A process for producing a single crystal, comprising encircling with straightening pipe (4) single crystal (3) having been pulled up from raw material melt (2) while effecting downflow of an inert gas in chamber (1) of single crystal pullup apparatus (11) according to the Czochralski method, characterized in that at the pullup of single crystal of N region outside OSF region occurring in ring form in the direction of diameter of the single crystal, the single crystal of N region is pulled up under conditions such that providing that D(mm) refers to the diameter of single crystal pulled up, the flow rate of inert gas in the interstice between the single crystal and the straightening pipe is 0.6D(L/min) or higher and such that the pressure within the chamber is 0.6D(hPa) or below. It is preferred that as the straightening pipe, use be made of one whose Fe concentration in at least surface portion is 0.05 ppm or less. Thus, there is provided a process for producing a single crystal wherein in the production of a single crystal by the use of an apparatus fitted with straightening pipe according to the CZ method, there can be realized low defect occurrence and suppression of Fe concentration even in circumferential portion to 1×10¹⁰ atoms/cm³ or below.

L'invention concerne un procédé permettant de produire un monocristal, selon lequel il est prévu d'encercler, avec un tube de dressage, un monocristal (3) formé à partir de matière première fondue (2), tout en procédant à une circulation descendante d'un gaz inerte dans la chambre (1) du dispositif de formation du monocristal (11), selon la méthode du tirage de Czochralski, qui se caractérise en ce qu'au moment de la formation du monocristal de la région N en dehors de la région OSF se présentant sous forme annulaire en direction du diamètre du monocristal, ledit monocristal de la région N est formé dans des conditions faisant que D(mm) se rapporte au diamètre du monocristal formé, le débit du gaz inerte dans l'interstice entre le monocristal et le tube de dressage est de 0,6D(L/mn) ou plus et que la pression régnant dans la chambre est de 0,6D(hPa) ou moins. Il est préférable d'utiliser comme tube de dressage, un tube de dressage dont la concentration en Fe soit, au moins dans la partie superficielle, de 0,05 ppm ou moins. L'invention permet ainsi d'obtenir un procédé de production de monocristal, selon lequel dans le cadre de la production d'un monocristal au moyen d'un dispositif équipé d'un tube de dressage selon la méthode de tirage de Czochralski, il est possible de parvenir à un taux réduit de défauts et à la suppression de la concentration en Fe, y compris dans la partie circonférentielle, de l'ordre 1X10¹⁰ atomes/cm³ ou moins.

　チョクラルスキー法により、単結晶引上げ装置１１のチャンバ１内に不活性ガスを流下させるとともに、原料融液２から引上げた単結晶３を整流筒４で取り囲んで単結晶を製造する方法において、単結晶の径方向にリング状に発生するＯＳＦ領域の外側のＮ領域の単結晶を引上げる際、引上げる単結晶の直径をＤ（ｍｍ）としたとき、該単結晶と前記整流筒との間の不活性ガスの流量を０．６Ｄ（Ｌ／ｍｉｎ）以上とし、かつ前記チャンバ内の圧力を０．６Ｄ（ｈＰａ）以下とする条件で前記Ｎ領域の単結晶を引上げることを特徴とする単結晶の製造方法。整流筒として、少なくとも表面のＦｅ濃度が０．０５ｐｐｍ以下のものを用いることが好ましい。これにより、ＣＺ法により整流筒を備えた装置により単結晶を製造する場合に、低欠陥であって、かつ、外周部においてもＦｅ濃度を１×１０^１０ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下に抑えることができる単結晶の製造方法が提供される。