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1. (WO2005064357) GUIDES DE FLUX MAGNETIQUE POUR CAPTEURS DE CHAMP MAGNETIQUE ET MEMOIRES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2005/064357    N° de la demande internationale :    PCT/IB2004/052834
Date de publication : 14.07.2005 Date de dépôt international : 16.12.2004
CIB :
G01R 33/09 (2006.01), G11C 11/15 (2006.01)
Déposants : KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V. [NL/NL]; Groenewoudseweg 1, NL-5621 BA Eindhoven (NL) (Tous Sauf US).
PHAN LE, Kim [VN/NL]; (NL) (US Seulement)
Inventeurs : PHAN LE, Kim; (NL)
Mandataire : ELEVELD, Koop, J.; Prof. Holstlaan 6, NL-5656 AA Eindhoven (NL)
Données relatives à la priorité :
03104936.4 23.12.2003 EP
Titre (EN) FLUX GUIDES FOR MAGNETIC FIELD SENSORS AND MEMORIES
(FR) GUIDES DE FLUX MAGNETIQUE POUR CAPTEURS DE CHAMP MAGNETIQUE ET MEMOIRES
Abrégé : front page image
(EN)A magnetic sensor has a magneto resistive sensing element (210) having layers of magnetic material and one or more flux guides (120) for concentrating the field onto the sensing element, the flux guide comprising a part of one or more of the same layers used for the sensing element. By using the same layer or layers for the flux guide the guide layer can be formed in the same step as the corresponding layer of the sensing element. Such sensors can be integrated in MRAM chips. Flux guides can be used to rotate the field differently for each of 2 parallel sensing elements, to enable 2D field sensors. As there is now no need for orthogonal exchange bias directions for the two sensors, they can be integrated more easily. Flux guides can also be used to concentrate the field for writing MRAM cells, and hence reduce write current.
(FR)L'invention concerne un capteur magnétique comportant un élément détecteur magnétorésistif (210) muni de couches en matériau magnétique et un ou plusieurs guides de flux magnétique (120) destinés à concentrer le champ magnétique sur l'élément détecteur, ledit ou lesdits guides comprenant une partie d'une ou de plusieurs des mêmes couches mises en oeuvre dans ledit élément détecteur. Le fait d'utiliser la même ou les mêmes couches pour ledit guide permet de les former lors de la même étape que la couche correspondante de l'élément détecteur. De tels capteurs peuvent s'intégrer dans des puces de mémoire vive magnétique (MEVM). Ces guides de flux peuvent s'utiliser pour assurer une rotation différente du champ pour chacun des deux éléments détecteurs parallèles en vue de permettre l'obtention de capteurs de champ magnétique 2D. Puisqu'il n'est désormais plus nécessaire de disposer de directions orthogonales de polarisation d'échange pour les deux capteurs, leur intégration s'en trouve facilitée. Ces guides de flux peuvent également s'utiliser pour concentrer le champ magnétique lors de l'écriture en mémoire dans les cellules MEVM, et par la même réduire le courant d'écriture.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)