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1. (WO2005068538) PROCEDE POUR PRODUIRE UN POLYMERE, POLYMERE, COMPOSITION POUR FORMER UN FILM ISOLANT, PROCEDE POUR PRODUIRE UN FILM ISOLANT, ET FILM ISOLANT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/2005/068538 N° de la demande internationale : PCT/JP2005/000372
Date de publication : 28.07.2005 Date de dépôt international : 14.01.2005
CIB :
H01L 21/312 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30
Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
31
pour former des couches isolantes en surface, p.ex. pour masquer ou en utilisant des techniques photolithographiques; Post-traitement de ces couches; Emploi de matériaux spécifiés pour ces couches
312
Couches organiques, p.ex. couche photosensible
Déposants :
JSR株式会社 JSR CORPORATION [JP/JP]; 〒1048410 東京都中央区築地5丁目6番10号 Tokyo 6-10, Tsukiji 5-chome Chuo-ku, Tokyo 1048410, JP (AllExceptUS)
中川 恭志 NAKAGAWA, Hisashi [JP/JP]; JP (UsOnly)
秋山 将宏 AKIYAMA, Masahiro [JP/JP]; JP (UsOnly)
黒澤 孝彦 KUROSAWA, Takahiko [JP/JP]; JP (UsOnly)
塩田 淳 SHIOTA, Atsushi [JP/JP]; JP (UsOnly)
Inventeurs :
中川 恭志 NAKAGAWA, Hisashi; JP
秋山 将宏 AKIYAMA, Masahiro; JP
黒澤 孝彦 KUROSAWA, Takahiko; JP
塩田 淳 SHIOTA, Atsushi; JP
Mandataire :
大渕 美千栄 OFUCHI, Michie; 〒1670051 東京都杉並区荻窪5丁目26番13号 荻窪TMビル2階 Tokyo 2nd Floor, Ogikubo TM Bldg. 26-13, Ogikubo 5-chome Suginami-ku, Tokyo 1670051, JP
Données relatives à la priorité :
2004-00920516.01.2004JP
Titre (EN) METHOD FOR PRODUCING POLYMER, POLYMER, COMPOSITION FOR FORMING INSULATING FILM, METHOD FOR PRODUCING INSULATING FILM, AND INSULATING FILM
(FR) PROCEDE POUR PRODUIRE UN POLYMERE, POLYMERE, COMPOSITION POUR FORMER UN FILM ISOLANT, PROCEDE POUR PRODUIRE UN FILM ISOLANT, ET FILM ISOLANT
(JA) ポリマーの製造方法、ポリマー、絶縁膜形成用組成物、絶縁膜の製造方法、および絶縁膜
Abrégé :
(EN) Disclosed is a method for producing a polymer which enables to form a film that can be suitably used, for example, as an interlayer insulating film in a semiconductor device, and has low relative dielectric constant, excellent mechanical strength and adhesiveness, and uniform film quality. Also disclosed are a polymer, a composition for forming an insulating film, a method for producing an insulating film and an insulating film. Specifically disclosed is a method for producing a polymer including hydrolysis-condensation of a silane monomer (B) containing a hydrolyzable group in the presence of a polycarbosilane (A) wherein the polycarbosilane (A) is a polymer (I) as defined below. A polymer (I) is obtained by reacting at least one compound selected from the group consisting of compounds (a) represented by the general formula (1) below, compounds (b) represented by the general formula (2) below and compounds (c) represented by the general formula (3) below in an organic solvent in the presence of at least one of an alkali metal and an alkaline earth metal. R1kCX4-k (1) R2kSiY4-k (2) R3mY3-mSiCR4nX3-n (3) (In the formulae, R1-R4 may be the same or different and respectively represent a monovalent organic group or a hydrogen atom; X represents a halogen atom; Y represents a halogen atom or an alkoxy group; k represents an integer of 0-3; and m and n may be the same or different and respectively represent an integer of 0-2.)
(FR) La présente invention concerne un procédé pour produire un polymère qui permet la formation d'un film qui convient à l'utilisation, par exemple, en tant que film isolant inter-couches dans un dispositif à semi-conducteur, et a une constante diélectrique relative faible, une excellente résistance mécanique, un excellent pouvoir adhésif et une qualité de film uniforme. L'invention a également pour objet un polymère, une composition pour former un film isolant, un procédé pour produire un film isolant, et un film isolant correspondant. L'invention concerne en particulier un procédé pour produire un polymère, comprenant la condensation par hydrolyse d'un monomère de silane (B) contenant un groupe hydrolysable, en la présence d'un polycarbosilane (A), le polycarbosilane (A) étant un polymère (I) défini de la manière suivante. Le polymère (I) est obtenu par réaction d'au moins un composé choisi dans le groupe comprenant des composés (a) de formule générale (1) représentée ci-dessous, des composés (b) de formule générale (2) représentée ci-dessous et des composés (c) de formule générale (3) représentée ci-dessous, dans un solvant organique, en la présence d'au moins un métal alcalin et d'un métal alcalino-terreux. R1kCX4-k (1) R2kSiY4-k (2) R3mY3-mSiCR4nX3-n (3) (Dans ces formules, R1-R4 peuvent être identiques ou différents et représentent respectivement un groupe organique monovalent ou un atome d'hydrogène; X représente un atome d'halogène; Y représente un atome d'halogène ou un groupe alcoxy; k est un nombre entier qui vaut de 0 à 3; m et n peuvent être identiques ou différents et représentent respectivement un entier qui vaut de 0 à 2.)
(JA)  例えば半導体素子などにおける層間絶縁膜として好適に用いることができ、かつ、比誘電率が小さく、機械的強度や密着性に優れ、均一な膜質を有する膜を形成することができるポリマーの製造方法、ポリマー、絶縁膜形成用組成物、絶縁膜の製造方法、および絶縁膜を提供する。  本発明のポリマーの製造方法は、(A)ポリカルボシランの存在下、(B)加水分解性基含有シランモノマーを加水分解縮合することを含み、前記(A)ポリカルボシランが、以下のポリマー(I)である。  (I)(a)下記一般式(1)で表される化合物と、(b)下記一般式(2)で表される化合物および下記一般式(3)で表される化合物の群から選ばれた少なくとも1種とを、有機溶媒中でアルカリ金属およびアルカリ土類金属の少なくとも一方の存在下にて反応させて得られるポリマー(I):   R CX4−k    ・・・・・(1)   R SiY4−k   ・・・・・(2)   R 3−mSiCR 3−n     ・・・・・(3)  (式中、R~Rは同一または異なり、それぞれ1価の有機基または水素原子を示し、Xはハロゲン原子を示し、Yはハロゲン原子またはアルコキシ基を示し、kは0~3の整数を示し、mおよびnは同一または異なり、0~2の整数を示す。)
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : Japonais (JA)
Langue de dépôt : Japonais (JA)
Également publié sous:
KR1020060123548EP1705206US20070015892JP5110243