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1. (WO2005009905) MATIERES DE TYPE PEROVSKITE STRATIFIEES MAGNETO-ELECTRIQUES, ET DISPOSITIFS ELECTRONIQUES CONTENANT UNE TELLE MATIERE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2005/009905    N° de la demande internationale :    PCT/KR2004/001898
Date de publication : 03.02.2005 Date de dépôt international : 28.07.2004
CIB :
C01G 23/04 (2006.01)
Déposants : Research Institute of Industrial Science & Technology [KR/KR]; San 32, Hyoja-dong Nam-ku, Pohang Kyungsangbook-do 790-330 (KR) (Tous Sauf US).
POSTECH FOUNDATION [KR/KR]; San 31, Hyoja-dong Nam-ku, Pohang Kyungsangbook-do 790-784 (KR) (Tous Sauf US).
CHON, Uong [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
JANG, Hyun-Myung [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
PARK, Il-Woo [KR/KR]; (KR)
Inventeurs : CHON, Uong; (KR).
JANG, Hyun-Myung; (KR).
PARK, Il-Woo; (KR)
Mandataire : C & S PATENT AND LAW OFFICE; C-2306 Daelim Acrotel, 467-6 Dogok-dong Kangnam-gu, Seoul 135-971 (KR)
Données relatives à la priorité :
10-2003-0052116 28.07.2003 KR
10-2003-0061553 03.09.2003 KR
Titre (EN) MAGNETOELECTRIC LAYERED-PEROVSKITE MATERIALS AND ELECTRONIC DEVICES COMPRISING THE PEROVSKITES MATERIALS
(FR) MATIERES DE TYPE PEROVSKITE STRATIFIEES MAGNETO-ELECTRIQUES, ET DISPOSITIFS ELECTRONIQUES CONTENANT UNE TELLE MATIERE
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed herein are the layered perovskites materials having magnetoelectric effects originated from large magnetic moment and ferroelectricity over room temperature. The layered perovskites material is represented by Formula 1 or 2 below: Bi4-xRxTi3O12 (1) Bi4-xRxTi3-yTyO 12 (2) wherein R is a lanthanide series element selected from the group consisting of Nd, Gd, Pr, Pm, Sm, Eu, Er, Tm, Tb, Yb, Dy, Ho, Er, Ce, and mixtures thereof; T is a transition element selected from the group consisting of Co, Ni, Fe, Mn, W, V, Nb, Mo, Ta, Zr and mixtures thereof; x is a number of from 0.1 to 4; and y is a number of from 0.001 to 3. Further disclosed are electronic devices comprising the perovskites materials. Since the perovskites materials have a magnetoelectric effects originated from large magnetic moment and ferroelectricity over room temperature, they can be utilized as various types of parts in electronic devices, including spintronic devices, information storage devices, magnetic-electric sensors, magnetic sensors, electric sensors, optoelectronic devices, microwave electronic devices, transducers, etc.
(FR)L'invention concerne des matières du type pérovskite stratifiées ayant un effet magnétoélectrique résultant d'un grand couple magnétique et d'une ferroélectricité à la température ambiante. Une telle matière du type pérovskite stratifiée correspond à la formule (1): Bi<sb>4-x</sb>R<sb>x</sb>Ti<sb>3</sb>O<sb>12</sb>, ou à la formule (2): Bi<sb>4-x</sb>R<sb>x</sb>Ti<sb>3-y</sb>TyO <sb>12</sb>. Dans ces formules: R représente un élément de la série des lanthanides sélectionnées dans le groupe constitué par Nd, Gd, Pr, Pm, Sm, Eu, Er, Tm, Tb, Yb, Dy, Ho, Er, Ce et des mélanges de ceux-ci; T est un élément de transition sélectionné dans le groupe constitué par Co, Ni, Fe, Mn, W, V, Nb, Mo, Ta, Zr et des mélanges de ceux-ci; x représente un nombre compris entre 0,1 et 4; et y représente un nombre compris entre 0,001 et 3. L'invention concerne également des dispositifs électroniques contenant une telle matière de type pérovskite. Etant donné que les matières du type pérovskite ont un effet magnétoélectrique résultant d'un grand couple magnétique et d'une ferroélectricité à la température ambiante, elles peuvent être utilisées pour constituer différents types de pièces dans des dispositifs électroniques, y compris des dispositifs spintroniques, des dispositifs de stockage d'informations, des capteurs magnétoélectriques, des capteurs magnétiques, des capteurs électriques, des dispositifs optoélectroniques, des dispositifs électroniques à hyperfréquences, des transducteurs, etc..
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)