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1. (WO2005069705) MODELE METALLIQUE ET PROCEDE DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/2005/069705 N° de la demande internationale : PCT/JP2005/000267
Date de publication : 28.07.2005 Date de dépôt international : 13.01.2005
CIB :
H05K 3/06 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
05
TECHNIQUES ÉLECTRIQUES NON PRÉVUES AILLEURS
K
CIRCUITS IMPRIMÉS; ENVELOPPES OU DÉTAILS DE RÉALISATION D'APPAREILS ÉLECTRIQUES; FABRICATION D'ENSEMBLES DE COMPOSANTS ÉLECTRIQUES
3
Appareils ou procédés pour la fabrication de circuits imprimés
02
dans lesquels le matériau conducteur est appliqué à la surface du support isolant et est ensuite enlevé de zones déterminées de la surface, non destinées à servir de conducteurs de courant ou d'éléments de blindage
06
Elimination du matériau conducteur par voie chimique ou électrolytique, p.ex. par le procédé de photo-décapage
Déposants :
松下電器産業株式会社 MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD. [JP/JP]; 〒5718501 大阪府門真市大字門真1006番地 Osaka 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718501, JP (AllExceptUS)
中川徹 NAKAGAWA, Tohru; null (UsOnly)
Inventeurs :
中川徹 NAKAGAWA, Tohru; null
Mandataire :
特許業務法人池内・佐藤アンドパートナーズ IKEUCHI SATO & PARTNER PATENT ATTORNEYS; 〒5306026 大阪府大阪市北区天満橋1丁目8番30号OAPタワー26階 Osaka 26th Floor, OAP Tower, 8-30, Tenmabashi 1-chome Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5306026, JP
Données relatives à la priorité :
2004-00850815.01.2004JP
Titre (EN) METAL PATTERN AND PROCESS FOR PRODUCING THE SAME
(FR) MODELE METALLIQUE ET PROCEDE DE FABRICATION
(JA) 金属パターン及びその製造方法
Abrégé :
(EN) Metal pattern (13’) obtained through formation on a substrate surface and etching, which metal pattern (13’) has masking film (18) formed through adsorption of a monomolecular film containing fluorinated alkyl chains (CF3(CF2)n-: n is a natural number) on a metal film surface and penetrating of a molecule having mercapto (-SH) or disulfido (-SS-) into interstices between molecules constituting the monomolecular film. This metal pattern is produced by forming a monomolecular film containing fluorinated alkyl chains (CF3(CF2)n-: n is a natural number) on a metal film surface; coating the surface of the monomolecular film with a solution in which a molecule having mercapto (-SH) or disulfido (-SS-) is dissolved so that the molecule having mercapto (-SH) or disulfido (-SS-) penetrates into interstices between molecules constituting the monomolecular film to thereby form a masking film; and exposing the metal film surface to an etching solution to thereby waste metal region devoid of the masking film.
(FR) L'invention concerne un modèle métallique (13') obtenu par formation sur une surface de substrat et gravure. Ledit modèle métallique (13') comporte un fil de masquage (18) formé par adsorption d'un film monomoléculaire contenant des chaînes alkyle fluorées (CF3(CF2)n (n étant un entier), sur une surface de film métallique et pénétration d'une molécule contenant mercapto (-SH) ou disulfido (-SS-) dans des interstices entre des molécules constituant le film monomoléculaire. Le modèle métallique est fabriqué par fabrication d'un film monomoléculaire contenant des chaînes alkyle fluorées (CF3(CF2)n (n étant un entier), sur une surface de film métallique; revêtement de la surface du film monomoléculaire avec une solution dans laquelle une molécule contenant mercapto (-SH) ou disulfido (-SS-) est dissoute de telle manière que ladite molécule pénètre dans des interstices entre des molécules constituant le film monomoléculaire afin de former un film de masquage; et exposition de la surface du film métallique à une solution de gravure afin d'éliminer des zones métalliques dépourvues du film de masquage.
(JA)  本発明の金属パターンは、基板の表面に形成され、エッチングされた金属パターン(13')であって、金属パターン(13')の金属膜表面にはフッ化アルキル鎖(CF3(CF2n−:nは自然数)を含む吸着された単分子膜が形成され、前記単分子膜を構成する分子間にメルカプト基(−SH)又はジスルフィド基(−SS−)を有する分子が浸入してマスキング膜(18)が形成されている。こ金属パターンは、フッ化アルキル鎖(CF3(CF2n−:nは自然数)を含む単分子膜を金属膜表面に形成し、前記単分子膜の表面に、メルカプト基(−SH)又はジスルフィド基(−SS−)を有する分子が溶解した溶液を塗布して、前記単分子膜を構成する分子間にメルカプト基(−SH)又はジスルフィド基(−SS−)を有する分子を浸入させてマスキング膜を形成し、エッチング液を前記金属膜表面に曝して前記マスキング膜の無い金属領域をエッチングして得る。
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : Japonais (JA)
Langue de dépôt : Japonais (JA)
Également publié sous:
KR1020060064058EP1667503JPWO2005069705US20090139421JP4177846CN1843067