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1. (WO2005047944) GUIDE D'ONDES OPTIQUE D'OXYNITRURE DE SILICIUM A FAIBLES PERTES, SON PROCEDE DE FABRICATION ET CELUI D'UN DISPOSITIF OPTIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2005/047944    N° de la demande internationale :    PCT/EP2004/052913
Date de publication : 26.05.2005 Date de dépôt international : 10.11.2004
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    09.09.2005    
CIB :
C03C 3/04 (2006.01), C03C 17/34 (2006.01)
Déposants : IGNIS TECHNOLOGIES AS [NO/NO]; Kongeveien 77, N-3192 Horten (NO) (Tous Sauf US).
MATTSSON, Kent, Erik [DK/DK]; (DK) (US Seulement).
NIELSEN, Lars, Pleth [DK/DK]; (DK) (US Seulement)
Inventeurs : MATTSSON, Kent, Erik; (DK).
NIELSEN, Lars, Pleth; (DK)
Données relatives à la priorité :
PA 2003 01686 12.11.2003 DK
Titre (EN) A LOW LOSS SILICON OXYNITRIDE OPTICAL WAVEGUIDE, A METHOD OF ITS MANUFACTURE AND AN OPTICAL DEVICE
(FR) GUIDE D'ONDES OPTIQUE D'OXYNITRURE DE SILICIUM A FAIBLES PERTES, SON PROCEDE DE FABRICATION ET CELUI D'UN DISPOSITIF OPTIQUE
Abrégé : front page image
(EN)The invention relates to an optical waveguide for guiding light in a predefined wavelength range, the optical waveguide comprising core and cladding regions for confining light, the core and/or cladding region or regions being formed on a substrate and comprising material of the stoichiometric composition SiaOXNyXzHv. The invention further relates to a method of manufacturing an optical waveguide, an optical waveguide obtainable by the method and an optical device comprising such a waveguide. The object of the present invention is to provide an optical waveguide with low optical loss due to a reduced hydrogen bond-originated absorption. The problem is solved in that X is selected from the group of elements B, AI, P, S, As, Sb and combinations thereof, and the ratio y/z is larger than 1. This has the advantage that a low optical absorption in the waveguide may be achieved, possibly over a broad wavelength range. Further, a relatively low annealing temperature may be used yielding a relatively low induced strain whereby a low birefringence may be achieved. The optical waveguide may e.g. be manufactured by PECVD, which is ideal for the further processing of low loss waveguides. Waveguides according to the invention show superior transmission characterized with losses below 0.05 dB/cm between 900 nm and 1600 nm. In particular the absorption due to the second overtone of the Si:N-H vibration may be lowered to a value below the detection level. The invention may e.g. be used for the optical communications systems, in particular for branching components (e.g. splitters) and components for wavelength division multiplexing (WDM) systems, e.g. telecommunication systems, fibre-to-the-home, etc.
(FR)L'invention porte sur un guide d'ondes optique guidant la lumière dans une plage prédéterminée de longueurs d'onde, et comportant un coeur et une ou des gaines confinant la lumière, formés sur un substrat et faits d'un matériau SiaOXNyXzHv de composition stoichiométrique. L'invention porte également sur un procédé de fabrication d'un guide d'ondes optique, sur un guide d'ondes optique obtenu par le procédé et sur un dispositif optique comportant un tel guide d'ondes. L'objet de l'invention est d'obtenir un guide d'ondes optique où les pertes optiques dues à une absorption réduite provenant des liaisons hydrogène sont moindres. On solutionne le problème en sélectionnant X parmi les éléments B, AI, P, S, As, Sb et leur combinaison et en choisissant le rapport y/z supérieur à l'unité. On peut ainsi atteindre une faible absorption optique, éventuellement sur une large plage de longueurs d'onde. On peut par ailleurs choisir une basse température de recuit réduisant les contraintes induites et portant la biréfringence à un niveau peu élevé. On peut par exemple utiliser pour obtenir le guide d'ondes optique la PECVD (dépôt chimique en phase vapeur activé par plasma) idéale pour le traitement ultérieur des guides d'ondes à faibles pertes. Les guides d'ondes de l'invention présentent des caractéristiques élevées de transmission et des pertes inférieures à 0,05 dB/cm entre 900 nm et 1600 nm, et en particulier l'absorption due au deuxième harmonique de la vibration Si:N-H peut être abaissé à une valeur inférieure au seuil de détection. L'invention peut par exemple servir dans des systèmes de communications optiques en particulier pour des composants de branchement (par exemple des diviseurs), et des composants de systèmes de multiplexage par division de longueur d'onde (WDM) de systèmes de télécommunications, fibres optiques domestiques, etc.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)