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Paramétrages

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1. WO2005008787 - CAPTEUR OPTIQUE

Numéro de publication WO/2005/008787
Date de publication 27.01.2005
N° de la demande internationale PCT/JP2004/010428
Date du dépôt international 15.07.2004
CIB
H01L 27/30 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
28comprenant des composants qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux
30avec des composants spécialement adaptés pour détecter les rayons infrarouges, la lumière, le rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou le rayonnement corpusculaire; avec des composants spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement
H01L 51/30 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
51Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives
05spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances à l'état solide, ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
30Emploi de matériaux spécifiés
CPC
B82Y 10/00
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
82NANOTECHNOLOGY
YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
10Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
H01L 2224/48091
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2224Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
48of an individual wire connector
4805Shape
4809Loop shape
48091Arched
H01L 2224/73265
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2224Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
732Location after the connecting process
73251on different surfaces
73265Layer and wire connectors
H01L 27/307
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
28including components using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part
30with components specially adapted for sensing infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength, or corpuscular radiation; with components specially adapted for either the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
305Devices controlled by radiation
307Imager structures
H01L 31/0203
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02Details
0203Containers; Encapsulations ; , e.g. encapsulation of photodiodes
H01L 31/02325
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02Details
0232Optical elements or arrangements associated with the device
02325the optical elements not being integrated nor being directly associated with the device
Déposants
  • 独立行政法人科学技術振興機構 JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY [JP/JP]; 〒332-0012 埼玉県 川口市 本町四丁目1番8号 Saitama 1-8, Honcho 4-chome Kawaguchi-shi, Saitama 332-0012, JP (AllExceptUS)
  • 独立行政法人産業技術総合研究所 NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE AND TECHNOLOGY [JP/JP]; 〒100-0013 東京都 千代田区 霞が関1−3−1 Tokyo 1-3-1, Kasumigaseki Chiyoda-ku, Tokyo 100-0013, JP (AllExceptUS)
  • 永宗 靖 NAGAMUNE, Yasushi [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • 松本 和彦 MATSUMOTO, Kazuhiko [JP/JP]; JP (UsOnly)
Inventeurs
  • 永宗 靖 NAGAMUNE, Yasushi; JP
  • 松本 和彦 MATSUMOTO, Kazuhiko; JP
Mandataires
  • 武 顕次郎 TAKE, Kenjiro; 〒105-0003 東京都 港区 西新橋1丁目6番13号 柏屋ビル Tokyo Kashiwaya Bldg., 6-13 Nishishinbashi 1-chome Minato-ku, Tokyo 105-0003, JP
Données relatives à la priorité
2003-19922518.07.2003JP
2004-20845615.07.2004JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) OPTICAL SENSOR
(FR) CAPTEUR OPTIQUE
(JA) 光検出素子
Abrégé
(EN)
An optical sensor is characterized by comprising a photoconductive material (1) which generates a carrier (4) inside when irradiated with a light or an electromagnetic wave (3), and a carbon nanotube (2), and by sensing the carrier (4), which is generated within the photoconductive material (1) by irradiation of the light or electromagnetic wave (3), through change of electrical conduction of the carbon nanotube (2).
(FR)
Capteur optique caractérisé en ce qu'il comprend un matériau photoconducteur (1) produisant un vecteur (4) à l'intérieur lorsqu'il est irradié par une lumière ou soumis à une onde électromagnétique (3), et un nanotube de carbone (2), et en ce qu'il détecte le vecteur (4) produit dans le matériau photoconducteur (1) par l'irradiation de la lumière ou par une onde électromagnétique (3) à la suite d'un changement de la conduction électrique du nanotube de carbone (2).
(JA)
光または電磁波3の照射により内部にキャリア4を発生する光伝導性物質1と、カーボンナノチューブ2とを有し、光または電磁波3の照射により前記光伝導性物質1内に発生したキャリア4を前記カーボンナノチューブ2の電気伝導の変化により検出することを特徴とする。
Également publié en tant que
US2007108484
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