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Paramétrages

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1. WO2005008749 - PRODUIT COMPACT A LIANT CERAMIQUE, PROCEDE DE PRODUCTION DE PRODUIT COMPACT A LIANT CERAMIQUE, REGULATEUR DE TEMPERATURE DE CERAMIQUE ET UNITE DE COMMANDE DE TEMPERATURE DE CERAMIQUE

Numéro de publication WO/2005/008749
Date de publication 27.01.2005
N° de la demande internationale PCT/JP2003/009026
Date du dépôt international 16.07.2003
CIB
H01L 21/00 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
H05B 3/14 2006.01
HÉLECTRICITÉ
05TECHNIQUES ÉLECTRIQUES NON PRÉVUES AILLEURS
BCHAUFFAGE ÉLECTRIQUE; ÉCLAIRAGE ÉLECTRIQUE NON PRÉVU AILLEURS
3Chauffage par résistance ohmique
10Eléments chauffants caractérisés par la composition ou la nature des matériaux ou par la disposition du conducteur
12caractérisés par la composition ou la nature du matériau conducteur
14le matériau étant non métallique
CPC
H01L 21/67103
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
67011Apparatus for manufacture or treatment
67098Apparatus for thermal treatment
67103mainly by conduction
H01L 21/67109
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
67011Apparatus for manufacture or treatment
67098Apparatus for thermal treatment
67109mainly by convection
H05B 3/143
HELECTRICITY
05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHTING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
3Ohmic-resistance heating
10Heater elements characterised by the composition or nature of the materials or by the arrangement of the conductor
12characterised by the composition or nature of the conductive material
14the material being non-metallic
141Conductive ceramics, e.g. metal oxides, metal carbides, barium titanate, ferrites, zirconia, vitrous compounds
143applied to semiconductors, e.g. wafers heating
Déposants
  • IBIDEN CO., LTD. [JP/JP]; 1, Kandacho 2-chome Ogaki-shi, Gifu 503-8004, JP (AllExceptUS)
  • ITO, Yasutaka [JP/JP]; JP (UsOnly)
Inventeurs
  • ITO, Yasutaka; JP
Mandataires
  • YASUTOMI, Yasuo; Chuo BLDG. 4-20, Nishinakajima 5-chome, Yodogawa-ku Osaka-shi, Osaka 532-0011, JP
Données relatives à la priorité
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) CERAMIC BONDED COMPACT, PROCESS FOR PRODUCING CERAMIC BONDED COMPACT, CERAMIC TEMPERATURE CONTROLLER AND CERAMIC TEMPERATURE CONTROL UNIT
(FR) PRODUIT COMPACT A LIANT CERAMIQUE, PROCEDE DE PRODUCTION DE PRODUIT COMPACT A LIANT CERAMIQUE, REGULATEUR DE TEMPERATURE DE CERAMIQUE ET UNITE DE COMMANDE DE TEMPERATURE DE CERAMIQUE
(JA) セラミック接合体、セラミック接合体の製造方法、セラミック温調器およびセラミック温調ユニット
Abrégé
(EN)
A ceramic bonded compact that exhibits a high bonding strength between ceramic substrate and ceramic body and is excellent in durability. In particular, a ceramic bonded compact comprising a ceramic substrate having a conductor provided on its surface or at its internal part and, bonded thereto, a ceramic body characterized in that the ceramic substrate contains carbon and that the carbon concentration in the vicinity of the surface of the ceramic substrate is lower than that at the internal part of the ceramic substrate.
(FR)
L'invention concerne un produit compact à liant céramique présentant une résistance élevée au liage entre un substrat céramique et un corps céramique. Ce produit compact présente également une excellente durabilité. L'invention concerne en particulier un produit compact à liant céramique comprenant un substrat céramique pourvu d'un conducteur disposé sur sa surface ou au niveau de sa partie intérieure, ainsi qu'un corps céramique fixé sur ledit substrat, ce corps céramique se caractérisant en ce que le substrat céramique contient du carbone et que la concentration de carbone à proximité de la surface du substrat céramique est inférieure à la concentration de carbone au niveau de la partie intérieure dudit substrat.
(JA)
 本発明は、セラミック基板とセラミック体との接合強度が高く、耐久性に優れるセラミック接合体を実現することを目的とする。 本発明は、その表面または内部に導電体が設けられたセラミック基板にセラミック体が接合されたセラミック接合体であって、上記セラミック基板は、カーボンを含有し、上記セラミック基板の表面近傍におけるカーボンの濃度は、上記セラミック基板の内部におけるカーボンの濃度よりも低いことを特徴とするセラミック接合体である。
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