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Paramétrages

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1. WO2005008754 - PROCEDE DE MESURE DE LUMIERE PARASITE, PROCEDE D'EXPOSITION, ET MASQUE DE MESURE DE LUMIERE PARASITE

Numéro de publication WO/2005/008754
Date de publication 27.01.2005
N° de la demande internationale PCT/JP2004/009979
Date du dépôt international 13.07.2004
CIB
G03F 1/08 2006.01
GPHYSIQUE
03PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
FPRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
1Originaux pour la production par voie photomécanique de surfaces texturées, p.ex. masques, photomasques ou réticules; Masques vierges ou pellicules à cet effet; Réceptacles spécialement adaptés à ces originaux; Leur préparation
08Originaux utilisant des couches inorganiques formant l'image, p.ex. masques au chrome
G03F 7/20 2006.01
GPHYSIQUE
03PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
FPRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
7Production par voie photomécanique, p.ex. photolithographique, de surfaces texturées, p.ex. surfaces imprimées; Matériaux à cet effet, p.ex. comportant des photoréserves; Appareillages spécialement adaptés à cet effet
20Exposition; Appareillages à cet effet
H01L 21/027 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
027Fabrication de masques sur des corps semi-conducteurs pour traitement photolithographique ultérieur, non prévue dans le groupe H01L21/18 ou H01L21/34187
CPC
G03F 7/70433
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
70Exposure apparatus for microlithography
70425Imaging strategies, e.g. for increasing throughput, printing product fields larger than the image field, compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching, double patterning
70433Layout for increasing efficiency, for compensating imaging errors, e.g. layout of exposure fields,; Use of mask features for increasing efficiency, for compensating imaging errors
G03F 7/70591
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
70Exposure apparatus for microlithography
70483Information management, control, testing, and wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
70591Testing optical components
Déposants
  • 株式会社ニコン NIKON CORPORATION [JP/JP]; 〒1008331 東京都千代田区丸の内三丁目2番3号 Tokyo 2-3, Marunouchi 3-chome Chiyoda-ku, Tokyo 1008331, JP (AllExceptUS)
  • 尾形 太郎 OGATA, Taro [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • 松山 知行 MATSUYAMA, Tomoyuki [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • 大滝 桂 OTAKI, Katsura [JP/JP]; JP (UsOnly)
Inventeurs
  • 尾形 太郎 OGATA, Taro; JP
  • 松山 知行 MATSUYAMA, Tomoyuki; JP
  • 大滝 桂 OTAKI, Katsura; JP
Mandataires
  • 大森 聡 OMORI, Satoshi; 〒2140014 神奈川県川崎市多摩区登戸2075番2−501 大森特許事務所 Kanagawa Omori Patent Office 2075-2-501, Noborito Tama-ku, Kawasaki-shi Kanagawa 2140014, JP
Données relatives à la priorité
2003-27700818.07.2003JP
2003-35396514.10.2003JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) FLARE MEASUREMENT METHOD, EXPOSURE METHOD, AND FLARE MEASUREMENT MASK
(FR) PROCEDE DE MESURE DE LUMIERE PARASITE, PROCEDE D'EXPOSITION, ET MASQUE DE MESURE DE LUMIERE PARASITE
(JA) フレア計測方法、露光方法、及びフレア計測用のマスク
Abrégé
(EN)
There is provided a flare measurement technique capable of accurately measuring flare of a projection optical system. Three pairs of opening pattern and line and space pattern images (38AP, 39AP), (38BP, 39BP), and (38CP, 39CP) whose intervals are gradually increased are transferred onto a wafer (W) covered with resist, via a projection optical system to be measured and the wafer (W) is developed. Among the resist images obtained by the development, a line width of the space pattern images (40A, 40B, 40C) nearest to the opening pattern images (38AP, 38BP, 38CP) is measured and the flare of the projection optical system is obtained from the measurement result.
(FR)
L'invention concerne une technique d'une mesure d'une lumière parasite, qui permet de mesurer avec précision la lumière parasite d'un système optique de projection. Trois paires d'images de forme d'ouverture et d'images de forme linéaire et de forme spatiale (38AP, 39AP), (38BP, 39BP) et (38CP, 39CP), dont les intervalles sont augmentés progressivement, sont transférées sur une plaquette (W) couverte d'une réserve, par l'intermédiaire d'un système optique de projection, aux fins de les mesurer, et la plaquette (W) est mise au point. Parmi les images de réserve obtenues par la mise au point, une largeur de ligne des images de forme spatiale (40A, 40B, 40C) les plus proches des images de forme d'ouverture (38AP, 38BP, 38CP) est mesurée et la lumière parasite du système optique de projection est déterminée à partir du résultat de la mesure.
(JA)
 投影光学系のフレアを正確に計測できるフレア計測技術である。計測対象の投影光学系を介してレジストの塗布されたウエハ(W)上に、次第に間隔が広くなる3対の開口パターン及びライン・アンド・スペースパターンの像(38AP,39AP)、(38BP,39BP)、及び(38CP,39CP)を転写した後、そのウエハ(W)を現像する。現像後に得られるレジスト像の内で、開口パターンの像(38AP,38BP,38CP)に最も近いスペースパターン像(40A,40B,40C)の線幅を計測し、この計測結果からその投影光学系のフレアを求める。
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