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1. (WO2005045896) DISPOSITIF DE JONCTION HAUTE TENSION LATERAL
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2005/045896 N° de la demande internationale : PCT/US2004/035613
Date de publication : 19.05.2005 Date de dépôt international : 27.10.2004
CIB :
H01L 31/119 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31
Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
08
dans lesquels le rayonnement commande le flux de courant à travers le dispositif, p.ex. photo-résistances
10
caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. photo-transistors
115
Dispositifs sensibles au rayonnement d'ondes très courtes, p.ex. rayons X, rayons gamma ou rayonnement corpusculaire
119
caractérisés par un fonctionnement par effet de champ, p.ex. détecteurs du type MIS
Déposants : LATTICE SEMICONDUCTOR CORPORATION[US/US]; 5555 NE Moore Ct Hillsboro, Oregon 97124, US (AllExceptUS)
Inventeurs : LOGIE, Stewart; US
Mandataire : BECKER, Mark; Lattice Semiconductor Corporation 5555 NE Moore Ct. Hillsboro, Oregon 97124, US
Données relatives à la priorité :
10/699,32131.10.2003US
Titre (EN) LATERAL HIGH-VOLTAGE JUNCTION DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE JONCTION HAUTE TENSION LATERAL
Abrégé :
(EN) A lateral high-voltage junction device (32) for over-voltage protection of an MOS circuit includes a substrate (38) having a first junction region (50) separated from a second junction region (52) by a substrate region. An MOS gate electrode (42) overlies the substrate region and is separated therefrom by a gate dielectric layer (44). Sidewall spacers (46) reside adjacent to opposing sides of the MOS gate electrode and overlie the substrate region. The substrate region is defined by a junction-free semiconductor region between the first and second junction regions. An input protection circuit (89) employs the lateral high-voltage junction device to transfer voltage transients to a ground node (94).
(FR) L'invention concerne un dispositif de jonction haute tension latéral destiné à protéger un circuit MOS contre les surtensions, comprenant un substrat comportant une première zone de jonction séparée d'une seconde zone de jonction par une zone substrat. Une électrode de grille MOS recouvre la zone substrat et est séparée de cette dernière par une couche diélectrique de grille. Des séparateurs de paroi latérale situés à proximité des côtés opposés de l'électrode de grille MOS recouvrent la zone substrat. Cette zone substrat est définie par une zone semi-conductrice sans jonctions située entre la première et la seconde zone de jonction. Un circuit de protection d'entrée utilise le dispositif de jonction haute tension latéral pour transférer les tensions transitoires vers un noeud de masse.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)