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Paramétrages

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1. WO2005008803 - COMPOSANT EN SEMI-CONDUCTEUR, ET SON PROCEDE DE PRODUCTION

Numéro de publication WO/2005/008803
Date de publication 27.01.2005
N° de la demande internationale PCT/DE2004/001515
Date du dépôt international 12.07.2004
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 18.04.2005
CIB
C23C 18/18 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
23REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
CREVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
18Revêtement chimique par décomposition soit de composés liquides, soit de solutions des composés constituant le revêtement, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement; Dépôt par contact
16par réduction ou par substitution, p.ex. dépôt sans courant électrique
18Pré-traitement du matériau à revêtir
H01L 51/30 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
51Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives
05spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances à l'état solide, ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
30Emploi de matériaux spécifiés
H01L 51/40 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
51Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives
05spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances à l'état solide, ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
40Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives
CPC
C23C 18/1851
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
18Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
16by reduction or substitution, e.g. electroless plating
18Pretreatment of the material to be coated
1851of surfaces of non-metallic or semiconducting in organic material
C23C 18/1858
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
18Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
16by reduction or substitution, e.g. electroless plating
18Pretreatment of the material to be coated
1851of surfaces of non-metallic or semiconducting in organic material
1855by mechanical pretreatment, e.g. grinding, sanding
1858by formation of electrostatic charges, e.g. tribofriction
H01L 51/0012
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
51Solid state devices using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of such devices, or of parts thereof
0001Processes specially adapted for the manufacture or treatment of devices or of parts thereof
0002Deposition of organic semiconductor materials on a substrate
0012special provisions for the orientation or alignment of the layer to be deposited
H01L 51/0052
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
51Solid state devices using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of such devices, or of parts thereof
0032Selection of organic semiconducting materials, e.g. organic light sensitive or organic light emitting materials
005Macromolecular systems with low molecular weight, e.g. cyanine dyes, coumarine dyes, tetrathiafulvalene
0052Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene
H01L 51/0075
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
51Solid state devices using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of such devices, or of parts thereof
0032Selection of organic semiconducting materials, e.g. organic light sensitive or organic light emitting materials
0075Langmuir Blodgett films
H01L 51/0545
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
51Solid state devices using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of such devices, or of parts thereof
05specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential- jump barrier or surface barrier ; multistep processes for their manufacture
0504the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or swiched, e.g. three-terminal devices
0508Field-effect devices, e.g. TFTs
0512insulated gate field effect transistors
0545Lateral single gate single channel transistors with inverted structure, i.e. the organic semiconductor layer is formed after the gate electrode
Déposants
  • INFINEON TECHNOLOGIES AG [DE/DE]; St.-Martin-Strasse 53 D-81669 München, DE (AllExceptUS)
  • HALIK, Marcus [DE/DE]; DE (UsOnly)
  • KLAUK, Hagen [DE/DE]; DE (UsOnly)
  • SCHMID, Günter [DE/DE]; DE (UsOnly)
  • ZSCHIESCHANG, Ute [DE/DE]; DE (UsOnly)
Inventeurs
  • HALIK, Marcus; DE
  • KLAUK, Hagen; DE
  • SCHMID, Günter; DE
  • ZSCHIESCHANG, Ute; DE
Mandataires
  • GOSS, Felix; Maikowski & Ninnemann Postfach 15 09 20 D-10671 Berlin, DE
Données relatives à la priorité
103 32 567.011.07.2003DE
Langue de publication allemand (DE)
Langue de dépôt allemand (DE)
États désignés
Titre
(DE) HALBLEITERBAUELEMENT UND VERFAHREN ZU DESSEN HERSTELLUNG
(EN) SEMICONDUCTOR COMPONENT, AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF
(FR) COMPOSANT EN SEMI-CONDUCTEUR, ET SON PROCEDE DE PRODUCTION
Abrégé
(DE)
Die Erfindung betrifft Halbleiterbauelement mit einer Schicht zur Steuerung einer elektrostatischen Wechselwirkung (10) mit einem organischen Halbleiter, insbesondere in einem organischen Feldeffekttransistor, dadurch gekennzeichnet, dass a) die Verbindung mindestens eine Ankergruppe (1) zur Herstellung einer Bindung mit dem Substrat und b) mindestens eine Gruppe (2) mit mindestens einem freien Elektronenpaar und / oder einem Dipolmoment aufweist. Die Erfindung umfasst auch ein Verfahren zur Herstellung einer Schicht mit einer solchen Verbindung. Damit können insbesondere OFETs hergestellt werden, so dass eine zusätzliche Korrektur der logischen Funktion (levelshift) überflüssig wird.
(EN)
The invention relates to a semiconductor component comprising a layer for controlling electrostatic interaction (10) with an organic semiconductor, especially an organic field effect transistor. Said semiconductor component is characterized in that a) the compound is provided with at least one anchor group (1) for creating a bond with the substrate, and b) said compound is further provided with at least one group (2) containing at least one free pair of electrons and/or a dipole moment. The invention also relates to a method for producing a layer comprising such a compound, allowing especially OFETs to be produced such that additionally correcting the logic function (levelshift) becomes useless.
(FR)
L'invention se rapporte à un composant en semi-conducteur comprenant un composé dans une couche pour commander une interaction électrostatique (10) au moyen d'un semi-conducteur organique, en particulier dans un transistor à effet de champ organique. Cette invention est caractérisée en ce que : a) le composé comprend au moins un groupe d'ancrage (1) pour établir une liaison avec le substrat, et (b) au moins un groupe (2) comportant au moins une paire d'électrons libres et/ou présentant un moment dipolaire. Cette invention concerne en outre un procédé pour produire une couche comprenant ledit composé, et permet, en particulier, de produire des OFET qui suppriment la nécessité de réaliser une correction supplémentaire de la fonction logique (décalage de niveau).
Également publié en tant que
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