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1. (WO2005017230) PROCEDE ET SOLUTION D'ATTAQUE CHIMIQUE POUR COUCHE CONTENANT DU TITANE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2005/017230    N° de la demande internationale :    PCT/JP2004/011336
Date de publication : 24.02.2005 Date de dépôt international : 06.08.2004
CIB :
H01L 21/3213 (2006.01)
Déposants : MITSUBISHI CHEMICAL CORPORATION [JP/JP]; 33-8, Shiba 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1080014 (JP) (Tous Sauf US).
ISHIKAWA, Makoto [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KAWASE, Yasuhiro [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
SAITOU, Noriyuki [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : ISHIKAWA, Makoto; (JP).
KAWASE, Yasuhiro; (JP).
SAITOU, Noriyuki; (JP)
Mandataire : OKADA, Kazuhiko; Okada & Associates, 6F, Kudan Kangyo Bldg., 10-1, Kudan-Kita 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1020073 (JP)
Données relatives à la priorité :
2003-295380 19.08.2003 JP
2003-415205 12.12.2003 JP
Titre (EN) ETCHING SOLUTION FOR TITANIUM-CONTAINING LAYER AND METHOD FOR ETCHING TITANIUM-CONTAINING LAYER
(FR) PROCEDE ET SOLUTION D'ATTAQUE CHIMIQUE POUR COUCHE CONTENANT DU TITANE
(JA) チタン含有層用エッチング液およびチタン含有層のエッチング方法
Abrégé : front page image
(EN)A titanium-containing layer which is formed on a silicon substrate or a silicate glass substrate and mainly contains one or more substances selected from the group consisting of titanium, titanium oxides, titanium nitrides and titanium oxynitrides is selectively etched at a high etching rate without eroding the substrate. Disclosed is an etching solution for etching a titanium-containing layer which is formed on a silicon substrate or a silicate glass substrate and mainly contains one or more substances selected from the group consisting of titanium, titanium oxides, titanium nitrides and titanium oxynitrides. This etching solution contains a silicofluoric acid. Also disclosed is a method for etching a titanium-containing layer formed on a silicon substrate or a silicate glass substrate using such an etching solution. The silicofluoric acid is a substance produced through a reaction between a hydrofluoric acid and silicon or a silicon oxide. While the silicofluoric acid is inactive against silicon or silicate glasses, it exhibits sufficient etching performance for titanium, titanium oxides, titanium nitrides and titanium oxynitrides. Consequently, the etching solution shows sufficient selectivity in etching of a titanium-containing layer formed on a silicon substrate or a silicate glass substrate.
(FR)L'invention porte sur une couche contenant du titane formée sur un substrat de silicium ou sur un substrat de verre de silicate, cette couche contenant principalement une ou plusieurs substances sélectionnées dans le groupe comprenant du titane, des oxydes de titane, des nitrures de titane et des oxynitrures de titane. Cette couche contenant du titane est attaquée chimiquement de manière sélective à vitesse élevée sans éroder le substrat. L'invention porte également sur une solution permettant d'attaquer chimiquement une couche contenant du titane formée sur un substrat de silicium ou sur un substrat de verre de silicate et contenant principalement une ou plusieurs substances sélectionnées dans le groupe contenant du titane, des oxydes de titane, des nitrures de titane et des oxynitrures de titane. Cette solution d'attaque chimique contient un acide fluorosilicique. L'invention porte notamment sur un procédé d'attaque chimique d'une couche contenant du titane formée sur un substrat de silicium ou sur un substrat de verre de silicate, ce procédé utilisant la solution d'attaque chimique. L'acide fluorosilicique est une substance produite par une réaction entre un acide fluorhydrique et un silicium ou un oxyde de silicium. Lorsque l'acide fluorosilicique n'agit pas sur le silicium ou des verres de silicate, il présente par contre une performance d'attaque chimique suffisante pour le titane, les oxydes de titane, le nitrure de titane et les oxynitrures de titane. En conséquence, la solution d'attaque chimique est suffisamment sélective pour attaquer chimiquement une couche contenant du titane formée sur un substrat de silicium ou sur un substrat de verre de silicate.
(JA) シリコン基板または珪酸系ガラス基板上に形成された、チタン、チタン酸化物、チタン窒化物およびチタン酸窒化物よりなる群から選ばれる1種または2種以上を主成分とするチタン含有層を、速いエッチング速度で、しかも、基板を侵すことなく選択的にエッチングする。  シリコン基板または珪酸系ガラス基板上に形成された、チタン、チタン酸化物、チタン窒化物およびチタン酸窒化物よりなる群から選ばれる1種または2種以上を主成分とするチタン含有層をエッチングするためのエッチング液であって、珪フッ化水素酸を含有するチタン含有層用エッチング液。このエッチング液を用いて、シリコン基板または珪酸系ガラス基板上のチタン含有層をエッチングするエッチング方法。珪フッ化水素酸はフッ酸と珪素または酸化珪素との反応で生成する物質であって、シリコン又は珪酸系ガラスに対しては不活性であるが、チタン、チタン酸化物、チタン窒化物またはチタン酸窒化物に対しては十分なエッチング性能を持ち、シリコン基板または珪酸系ガラス基板上のチタン含有層のエッチングに関して、十分な選択性を有する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)