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Paramétrages

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1. WO2005009089 - APPAREIL DE TRAITEMENT AU PLASMA

Numéro de publication WO/2005/009089
Date de publication 27.01.2005
N° de la demande internationale PCT/JP2004/010785
Date du dépôt international 22.07.2004
CIB
H01J 37/32 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
JTUBES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE OU LAMPES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE
37Tubes à décharge pourvus de moyens permettant l'introduction d'objets ou d'un matériau à exposer à la décharge, p.ex. pour y subir un examen ou un traitement
32Tubes à décharge en atmosphère gazeuse
H01L 21/00 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
H01L 21/683 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
67Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
683pour le maintien ou la préhension
H01L 21/687 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
67Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
683pour le maintien ou la préhension
687en utilisant des moyens mécaniques, p.ex. mandrins, pièces de serrage, pinces
CPC
H01J 37/32009
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
37Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
32Gas-filled discharge tubes, ; e.g. for surface treatment of objects such as coating, plating, etching, sterilising or bringing about chemical reactions
32009Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
H01J 37/32532
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
37Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
32Gas-filled discharge tubes, ; e.g. for surface treatment of objects such as coating, plating, etching, sterilising or bringing about chemical reactions
32431Constructional details of the reactor
32532Electrodes
H01J 37/32642
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
37Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
32Gas-filled discharge tubes, ; e.g. for surface treatment of objects such as coating, plating, etching, sterilising or bringing about chemical reactions
32431Constructional details of the reactor
32623Mechanical discharge control means
32642Focus rings
H01L 21/67069
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
67011Apparatus for manufacture or treatment
67017Apparatus for fluid treatment
67063for etching
67069for drying etching
H01L 21/67126
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
67011Apparatus for manufacture or treatment
67126Apparatus for sealing, encapsulating, glassing, decapsulating or the like
H01L 21/6831
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
683for supporting or gripping
6831using electrostatic chucks
Déposants
  • Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. [JP/JP]; 1006 Oaza Kadoma Kadoma-shi, Osaka 5718501, JP (AllExceptUS)
  • ARITA, Kiyoshi; null (UsOnly)
  • IWAI, Tetsuhiro; null (UsOnly)
  • NAKAGAWA, Akira; null (UsOnly)
Inventeurs
  • ARITA, Kiyoshi; null
  • IWAI, Tetsuhiro; null
  • NAKAGAWA, Akira; null
Mandataires
  • OGURI, Shohei ; Eikoh Patent Office 13th Floor ARK Mori Building 12-32 Akasaka 1-chome Minato-ku, Tokyo 1076013, JP
Données relatives à la priorité
2003-27807623.07.2003JP
2004-14999520.05.2004JP
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) PLASMA PROCESSING APPARATUS
(FR) APPAREIL DE TRAITEMENT AU PLASMA
Abrégé
(EN)
A plasma processing apparatus that performs an etching process for the face of a wafer opposite the circuit formation face, comprises ceramic insulating films (26, 27) having a ring shape are positioned on the mounting face (36) of an electrode member (3) in consonance with the outer edge of a large wafer (6A) or a small wafer (6B). When a large wafer is employed, a ring member (29) is attached. And when a small wafer is employed, a blocking member (9) is mounted to hide a gap between the insulating films deposited on the mounting face (3b) and to cover suction holes (3c). Further, a cover member (25) is attached to cover the blocking member from the top. With this arrangement, the plasma process can be performed, using the same electrode member, for wafers having different sizes.
(FR)
L'invention concerne un appareil de traitement au plasma permettant d'effectuer un procédé de gravure sur la face d'une plaquette opposée à la face de formation du circuit. Des films isolants céramique de forme annulaire sont placés sur la face de montage d'un élément électrode conformément à l'emplacement d'une grande plaquette ou d'une petite plaquette. Si l'on utilise une grande plaquette, un élément annulaire est attaché. Et si l'on utilise une petite plaquette, un élément bloquant est monté pour cacher un vide situé entre les films isolants déposés sur la face de montage 3b et pour couvrir les trous d'aspiration. En outre, un élément de recouvrement est attaché pour recouvrir l'élément bloquant. Cette conception permet de réaliser un procédé au plasma à l'aide du même élément électrode pour des plaquettes de différentes tailles.
Également publié en tant que
US2007095477
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