHARTITZ, Peter [AT]/[AT] (UsOnly)
  • LEICHTFRIED, Gerhard [AT]/[AT] (UsOnly)
Inventeurs
  • O'SULLIVAN, Michael
  • WILHARTITZ, Peter
  • LEICHTFRIED, Gerhard
Données relatives à la priorité
GM 501/200415.07.2004AT
Langue de publication allemand (DE)
Langue de dépôt allemand (DE)
États désignés
Titre
(DE) WERKSTOFF FÜR LEITBAHNEN AUS KUPFERLEGIERUNG
(EN) MATERIAL FOR CONDUCTOR TRACKS MADE OF COPPER ALLOY
(FR) MATERIAU POUR TRACES CONDUCTEURS CONSTITUE D'UN ALLIAGE DE CUIVRE
Abrégé
(DE)
Die Erfindung umfasst einen Werkstoff für Leitbahnen aus einer Kupferlegierung mit Cu > 90 At.%, wobei dieser 0,5 bis 10 At.% eines oder mehrerer Elemente aus der Gruppe Ca, Sr, Ba, Sc, Y, Lanthanide, Cr, Ti, Zr, Hf, Si; sowie 0 bis 5 At.% eines oder mehrerer Elemente aus der Gruppe Mg, V, Nb, Ta, Mo, W, Ag, Au, Fe, B enthält. Dieser Werkstoff weist einen niedrigen elektrischer Widerstand, eine gute Haftung auf dem Glas-Substrat, eine ausreichende Oxidationsbeständigkeit sowie eine niedrige Elektromigrationsrate auf.
(EN)
The invention relates to a material for conductor tracks made of copper alloy containing Cu > 90 At. %, whereby said material contains 0.5 to 10 At. % of one or more elements from the group consisting of Ca, Sr, Ba, Sc, Y, lanthanide, Cr, Ti, Zr, Hf, Si; and 0 to 5 At. % of one or more elements from the group consisting of Mg, V, Nb, Ta, Mo, W, Ag, Au, Fe, B. Said material has a low electrical resistance, good adhesion to the glass substrate, excellent oxidation resistance, and a low electromigration rate.
(FR)
L'invention concerne un matériau pour tracés conducteurs constitué d'un alliage de cuivre comprenant une quantité de cuivre (Cu) strictement supérieure à 90 % at. Le matériau selon l'invention comprend : entre 0,5 et 10 % at. d'un ou de plusieurs éléments issus du groupe rassemblant Ca, Sr, Ba, Sc, Y, lanthanides, Cr, Ti, Zr, Hf, Si, et ; entre 0 et 5 % at. d'un ou de plusieurs éléments issus du groupe Mg, V, Nb, Ta, Mo, W, Ag, Au, Fe, B. Ledit matériau présente une faible résistance électrique, une bonne adhérence sur un substrat de verre, une stabilité suffisante à l'oxydation, ainsi qu'un faible taux d'électromigration.
Également publié en tant que
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