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1. (WO2005069390) DISPOSITIFS THERMOELECTRIQUES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/2005/069390 N° de la demande internationale : PCT/US2005/000937
Date de publication : 28.07.2005 Date de dépôt international : 12.01.2005
CIB :
H01L 35/02 (2006.01) ,H01L 35/30 (2006.01) ,H01L 35/32 (2006.01) ,H01L 35/34 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
35
Dispositifs thermoélectriques comportant une jonction de matériaux différents, c. à d. présentant l'effet Seebeck ou l'effet Peltier, avec ou sans autres effets thermoélectriques ou thermomagnétiques; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
02
Détails
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
35
Dispositifs thermoélectriques comportant une jonction de matériaux différents, c. à d. présentant l'effet Seebeck ou l'effet Peltier, avec ou sans autres effets thermoélectriques ou thermomagnétiques; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
28
fonctionnant exclusivement par effet Peltier ou effet Seebeck
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caractérisés par les moyens d'échange de chaleur à la jonction
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
35
Dispositifs thermoélectriques comportant une jonction de matériaux différents, c. à d. présentant l'effet Seebeck ou l'effet Peltier, avec ou sans autres effets thermoélectriques ou thermomagnétiques; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
28
fonctionnant exclusivement par effet Peltier ou effet Seebeck
32
caractérisés par la structure ou la configuration de la cellule ou du thermo-couple constituant le dispositif
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
35
Dispositifs thermoélectriques comportant une jonction de matériaux différents, c. à d. présentant l'effet Seebeck ou l'effet Peltier, avec ou sans autres effets thermoélectriques ou thermomagnétiques; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
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Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
Déposants :
NANOCOOLERS, INC. [US/US]; 5307 Industrial Oaks Blvd., Suite 100 Austin, TX 78735, US (AllExceptUS)
GHOSHAL, Uttam [US/US]; US (UsOnly)
Inventeurs :
GHOSHAL, Uttam; US
Mandataire :
CAVE, Nicole T.; Zagorin Obrien Graham LLP 7600B N. Capital of Texas Hwy. Suite 350 Austin, TX 78731-1191, US
Données relatives à la priorité :
10/756,60313.01.2004US
Titre (EN) THERMOELECTRIC DEVICES
(FR) DISPOSITIFS THERMOELECTRIQUES
Abrégé :
(EN) The invention provides a thermoelectric device comprising a first electrode (104), a first thermoelement (102) thermally coupled to the first electrode (104) and a first phonon conduction impeding medium (106) coupled with the first thermoelement (102). The first phonon conduction impeding medium (106) is also thermally insulated from the first electrode (104). The phonon conduction impeding medium (106) may be a liquid metal. The first thermoelement (102) may have a thickness less than a thermalization length associated with the first theroelement (102). In at least one embodiment of the present invention, second electrode is coupled to the first phonon conduction impeding medium (106). The thermoelectric device may include a dielectric material for maintaining spacing between the first electrode and the second electrode. The invention is also contemplated to provide methods for manufacturing and utilizing such structures.
(FR) Dispositif thermoélectrique qui comporte une première électrode (104), un premier thermoélément (102) thermiquement couplé à la première électrode (104) et un premier milieu (106) entravant la conduction de phonons couplé au premier thermoélément (102). Le premier milieu (106) entravant la conduction de phonons est également thermiquement isolé de la première électrode (104). Le milieu (106) entravant la conduction de phonons peut être un métal liquide. Le premier thermoélément (102) peut avoir une épaisseur inférieure à une longueur de thermalisation associée au premier thermoélément (102). Dans au moins un mode de réalisation de la présente invention, une seconde électrode est couplée au premier milieu (106) entravant la conduction de phonons. Ledit dispositif thermoélectrique peut comporter une matière diélectrique destinée à maintenir l'écartement entre la première électrode et la seconde électrode. La présente invention concerne également des procédés de fabrication et d'utilisation de ces structures.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : Anglais (EN)
Langue de dépôt : Anglais (EN)