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1. WO2005017230 - PROCEDE ET SOLUTION D'ATTAQUE CHIMIQUE POUR COUCHE CONTENANT DU TITANE

Numéro de publication WO/2005/017230
Date de publication 24.02.2005
N° de la demande internationale PCT/JP2004/011336
Date du dépôt international 06.08.2004
CIB
H01L 21/3213 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
31pour former des couches isolantes en surface, p.ex. pour masquer ou en utilisant des techniques photolithographiques; Post-traitement de ces couches; Emploi de matériaux spécifiés pour ces couches
3205Dépôt de couches non isolantes, p.ex. conductrices ou résistives, sur des couches isolantes; Post-traitement de ces couches
321Post-traitement
3213Gravure physique ou chimique des couches, p.ex. pour produire une couche avec une configuration donnée à partir d'une couche étendue déposée au préalable
CPC
C03C 17/2456
CCHEMISTRY; METALLURGY
03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
17Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
22with other inorganic material
23Oxides
245by deposition from the vapour phase
2456Coating containing TiO2
C03C 17/256
CCHEMISTRY; METALLURGY
03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
17Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
22with other inorganic material
23Oxides
25by deposition from the liquid phase
256Coating containing TiO2
C03C 2217/212
CCHEMISTRY; METALLURGY
03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
2217Coatings on glass
20Materials for coating a single layer on glass
21Oxides
212TiO2
C03C 2218/33
CCHEMISTRY; METALLURGY
03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
2218Methods for coating glass
30Aspects of methods for coating glass not covered above
32After-treatment
328Partly or completely removing a coating
33by etching
C09K 13/08
CCHEMISTRY; METALLURGY
09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
13Etching, surface-brightening or pickling compositions
04containing an inorganic acid
08containing a fluorine compound
C23F 1/26
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
FNON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE
1Etching metallic material by chemical means
10Etching compositions
14Aqueous compositions
16Acidic compositions
26for etching refractory metals
Déposants
  • 三菱化学株式会社 MITSUBISHI CHEMICAL CORPORATION [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • 石川 誠 ISHIKAWA, Makoto [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 河瀬 康弘 KAWASE, Yasuhiro [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 斉藤 範之 SAITOU, Noriyuki [JP]/[JP] (UsOnly)
Inventeurs
  • 石川 誠 ISHIKAWA, Makoto
  • 河瀬 康弘 KAWASE, Yasuhiro
  • 斉藤 範之 SAITOU, Noriyuki
Mandataires
  • 岡田 数彦 OKADA, Kazuhiko
Données relatives à la priorité
2003-29538019.08.2003JP
2003-41520512.12.2003JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) ETCHING SOLUTION FOR TITANIUM-CONTAINING LAYER AND METHOD FOR ETCHING TITANIUM-CONTAINING LAYER
(FR) PROCEDE ET SOLUTION D'ATTAQUE CHIMIQUE POUR COUCHE CONTENANT DU TITANE
(JA) チタン含有層用エッチング液およびチタン含有層のエッチング方法
Abrégé
(EN)
A titanium-containing layer which is formed on a silicon substrate or a silicate glass substrate and mainly contains one or more substances selected from the group consisting of titanium, titanium oxides, titanium nitrides and titanium oxynitrides is selectively etched at a high etching rate without eroding the substrate. Disclosed is an etching solution for etching a titanium-containing layer which is formed on a silicon substrate or a silicate glass substrate and mainly contains one or more substances selected from the group consisting of titanium, titanium oxides, titanium nitrides and titanium oxynitrides. This etching solution contains a silicofluoric acid. Also disclosed is a method for etching a titanium-containing layer formed on a silicon substrate or a silicate glass substrate using such an etching solution. The silicofluoric acid is a substance produced through a reaction between a hydrofluoric acid and silicon or a silicon oxide. While the silicofluoric acid is inactive against silicon or silicate glasses, it exhibits sufficient etching performance for titanium, titanium oxides, titanium nitrides and titanium oxynitrides. Consequently, the etching solution shows sufficient selectivity in etching of a titanium-containing layer formed on a silicon substrate or a silicate glass substrate.
(FR)
L'invention porte sur une couche contenant du titane formée sur un substrat de silicium ou sur un substrat de verre de silicate, cette couche contenant principalement une ou plusieurs substances sélectionnées dans le groupe comprenant du titane, des oxydes de titane, des nitrures de titane et des oxynitrures de titane. Cette couche contenant du titane est attaquée chimiquement de manière sélective à vitesse élevée sans éroder le substrat. L'invention porte également sur une solution permettant d'attaquer chimiquement une couche contenant du titane formée sur un substrat de silicium ou sur un substrat de verre de silicate et contenant principalement une ou plusieurs substances sélectionnées dans le groupe contenant du titane, des oxydes de titane, des nitrures de titane et des oxynitrures de titane. Cette solution d'attaque chimique contient un acide fluorosilicique. L'invention porte notamment sur un procédé d'attaque chimique d'une couche contenant du titane formée sur un substrat de silicium ou sur un substrat de verre de silicate, ce procédé utilisant la solution d'attaque chimique. L'acide fluorosilicique est une substance produite par une réaction entre un acide fluorhydrique et un silicium ou un oxyde de silicium. Lorsque l'acide fluorosilicique n'agit pas sur le silicium ou des verres de silicate, il présente par contre une performance d'attaque chimique suffisante pour le titane, les oxydes de titane, le nitrure de titane et les oxynitrures de titane. En conséquence, la solution d'attaque chimique est suffisamment sélective pour attaquer chimiquement une couche contenant du titane formée sur un substrat de silicium ou sur un substrat de verre de silicate.
(JA)
 シリコン基板または珪酸系ガラス基板上に形成された、チタン、チタン酸化物、チタン窒化物およびチタン酸窒化物よりなる群から選ばれる1種または2種以上を主成分とするチタン含有層を、速いエッチング速度で、しかも、基板を侵すことなく選択的にエッチングする。  シリコン基板または珪酸系ガラス基板上に形成された、チタン、チタン酸化物、チタン窒化物およびチタン酸窒化物よりなる群から選ばれる1種または2種以上を主成分とするチタン含有層をエッチングするためのエッチング液であって、珪フッ化水素酸を含有するチタン含有層用エッチング液。このエッチング液を用いて、シリコン基板または珪酸系ガラス基板上のチタン含有層をエッチングするエッチング方法。珪フッ化水素酸はフッ酸と珪素または酸化珪素との反応で生成する物質であって、シリコン又は珪酸系ガラスに対しては不活性であるが、チタン、チタン酸化物、チタン窒化物またはチタン酸窒化物に対しては十分なエッチング性能を持ち、シリコン基板または珪酸系ガラス基板上のチタン含有層のエッチングに関して、十分な選択性を有する。
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