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1. WO2005008762 - FILM A FAIBLE PERMITTIVITE, PROCEDE DE PRODUCTION ASSOCIE, ET COMPOSANT ELECTRONIQUE UTILISANT UN TEL FILM

Numéro de publication WO/2005/008762
Date de publication 27.01.2005
N° de la demande internationale PCT/JP2004/009009
Date du dépôt international 25.06.2004
CIB
H01L 21/314 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
31pour former des couches isolantes en surface, p.ex. pour masquer ou en utilisant des techniques photolithographiques; Post-traitement de ces couches; Emploi de matériaux spécifiés pour ces couches
314Couches inorganiques
CPC
H01L 21/02115
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02107Forming insulating materials on a substrate
02109characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
02112characterised by the material of the layer
02115the material being carbon, e.g. alpha-C, diamond or hydrogen doped carbon
H01L 21/02175
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02107Forming insulating materials on a substrate
02109characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
02112characterised by the material of the layer
02172the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides
02175characterised by the metal
H01L 21/02203
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02107Forming insulating materials on a substrate
02109characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
02203the layer being porous
H01L 21/02282
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02107Forming insulating materials on a substrate
02225characterised by the process for the formation of the insulating layer
0226formation by a deposition process
02282liquid deposition, e.g. spin-coating, sol-gel techniques, spray coating
H01L 21/3146
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
31to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques
314Inorganic layers
3146Carbon layers, e.g. diamond-like layers
Déposants
  • ローツェ株式会社 RORZE CORPORATION [JP/JP]; 〒7202104 広島県深安郡神辺町字道上1588番地の2 Hiroshima 1588-2 Aza-Michinoue Kannabe-cho Fukayasu-gun Hiroshima 7202104, JP (AllExceptUS)
  • 独立行政法人科学技術振興機構 Japan Science and Technology Agency [JP/JP]; 〒3320012 埼玉県川口市本町4−1−8 Saitama 4-1-8 Hon-cho Kawaguchi Saitama 3320012, JP (AllExceptUS)
  • 櫻井 俊男 SAKURAI, Toshio [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • 高萩 隆行 TAKAHAGI, Takayuki [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • 坂上 弘之 SAKAUE, Hiroyuki [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • 新宮原 正三 SHINGUBARA, Shoso [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • 富本 博之 TOMIMOTO, Hiroyuki [JP/JP]; JP (UsOnly)
Inventeurs
  • 櫻井 俊男 SAKURAI, Toshio; JP
  • 高萩 隆行 TAKAHAGI, Takayuki; JP
  • 坂上 弘之 SAKAUE, Hiroyuki; JP
  • 新宮原 正三 SHINGUBARA, Shoso; JP
  • 富本 博之 TOMIMOTO, Hiroyuki; JP
Données relatives à la priorité
2003-27614717.07.2003JP
2003-30415328.08.2003JP
2004-07360015.03.2004JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) LOW-PERMITTIVITY FILM, AND PRODUCTION METHOD THEREFOR, AND ELECTRONIC COMPONENT USING IT
(FR) FILM A FAIBLE PERMITTIVITE, PROCEDE DE PRODUCTION ASSOCIE, ET COMPOSANT ELECTRONIQUE UTILISANT UN TEL FILM
(JA) 低誘電率膜、及びその製造方法、並びにそれを用いた電子部品
Abrégé
(EN)
Although known as a high-heat-resitance, low-permittivity film, being high in mechcanical strength and heat-conductivity, and expected as the multi-layer interconnection-use insulation film of a semiconductor integrated circuit element, a porous diamond fine-grain film has insufficient current-voltage characteristics and is not for practical use. A porous diamond fine-grain film is treated with a metallic salt aqueous solution of barium, calcium or the like in which no or little carbonate or sulfate is dissolved and a hydrophobic agent such as hexamethyldisilazane and trimethylmonochlorosilane, and with a refinforcing agent containing either one of dichlorotetramethyldisiloxane and dimethoxytetramethyldisiloxane to thereby set a dielectric breakdown voltage and a leak current to within the specified range of a practical standard.
(FR)
L'invention concerne un film à faible permittivité, à résistance thermique élevée, à force mécanique et conductivité thermique élevées et probablement le film isolant multicouche à utilisation d'interconnexion d'un élément à circuit intégré à semiconducteur, un film à grain fin de diamant poreux présentant des caractéristiques de tension de courant insuffisantes et ne présentant pas d'utilisation pratique. Ce film à grain fin de diamant poreux est traité à l'aide d'une solution aqueuse de sel métallique de baryum, calcium ou analogue dans laquelle peu ou pas de carbonate ou de sulfate est dissout et un agent hydrophobe tel que de l'héxaméthyldisilazane et du triméthylmonochlorosilane, avec un agent de renforcement contenant soit du dichlorotétraméthyldisiloxane ou du diméthoxytétraméthyldisiloxane afin de régler une tension de chute diélectrique et un courant de fuite au niveau spécifique d'un standard pratique.
(JA)
 ポーラスダイヤモンド微粒子膜は、高耐熱性低誘電率膜として知られ、また機械的強度や熱伝導性も高く、半導体集積回路素子の多層配線用絶縁膜として期待されているが、電流−電圧特性が不十分で実用化されていない。  本発明では、ポーラスダイヤモンド微粒子膜を炭酸塩・硫酸塩が不溶または溶解度が低いバリウム、カルシウム等の金属塩水溶液、及びヘキサメチルジシラザンやトリメチルモノクロロシランなどの疎水化剤、並びにジクロロテトラメチルジシロキサンないしジメトキシテトラメチルジシロキサンのどちらか一方を含む強化剤で処理することで、絶縁破壊電圧とリーク電流とを実用基準の規定範囲内とすることができる。
Également publié en tant que
US2006244034
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