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1. (WO2005088721) TRANSISTOR BIPOLAIRE A JONCTION A FORTE CONCENTRATION EN GERMANIUM DE LA COUCHE DE SILICIUM/GERMANIUM ET PROCEDE DE FORMATION D'UN TEL TRANSISTOR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2005/088721    N° de la demande internationale :    PCT/US2005/008212
Date de publication : 22.09.2005 Date de dépôt international : 10.03.2005
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    14.10.2005    
CIB :
H01L 21/316 (2006.01), H01L 21/331 (2006.01), H01L 29/10 (2006.01), H01L 29/737 (2006.01)
Déposants : AGERE SYSTEMS INC. [US/US]; 1110 American Parkway NE, Allentown, PA 18109 (US) (Tous Sauf US).
GRIGLIONE, Michelle, Denise [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : GRIGLIONE, Michelle, Denise; (US)
Mandataire : DeANGELIS, John, L., JR.; Beusse Brownlee Wolter Mora & Maire, P.A., 390 N. Orange Ave., Suite 2500, Orlando, FL 32801 (US)
Données relatives à la priorité :
60/552,308 10.03.2004 US
Titre (EN) A BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR HAVING A HIGH GERMANIUM CONCENTRATION IN A SILICON-GERMANIUM LAYER AND A METHOD FOR FORMING THE BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR
(FR) TRANSISTOR BIPOLAIRE A JONCTION A FORTE CONCENTRATION EN GERMANIUM DE LA COUCHE DE SILICIUM/GERMANIUM ET PROCEDE DE FORMATION D'UN TEL TRANSISTOR
Abrégé : front page image
(EN)A method for forming a germanium-enriched region in a heterojunction bipolar transistor and a heterojunction bipolar transistor comprising a germanium-enriched region. A base having a silicon-germanium portion is formed over a collector. Thermal oxidation of the base causes a germanium-enriched region to form on a surface of the silicon-germanium portion subjected to the thermal oxidation. An emitter is formed overlying the germanium-enriched portion region. The germanium-enriched region imparts advantageous operating properties to the heterojunction bipolar transistor, including improved high-frequency/high-speed operation.
(FR)L'invention porte sur un procédé de formation d'une région enrichie en germanium dans un transistor bipolaire à hétérojonction, et sur un transistor bipolaire à hétérojonction comportant une telle région. Ledit procédé comporte les étapes suivantes: formation d'une base comprenant une partie de silicium/germanium; oxydation thermique de la base entraînant la formation d'une région enrichie en germanium à la surface de ladite base soumise à l'oxydation thermique; et formation d'un émetteur au-dessus de la région enrichie en germanium. Ladite région enrichie en germanium confère au transistor bipolaire à hétérojonction des caractéristiques intéressantes de fonctionnement notamment aux fréquences et vitesses élevées.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)