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Paramétrages

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1. WO2005008892 - COMMUTATEUR D'EXTREMITE SUPERIEURE N-FET DE FAIBLE PUISSANCE

Numéro de publication WO/2005/008892
Date de publication 27.01.2005
N° de la demande internationale PCT/US2004/021529
Date du dépôt international 01.07.2004
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 09.02.2005
CIB
H03K 17/06 2006.01
HÉLECTRICITÉ
03CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
KTECHNIQUE DE L'IMPULSION
17Commutation ou ouverture de porte électronique, c. à d. par d'autres moyens que la fermeture et l'ouverture de contacts
06Modifications pour assurer un état complètement conducteur
CPC
H03K 17/063
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
KPULSE TECHNIQUE
17Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
06Modifications for ensuring a fully conducting state
063in field-effect transistor switches
Déposants
  • QUALCOMM INCORPORATED [US/US]; 5775 Morehouse Drive San Diego, California 92121, US (AllExceptUS)
  • FAHIM, Amr [CA/US]; US (UsOnly)
Inventeurs
  • FAHIM, Amr; US
Mandataires
  • PATEL, Milan ; 5775 Morehouse Drive San Diego, CA 92121, US
Données relatives à la priorité
10/617,89710.07.2003US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) LOW-POWER N-FET HIGH-SIDE SWITCH
(FR) COMMUTATEUR D'EXTREMITE SUPERIEURE N-FET DE FAIBLE PUISSANCE
Abrégé
(EN)
An N-FET high-sideswitch (210) has improved performance (e.g., less leakage current, lower ON resistance, and smaller area) over a conventional P-FET high-sideswitch. The N-FET high-sideswitch (210) includes at least one N-FET device (212) and couples between a power supply (VDD) and a load circuit (220), which may be, e.g., a microprocessor, a digital signal processor, or a memory unit. The high-sideswitch (210) couples the power supply (VDD) to the load circuit (220) when the high-sideswitch (210) is enabled and cuts off the power supply (VDD) from the load circuit (220) when disabled. A charge pump (230) couples to the high-sideswitch (210) and provides a control signal (Vhs). This control signal (Vhs) is sufficiently high when the high-sideswitch (210) is enabled to ensure that the N-FET device (212) operates in a linear region and has a small drain to source voltage drop. The high-sideswitch (210) may be operated as a power switch or in a feedback configuration to implement a linear or a digital voltage regulator.
(FR)
Un commutateur d'extrémité supérieure N-FET (210) possède un rendement amélioré (par exemple, moins de courant de fuite, résistante à l'état passant plus faible, et encombrement réduit) par rapport à un commutateur d'extrémité supérieure P-FET classique. Le commutateur d'extrémité supérieure N-FET (210) comprend au moins un dispositif N-FET (212) et assure la connexion entre une alimentation (VDD) et un circuit de charge (220), celui-ci pouvant être un microprocesseur, un processeur de signaux numérique ou une mémoire. Le commutateur d'extrémité supérieure (210) assure la connexion entre l'alimentation (VDD) et le circuit de charge (220) lorsqu'il est activé, et coupe l'alimentation (VDD) du circuit de charge (220) lorsqu'il est désactivé. Une pompe de charge (230) couplée au commutateur d'extrémité supérieure (210) émet un signal de commande (Vhs). Ce signal de commande (Vhs) est suffisamment puissant lorsque le commutateur d'extrémité supérieure (210) est activé pour permettre au dispositif N-FET(212) de fonctionner dans une région linéaire et de ne subir qu'une faible chute de tension drain/source. De plus, ce commutateur d'extrémité supérieure (210) peut être exploité comme commutateur de puissance ou servir dans une configuration de rétroaction pour appliquer un régulateur de tension linéaire ou numérique.
Également publié en tant que
IN128/CHENP/2006
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