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1. (WO2005091376) TRANSISTOR VERTICAL ORGANIQUE ET PROCÉDURE DE FABRICATION DE CELUI-CI
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2005/091376    N° de la demande internationale :    PCT/JP2005/000560
Date de publication : 29.09.2005 Date de dépôt international : 19.01.2005
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    22.04.2005    
CIB :
H01L 21/336 (2006.01), H01L 29/786 (2006.01), H01L 51/00 (2006.01)
Déposants : JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY [JP/JP]; 1-8, Hon-cho 4-chome Kawaguchi-shi Saitama 332-0012 (JP) (Tous Sauf US).
NATIONAL UNIVERSITY CORPORATION UNIVERSITY OF TOYAMA [JP/JP]; 3190, Gofuku, Toyama-shi, Toyama 930-8555 (JP) (Tous Sauf US).
OKADA, Hiroyuki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
NAKA, Shigeki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
ONNAGAWA, Hiroyoshi [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : OKADA, Hiroyuki; (JP).
NAKA, Shigeki; (JP).
ONNAGAWA, Hiroyoshi; (JP)
Mandataire : SHIMIZU, Mamoru; Ohzono Bldg. 7-10, Kanda-mitoshiro-cho Chiyoda-ku, Tokyo 101-0053 (JP)
Données relatives à la priorité :
2004-075571 17.03.2004 JP
Titre (EN) ORGANIC VERTICAL TRANSISTOR AND PROCESS FOR FABRICATING SAME
(FR) TRANSISTOR VERTICAL ORGANIQUE ET PROCÉDURE DE FABRICATION DE CELUI-CI
(JA) 有機縦形トランジスタおよびその製造方法
Abrégé : front page image
(EN)An organic vertical transistor in which integration is facilitated and a short channel can be attained while increasing the on current and decreasing the off current, and its fabricating process. The organic vertical transistor comprises a source electrode formed on a substrate in the vertical direction, an insulating film between source-drain electrodes formed on the source electrode in the vertical direction, a drain electrode formed on the insulating film between source-drain electrodes in the vertical direction, an organic semiconductor active layer so formed on the substrate in the horizontal direction that the opposite sides of the source electrode, the insulating film between source-drain electrodes and the drain electrode are in contact therewith, a gate insulating film formed in contact with the organic semiconductor active layer, and a gate electrode formed in contact with the gate insulating film. The gate electrode, the gate insulating film and the organic semiconductor active layer are processed respectively.
(FR)Transistor vertical organique dans lequel l’intégration est facilitée et un canal court peut être atteint tout en augmentant le courant positif et en diminuant le courant négatif ; procédure de fabrication de ce transistor. Le transistor vertical organique comprend une électrode source formée d’un substrat vertical, d’un film isolant entre les électrodes de débit source disposée sur l’électrode source verticalement, une électrode déversoir disposée sur le film isolant entre les électrodes de débit source verticalement, une couche active organique semi-conductrice disposée sur le substrat horizontalement de manière à faire face à l’électrode source et avec laquelle le film isolant entre les électrodes de débit source et l’électrode déversoir sont en contact, un film isolant de grille mis en contact avec la couche active organique semi-conductrice, et une électrode grille mise en contact avec le film isolant de grille. L’électrode grille, le film isolant de grille et la couche active organique semi-conductrice sont fabriqués individuellement.
(JA) 有機縦形トランジスタにおいて、集積化を容易にするとともに、オン電流の上昇、及びオフ電流の低減を可能としつつ短チャネル化を図ることができる有機縦形トランジスタ及びその製造方法を提供する。  基板上に垂直方向に積層されるソース電極と、このソース電極上に垂直方向に積層されるソース・ドレイン電極間絶縁膜と、このソース・ドレイン電極間絶縁膜上に垂直方向に積層されるドレイン電極と、前記基板上の水平方向であって、前記ソース電極と、前記ソース・ドレイン電極間絶縁膜と、前記ドレイン電極のそれぞれの両側に接触するように積層される有機半導体活性層と、この有機半導体活性層に接触するように積層されるゲート絶縁膜と、このゲート絶縁膜に接触するように積層されるゲート電極と、を有し、前記ゲート電極、前記ゲート絶縁膜、前記有機半導体活性層各々を加工する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)