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1. WO2005015609 - SIXSNYGE1- X-Y ET HETEROSTRUCTURES D'ALLIAGE ASSOCIEES A BASE DE SI, DE GE ET DE SN

Numéro de publication WO/2005/015609
Date de publication 17.02.2005
N° de la demande internationale PCT/US2004/018969
Date du dépôt international 14.06.2004
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 12.04.2005
CIB
H01L 21/02 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
H01L 29/06 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
02Corps semi-conducteurs
06caractérisés par leur forme; caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
H01L 31/00 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
H01L 31/06 2012.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
04adaptés comme dispositifs de conversion photovoltaïque
06caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
CPC
C23C 16/22
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
16Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
22characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
C30B 25/02
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
25Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
02Epitaxial-layer growth
C30B 29/08
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
29Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
02Elements
08Germanium
C30B 29/52
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
29Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
10Inorganic compounds or compositions
52Alloys
H01L 21/2252
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
22Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; ; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities
225using diffusion into or out of a solid from or into a solid phase, e.g. a doped oxide layer
2251Diffusion into or out of group IV semiconductors
2252using predeposition of impurities into the semiconductor surface, e.g. from a gaseous phase
Déposants
  • ARIZONA BOARD OF REGENTS, acting for and on behalf of ARIZONA STATE UNIVERSITY [US]/[US] (AllExceptUS)
  • KOUVETAKIS, John [US]/[US] (UsOnly)
  • BAUER, Matthew [US]/[US] (UsOnly)
  • TOLLE, John [US]/[US] (UsOnly)
Inventeurs
  • KOUVETAKIS, John
  • BAUER, Matthew
  • TOLLE, John
Mandataires
  • ONEY, Richard, E.
Données relatives à la priorité
60/478,48013.06.2003US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) SIXSNYGE1-X-Y AND RELATED ALLOY HETEROSTRUCTURES BASED ON SI, GE AND SN
(FR) SIXSNYGE1- X-Y ET HETEROSTRUCTURES D'ALLIAGE ASSOCIEES A BASE DE SI, DE GE ET DE SN
Abrégé
(EN)
A novel method for synthesizing device-quality alloys and ordered phases in a Si-Ge-Sn system uses a UHV-CVD process and reactions of SnD4 with SiH3GeH3. Using the method, single-phase SixSnyGe1-x-y semiconductors (x ≤ 0.25, y ≤ 0.11) are grown on Si via Ge1-xSnx buffer layers The Ge1-xSnx buffer layers facilitate heteroepitaxial growth of the SixSnyGe1-x-y films and act as compliant templates that can conform structurally and absorb the differential strain imposed by the more rigid Si and Si-Ge-Sn materials. The SiH3GeH3 species was prepared using a new and high yield method that provided high purity semiconductor grade material.
(FR)
L'invention concerne un nouveau procédé destiné à synthétiser des alliages de qualité d'appareil et des phases ordonnées dans un système Si-Ge-Sn, et faisant appel à un procédé UHV-CVD et à des réactions de SnD4 avec SiH3GeH3. Ce procédé permet de développer des semi-conducteurs de SixSnyGe1-x-y monophasés (x ≤ 0,25, y ≤ 0,11) sur du Si par l'intermédiaire de couches tampons de Ge1-xSnx. Les couches tampons de Ge1-xSnx facilitent la croissance épitaxiale des films de SixSnyGe1-x-y et agissent comme matrices souples pouvant s'adapter structuralement aux matériaux de Si et de Si-Ge-Sn plus rigides et absorber la contrainte différentielle imposée par ceux-ci. L'espèce SiH3GeH3 est préparée au moyen d'un nouveau procédé à rendement élevé fournissant un matériau de qualité électronique à pureté élevée.
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