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1. (WO2005088742) DIODE LUMINEUSE GRANDE PUISSANCE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2005/088742    N° de la demande internationale :    PCT/RU2005/000110
Date de publication : 22.09.2005 Date de dépôt international : 04.03.2005
CIB :
H01L 33/32 (2010.01), H01L 33/38 (2010.01)
Déposants : ZAKRYTOE AKTSIONERNOE OBSCHESTVO 'INNOVATSIONNAYA FIRMA 'TETIS' [RU/RU]; pr. Engelsa, 27-136 St. Petersburg, 194156 (RU) (Tous Sauf US).
ZAKGEIM, Dmitry Aleksandrovich [RU/RU]; (RU) (US Seulement).
ZAKGEIM, Aleksandr Lvovich [RU/RU]; (RU) (US Seulement).
GUREVICH, Sergei Aleksandrovich [RU/RU]; (RU) (US Seulement).
SMIRNOVA, Irina Pavlovna [RU/RU]; (RU) (US Seulement).
VASILIEVA, Elena Dmitrievna [RU/RU]; (RU) (US Seulement).
ITKINSON, Grigory Vladimirovich [RU/RU]; (RU) (US Seulement)
Inventeurs : ZAKGEIM, Dmitry Aleksandrovich; (RU).
ZAKGEIM, Aleksandr Lvovich; (RU).
GUREVICH, Sergei Aleksandrovich; (RU).
SMIRNOVA, Irina Pavlovna; (RU).
VASILIEVA, Elena Dmitrievna; (RU).
ITKINSON, Grigory Vladimirovich; (RU)
Mandataire : STEPANOVA, Nina Ivanovna; a/ya 3 St. Petersburg, 194223 (RU)
Données relatives à la priorité :
2004108063 15.03.2004 RU
Titre (EN) HIGH-POWER LIGHT EMITTING DIODE
(FR) DIODE LUMINEUSE GRANDE PUISSANCE
(RU) ВЫСОКОМОЩНЫЙ СВЕТОИЗЛУЧАЮЩИЙ ДИОД
Abrégé : front page image
(EN)The inventive light emitting diode comprises a substrate (1) and an epitaxial structure which is arranged thereon, provided with an n-p junction and comprises n- and p-type conductivity layers (2, 5) based on solid solutions of a group III metal nitrides AlxInyGa1-(x+y)N, (0$m(F)x$m(F)1, 0$m(F)0$m(F)1). Said light emitting diode also comprises metal bonding areas (6, 7) for the n- and p-type conductivity layers disposed on the side of the epitaxial layers at the level of a lower epitaxial n-type conductivity layer (2) and at the level of the top epitaxial p-type conductivity layer (5). Regions occupied by the metal bonding area (7) for the n-type conductivity layer (2) and regions occupied by the metal bonding area (6) for the p-type conductivity layer (5) are arranged along the section area of the light emitting diode in the form of successive areas in the projection on the horizontal section of the light emitting diode. The metal bonding area (7) for the n-type epitaxial structure is provided with sections embodied in the form of separate fragments arranged in cavities etched in the epitaxial structure to the n-type conductivity layer (2), wherein, in the projection on the horizontal section of the light emitting diode, the areas occupied by said fragments are surrounded on all sides thereof by the area occupied by the metal bonding area (6) for the p-type conductivity layer (5). The fragments of the metal bonding area (7) for the n-type conductivity layer (2) are electrically connected by means of metal busses (8) passing above the metal bonding area (6) for the p-type conductivity layer (5) along a dielectric material layer (9) applied to the sections of said bonding area (6) above which the metal busses (8) pass through.
(FR)La diode lumineuse de l'invention comprend une structure épitaxiale à jonction 'p-n', disposée sur un substrat isolant (1), qui comprend des couches (2) et (5) à conductivité de type 'n' et de type 'p', faites à partir de solutions solides de nitrures de métaux du troisième groupe AlxInyGa1-(x+y)N (0$m(F)x$m(F)1, 0$m(F)y$m(F)1). La diode lumineuse comprend également des languettes métalliques de contact (7) et (6) reliées aux couches à conductivité de type 'n' et de type 'p' et situées du côté des touches épitaxiales, au niveau de la couche épitaxiale supérieure (2) à conductivité de type 'p' (5). En projection sur le plan de coupe horizontal, les régions occupées par la languette de contact (7) adjacente à la couche (2) à conductivité de type 'n', et les régions occupées par la languette de contact (6) adjacente à la couche (5) à conductivité de type 'p', sont disposées en zones alternées à la superficie de la surface de coupe. La languette métallique de contact (7) adjacente à la couche (2) à conductivité de type 'n' comporte des parties se présentant comme des fragments isolés disposés dans des logements gravés dans la structure épitaxiale jusqu'à la couche (2) à conductivité de type 'n'. En projection sur le plan horizontal de la coupe de la diode lumineuse, les régions occupées par les fragments susmentionnées sont entourées de toutes parts par une région occupée par la languette de contact (6) adjacente à la couche (5) à conductivité de type 'p'. Les fragments de la languette métallique de contact (7) adjacente à la couche (2) à conductivité de type 'n' sont connectés électriquement au moyen de bus métalliques (8) qui passent par-dessus la languette métallique de contact (6) adjacente à la couche (5) à conductivité de type 'p', sur la couche (9) de matériau diélectrique, appliquée aux parties de la languette de contact (6) au-dessus desquelles passent les bus métalliques (8).
(RU)Светоизлучающий диод включает расположенную на изолирующей подложке (1) эпитаксиальную структуру с p-n-переходом, содержащую слои (2) и (5) n- и p-типа проводимости на основе твердых растворов нитридов металлов третьей группы AlxInyGa1-(x+y)N, (0≤x≤1, 0≤y≤1). Светоизлучающий диод включает также металлические контактные площадки (7) и (6) к слоям n- и p- типа проводимости, расположенные со стороны эпитаксиальных слоев соответственно на уровне нижнего эпитаксиального слоя (2) n-типа проводимости и на уровне верхнего эпитаксиального слоя (5) p-типа проводимости. В проекции на горизонтальную плоскость сечения светоизлучающего диода области, занимаемые металлической контактной площадкой (7) к слою (2) n-типа проводимости, и области, занимаемые металлической площадкой (6) к слою (5) p-типа проводимости, расположены по площади сечения светоизлучающего диода чередующимися зонами. Металлическая контактная площадка (7) к слою (2) n-типа проводимости имеет участки, выполненные в виде отдельных фрагментов, расположенных в углублениях, вытравленных в эпитаксиальной структуре до слоя (2) n-типа проводимости, причем, в проекции на горизонтальную плоскость сечения светоизлучающего диода, области, занимаемые указанными фрагментами, окружены со всех сторон областью, занимаемой металлической контактной площадкой (6) к слою (5) p-типа проводимости. При этом фрагменты металлической контактной площадки (7) к слою (2) n-типа проводимости электрически соединены с помощью металлических шин (8), проходящих поверх контактной металлической площадки (6) к слою (5) p-типа проводимости по слою (9) диэлектрического материала, нанесенного на участки указанной контактной площадки (6), над которыми проходят металлические шины (8).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : russe (RU)
Langue de dépôt : russe (RU)