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1. WO2005008792 - DIODE ELECTROLUMINESCENTE

Numéro de publication WO/2005/008792
Date de publication 27.01.2005
N° de la demande internationale PCT/JP2004/009182
Date du dépôt international 30.06.2004
CIB
H01L 33/20 2010.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
02caractérisés par les corps semi-conducteurs
20ayant une forme particulière, p.ex. substrat incurvé ou tronqué
H01L 33/38 2010.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
36caractérisés par les électrodes
38ayant une forme particulière
CPC
H01L 2224/48091
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2224Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
48of an individual wire connector
4805Shape
4809Loop shape
48091Arched
H01L 2224/48247
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2224Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
48of an individual wire connector
481Disposition
48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
48221the body and the item being stacked
48245the item being metallic
48247connecting the wire to a bond pad of the item
H01L 2224/73265
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2224Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
732Location after the connecting process
73251on different surfaces
73265Layer and wire connectors
H01L 24/32
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
24Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
32of an individual layer connector
H01L 2924/12041
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2924Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
11Device type
12Passive devices, e.g. 2 terminal devices
1204Optical Diode
12041LED
H01L 2924/15787
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2924Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
151Die mounting substrate
156Material
15786with a principal constituent of the material being a non metallic, non metalloid inorganic material
15787Ceramics, e.g. crystalline carbides, nitrides or oxides
Déposants
  • 三洋電機株式会社 SANYO ELECTRIC CO., LTD. [JP/JP]; 〒5708677 大阪府守口市京阪本通2丁目5番5号 Osaka 5-5, Keihanhondori 2-chome Moriguchi-Shi, Osaka 5708677, JP (AllExceptUS)
  • TOTTORI SANYO ELECTRIC CO., LTD. [JP/JP]; 101, Tachikawa-cho 7-chome Tottori-shi, Tottori 6808634, JP (AllExceptUS)
  • 松下 保彦 MATSUSHITA, Yasuhiko [JP/JP]; JP (UsOnly)
Inventeurs
  • 松下 保彦 MATSUSHITA, Yasuhiko; JP
Mandataires
  • 井上 温 INOUE, Atsushi; 〒5400032 大阪府大阪市中央区天満橋京町2−6天満橋八千代ビル別館5階 Osaka 5F, Tenmabashi-Yachiyo Bldg. Bekkan 2-6, Tenmabashi-Kyomachi Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5400032, JP
Données relatives à la priorité
2003-27661018.07.2003JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) LIGHT EMITTING DIODE
(FR) DIODE ELECTROLUMINESCENTE
(JA) 発光ダイオード
Abrégé
(EN)
A light emitting diode (10A) produced by securing a light emitting element (11a) to a lead frame (30) with a conductive adhesive material (20) is disclosed wherein the light emitting element (11a) comprises a semiconductor layer (9) including a light emitting layer (16) which is formed on a first surface (12a) of a translucent substrate (12) whose second surface (12b) is opposite to the first surface (12a) and serves as an emission observing surface. The semiconductor layer (9) has a side face (19) inclined to the first surface (12a) and the angle &thetas; between a normal (a) to the inclined side face (19) and a crystal plane for growing the light emitting layer (16) is set such that the light emitted from the light emitting layer (16) is totally reflected toward the translucent substrate (12).
(FR)
L'invention concerne un procédé pour produire une diode électroluminescente (10A) comprenant la fixation d'un élément émetteur de lumière (11a) à un réseau de conducteurs (30) comprenant une matière adhésive (20) conductrice. L'élément émetteur de lumière (11a) comprend une couche semi-conductrice (9) comprenant une couche émettrice de lumière (16) formée sur une première surface (12a) d'un substrat translucide (12), dont la seconde surface (12b) est opposée à la première surface (12a) et elle est utilisée en tant que surface d'observation d'émission. La couche semi-conductrice (9) présente une face latérale (19) inclinée vers la première surface (12a) à un angle $g(u) entre une normale (a) et la face inclinée (19) et un plan de cristal destiné à accroître la couche émettrice de lumière (16) est mis en place, de façon à ce que la lumière émise à partir de la couche émettrice de lumière (16) est totalement réfléchie vers le substrat translucide (12).
(JA)
 透光性基板12の第1の面12aに発光層16を含む半導体層9を積層するとともに第1の面12aに対向する第2の面12bを発光観測面とする発光素子11aを、導電性接着材料20によりリードフレーム30に固定した発光ダイオード10Aにおいて、半導体層9の側面が第1の面12aに対して傾斜した傾斜面19から成り、傾斜面10の法線aと発光層16が成長する結晶面との成す角度θを、発光層16が発する光が透光性基板12の方向に全反射する角度にした。
Également publié en tant que
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