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Paramétrages

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1. WO2005069371 - STRUCTURE DE DECHARGE ELECTROSTATIQUE A HAUTE ENERGIE ET PROCEDE

Numéro de publication WO/2005/069371
Date de publication 28.07.2005
N° de la demande internationale PCT/US2004/039718
Date du dépôt international 26.11.2004
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 07.07.2005
CIB
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02
comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
H01L 27/02 (2006.01)
CPC
H01L 27/0255
Déposants
  • SEMICONDUCTOR COMPONENTS INDUSTRIES, L.L.C. [US/US]; 5005 E. McDowell Road - A700 Phoenix, Arizona 85008, US (AllExceptUS)
Inventeurs
  • ZDEBEL, Peter J.; US
  • DOW, Diann Michelle; US
Mandataires
  • JACKSON, Kevin B. ; Patent Administration - A700 P.O. Box 62890 Phoenix, AZ 85082-2890, US
Données relatives à la priorité
10/750,26702.01.2004US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) HIGH ENERGY ESD STRUCTURE AND METHOD
(FR) STRUCTURE DE DECHARGE ELECTROSTATIQUE A HAUTE ENERGIE ET PROCEDE
Abrégé
(EN)
A concentric ring ESD structure (10) includes a first p-type region (16) and a second p-type region (19) formed in a layer of semiconductor material (27). The two p-type regions (16, 19) are coupled together with a floating n-type buried layer (26). The first and second p-type regions (16, 19) form a back-to-back diode structure with the floating n-type buried layer (26). A pair of shorted n-type (167, 197) and p-type (166, 196) contact regions is formed in each of the first and second regions (16, 19). An isolation region (17, 32) is formed between the first and second p-type regions (16, 19).
(FR)
La présente invention a trait à une structure de décharge électrostatique en forme d'anneau concentrique (10) comportant une première région de type p (16) et une deuxième région de type p (19) formées dans une couche de matériau semi-conducteur (27). Les deux régions de type p (16, 19) sont reliées à une couche enterrée flottante de type n (26). Les première et deuxième régions de type p (16, 19) forment une structure de diodes dos à dos avec la couche enterrée flottante de type n (26). Une paire de régions de contacts de type n (167, 197) et de type p (166, 196) court-circuitées est formée dans chacune des première et deuxième régions (16, 19). Une région d'isolation (17, 32) est formée entre les première et deuxième régions de type p (16, 19).
Également publié en tant que
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