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1. WO2005019506 - PROCEDE DE PRODUCTION DE MONOCRISTAL ET PLAQUETTE DE SILICIUM MICROCRISTALLIN

Numéro de publication WO/2005/019506
Date de publication 03.03.2005
N° de la demande internationale PCT/JP2004/011685
Date du dépôt international 13.08.2004
CIB
C30B 15/20 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
30CROISSANCE DES CRISTAUX
BCROISSANCE DES MONOCRISTAUX; SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE; PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; APPAREILLAGES À CET EFFET
15Croissance des monocristaux par tirage hors d'un bain fondu, p.ex. méthode de Czochralski
20Commande ou régulation
C30B 29/06 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
30CROISSANCE DES CRISTAUX
BCROISSANCE DES MONOCRISTAUX; SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE; PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; APPAREILLAGES À CET EFFET
29Monocristaux ou matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée caractérisés par leurs matériaux ou par leur forme
02Eléments
06Silicium
CPC
C30B 15/20
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
15Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
20Controlling or regulating
C30B 29/06
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
29Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
02Elements
06Silicon
Y10T 117/1068
YSECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
117Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
10Apparatus
1024for crystallization from liquid or supercritical state
1032Seed pulling
1068including heating or cooling details [e.g., shield configuration]
Déposants
  • 信越半導体株式会社 SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD. [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • 布施川 泉 FUSEGAWA, Izumi [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 三田村 伸晃 MITAMURA, Nobuaki [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 柳町 隆弘 YANAGIMACHI, Takahiro [JP]/[JP] (UsOnly)
Inventeurs
  • 布施川 泉 FUSEGAWA, Izumi
  • 三田村 伸晃 MITAMURA, Nobuaki
  • 柳町 隆弘 YANAGIMACHI, Takahiro
Mandataires
  • 好宮 幹夫 YOSHIMIYA, Mikio
Données relatives à la priorité
2003-29683720.08.2003JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) PROCESS FOR PRODUCING SINGLE CRYSTAL AND SILICON SINGLE CRYSTAL WAFER
(FR) PROCEDE DE PRODUCTION DE MONOCRISTAL ET PLAQUETTE DE SILICIUM MICROCRISTALLIN
(JA) 単結晶の製造方法及びシリコン単結晶ウエーハ
Abrégé
(EN)
A process for producing a single crystal, comprising encircling with straightening pipe (4) single crystal (3) having been pulled up from raw material melt (2) while effecting downflow of an inert gas in chamber (1) of single crystal pullup apparatus (11) according to the Czochralski method, characterized in that at the pullup of single crystal of N region outside OSF region occurring in ring form in the direction of diameter of the single crystal, the single crystal of N region is pulled up under conditions such that providing that D(mm) refers to the diameter of single crystal pulled up, the flow rate of inert gas in the interstice between the single crystal and the straightening pipe is 0.6D(L/min) or higher and such that the pressure within the chamber is 0.6D(hPa) or below. It is preferred that as the straightening pipe, use be made of one whose Fe concentration in at least surface portion is 0.05 ppm or less. Thus, there is provided a process for producing a single crystal wherein in the production of a single crystal by the use of an apparatus fitted with straightening pipe according to the CZ method, there can be realized low defect occurrence and suppression of Fe concentration even in circumferential portion to 1×1010 atoms/cm3 or below.
(FR)
L'invention concerne un procédé permettant de produire un monocristal, selon lequel il est prévu d'encercler, avec un tube de dressage, un monocristal (3) formé à partir de matière première fondue (2), tout en procédant à une circulation descendante d'un gaz inerte dans la chambre (1) du dispositif de formation du monocristal (11), selon la méthode du tirage de Czochralski, qui se caractérise en ce qu'au moment de la formation du monocristal de la région N en dehors de la région OSF se présentant sous forme annulaire en direction du diamètre du monocristal, ledit monocristal de la région N est formé dans des conditions faisant que D(mm) se rapporte au diamètre du monocristal formé, le débit du gaz inerte dans l'interstice entre le monocristal et le tube de dressage est de 0,6D(L/mn) ou plus et que la pression régnant dans la chambre est de 0,6D(hPa) ou moins. Il est préférable d'utiliser comme tube de dressage, un tube de dressage dont la concentration en Fe soit, au moins dans la partie superficielle, de 0,05 ppm ou moins. L'invention permet ainsi d'obtenir un procédé de production de monocristal, selon lequel dans le cadre de la production d'un monocristal au moyen d'un dispositif équipé d'un tube de dressage selon la méthode de tirage de Czochralski, il est possible de parvenir à un taux réduit de défauts et à la suppression de la concentration en Fe, y compris dans la partie circonférentielle, de l'ordre 1X1010 atomes/cm3 ou moins.
(JA)
 チョクラルスキー法により、単結晶引上げ装置11のチャンバ1内に不活性ガスを流下させるとともに、原料融液2から引上げた単結晶3を整流筒4で取り囲んで単結晶を製造する方法において、単結晶の径方向にリング状に発生するOSF領域の外側のN領域の単結晶を引上げる際、引上げる単結晶の直径をD(mm)としたとき、該単結晶と前記整流筒との間の不活性ガスの流量を0.6D(L/min)以上とし、かつ前記チャンバ内の圧力を0.6D(hPa)以下とする条件で前記N領域の単結晶を引上げることを特徴とする単結晶の製造方法。整流筒として、少なくとも表面のFe濃度が0.05ppm以下のものを用いることが好ましい。これにより、CZ法により整流筒を備えた装置により単結晶を製造する場合に、低欠陥であって、かつ、外周部においてもFe濃度を1×1010atoms/cm以下に抑えることができる単結晶の製造方法が提供される。
Également publié en tant que
US2006236919
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