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1. (WO2005062363) PROCEDE DE GRAVURE DE SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/2005/062363 N° de la demande internationale : PCT/SG2003/000290
Date de publication : 07.07.2005 Date de dépôt international : 23.12.2003
CIB :
H01L 21/311 (2006.01) ,H01L 21/8238 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30
Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
31
pour former des couches isolantes en surface, p.ex. pour masquer ou en utilisant des techniques photolithographiques; Post-traitement de ces couches; Emploi de matériaux spécifiés pour ces couches
3105
Post-traitement
311
Gravure des couches isolantes
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
77
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun
78
avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels
82
pour produire des dispositifs, p.ex. des circuits intégrés, consistant chacun en une pluralité de composants
822
le substrat étant un semi-conducteur, en utilisant une technologie au silicium
8232
Technologie à effet de champ
8234
Technologie MIS
8238
Transistors à effet de champ complémentaires, p.ex. CMOS
Déposants :
SYSTEMS ON SILICON MANUFACTURING CO. PTE. LTD. [SG/SG]; 70 Pasir Ris Drive 1 Singapore 519527, SG (AllExceptUS)
NG, Khim, Hong [SG/SG]; SG (UsOnly)
PONG, Chin, Ling [SG/SG]; SG (UsOnly)
Inventeurs :
NG, Khim, Hong; SG
PONG, Chin, Ling; SG
Mandataire :
ELLA CHEONG MIRANDAH & SPRUSONS PTE LTD; P.O. Box 1531 Robinson Road Post Office Singapore 903031, SG
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) METHOD OF ETCHING A SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) PROCEDE DE GRAVURE DE SEMI-CONDUCTEUR
Abrégé :
(EN) A method for etching windows (40) in a semiconductor device (10) having a metal fuse (14) embedded therein is disclosed. The method is for allowing accurate fuse blowing, in particular laser fuse blowing. The method involves the controlled removal of layers having different phase diffraction characteristics. After treatment, the remaining area between the metal fuse (14) and the etched surface of the semiconductor has substantially uniform phase diffraction characteristics.
(FR) L'invention concerne un procédé de gravure de fenêtres (40) dans un dispositif à semi-conducteurs (10) dans lequel un fusible métallique(14) est incorporé. Ledit procédé permet de griller ledit fusible de manière précise, et en particulier, de griller un fusible laser. Ce procédé implique le retrait contrôlé de couches possédant des caractéristiques de diffraction de phase différentes. Après traitement, la zone restante entre le fusible métallique (14) et la surface gravée du semi-conducteur présente des caractéristiques de diffraction de phase sensiblement uniformes.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : Anglais (EN)
Langue de dépôt : Anglais (EN)
Également publié sous:
US20050233515AU2003285846