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Paramétrages

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1. WO2005008755 - PROCEDE DE COMMANDE DE TEMPERATURE, SYSTEME DE TRAITEMENT DE SUBSTRATS ET PROCEDE DE PRODUCTION DE SEMI-CONDUCTEURS

Numéro de publication WO/2005/008755
Date de publication 27.01.2005
N° de la demande internationale PCT/JP2004/007522
Date du dépôt international 01.06.2004
CIB
H01L 21/00 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
H01L 21/324 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
324Traitement thermique pour modifier les propriétés des corps semi-conducteurs, p.ex. recuit, frittage
CPC
H01L 21/324
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
324Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
H01L 21/67248
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
67242Apparatus for monitoring, sorting or marking
67248Temperature monitoring
Déposants
  • 株式会社日立国際電気 HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. [JP/JP]; 〒1648511 東京都中野区東中野三丁目14番20号 Tokyo 14-20, Higashi-Nakano 3-chome, Nakano-ku, Tokyo 1648511, JP (AllExceptUS)
  • 上野 正昭 UENO, Masaaki [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • 松田 充弘 MATSUDA, Mitsuhiro [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • 島田 真一 SHIMADA, Masakazu [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • 田中 和夫 TANAKA, Kazuo [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • 宮田 敏光 MIYATA, Toshimitsu [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • 塚本 秀之 TSUKAMOTO, Hideyuki [JP/JP]; JP (UsOnly)
Inventeurs
  • 上野 正昭 UENO, Masaaki; JP
  • 松田 充弘 MATSUDA, Mitsuhiro; JP
  • 島田 真一 SHIMADA, Masakazu; JP
  • 田中 和夫 TANAKA, Kazuo; JP
  • 宮田 敏光 MIYATA, Toshimitsu; JP
  • 塚本 秀之 TSUKAMOTO, Hideyuki; JP
Mandataires
  • 特許業務法人 アイ・ピー・エス PATENT RELATED CORPORATION IPS; 〒2210052 神奈川県横浜市神奈川区栄町5番地1 横浜クリエーションスクエア15 15F., Yokohama Creation Square 5-1, Sakaecho Kanagawa-ku Yokohama-shi, Kanagawa 2210052, JP
Données relatives à la priorité
2003-19894418.07.2003JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) TEMPERATURE CONTROL METHOD, SUBSTRATE PROCESSING SYSTEM AND PROCESS FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR
(FR) PROCEDE DE COMMANDE DE TEMPERATURE, SYSTEME DE TRAITEMENT DE SUBSTRATS ET PROCEDE DE PRODUCTION DE SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 温度制御方法、基板処理装置及び半導体製造方法
Abrégé
(EN)
A temperature control method and a semiconductor processing system in which the film thickness on a semiconductor substrate can be made uniform by controlling only the temperature. Using a temperature deviation between the end part and the central part of the semiconductor substrate when the heating temperature of the substrate is varied within a specified time, and a steady temperature deviation between the end part and the central part of the substrate, a variation temperature quantity N for realizing a desired mean temperature deviation M is determined, and the heating temperature of the substrate is controlled based on the variation temperature quantity N.
(FR)
Cette invention se rapporte à un procédé de commande de température et à un système de traitement de semi-conducteurs, dans lesquels l'épaisseur du film sur un substrat de semi-conducteur peut être rendue uniforme par commande de la température uniquement. En utilisant un écart de température entre la partie terminale et la partie centrale du substrat de semi-conducteur, lorsqu'on fait varier la température de chauffage du substrat dans une période spécifiée, et un écart de température constant entre la partie terminale et la partie centrale du substrat, on peut déterminer une plage de température de variation N pour obtenir un écart de température moyen souhaité M, et on commande la température de chauffage du substrat sur la base de cette plage de température de variation N.
(JA)
 本発明は、温度のみに対する制御により、半導体基板上の膜厚を均一にすることができる温度制御方法および半導体処理装置を提供することを目的とする。半導体基板の加熱温度を所定時間内に温度変化させたときに発生する基板端部の温度と中心部の温度との偏差と、基板端部の温度と中心部の温度との定常偏差とを用いて、所望の平均温度偏差Mを実現するための変化温度量Nを求め、変化温度量Nにより、半導体基板に対する加熱温度を制御する。
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