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Paramétrages

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1. WO2005008748 - CAPTEUR D'IMAGE AYANT UN DRAIN DE DEBORDEMENT VERTICAL ET UNE COURTE DISTANCE MICROLENTILLE-A-SILICIUM

Numéro de publication WO/2005/008748
Date de publication 27.01.2005
N° de la demande internationale PCT/US2004/021989
Date du dépôt international 09.07.2004
CIB
H01L 21/00 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
H01L 21/8238 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
77Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun
78avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels
82pour produire des dispositifs, p.ex. des circuits intégrés, consistant chacun en une pluralité de composants
822le substrat étant un semi-conducteur, en utilisant une technologie au silicium
8232Technologie à effet de champ
8234Technologie MIS
8238Transistors à effet de champ complémentaires, p.ex. CMOS
CPC
H01L 27/14601
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
14including semiconductor components sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
144Devices controlled by radiation
146Imager structures
14601Structural or functional details thereof
H01L 27/14632
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
14including semiconductor components sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
144Devices controlled by radiation
146Imager structures
14601Structural or functional details thereof
14632Wafer-level processed structures
Déposants
  • LINXIN, Zhao [CN/US]; US
Inventeurs
  • LINXIN, Zhao; US
Mandataires
  • IVYM, Mei, Y.; 4848 San Felipe Rd Suite 150-313 San Jose, CA 95135, US
Données relatives à la priorité
10/619,03310.07.2003US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) AN IMAGE SENSOR WITH A VERTICAL OVERFLOW DRAIN AND SHORT MICRO-LENS TO SILICON DISTANCE
(FR) CAPTEUR D'IMAGE AYANT UN DRAIN DE DEBORDEMENT VERTICAL ET UNE COURTE DISTANCE MICROLENTILLE-A-SILICIUM
Abrégé
(EN)
An image sensor pixel includes a vertical overflow drain structure to eliminate substrate charge diffusion caused CMOS image sensor noise. An extra chemical mechanical polish step is used to shorten the micro-lens to silicon surface distance in order to reduce optical cross talking. One embodiment uses N type substrate material with P- epitaxial layer to form the vertical overflow drain. Deep P well implantation is introduced to standard CMOS process to prevent latch up between N well to N type substrate. And the photo diode is realized by stacked N well / Deep Nwell and stacked P well / Deep P well to improve performance.
(FR)
Un pixel de capteur d'image comprend une structure de drain de débordement vertical permettant de supprimer le bruit du capteur d'image CMOS provoqué par la diffusion des charges dans le substrat. Une étape de polissage mécanico-chimique supplémentaire est utilisée pour réduire la distance de la microlentille au silicium afin de réduire la diaphonie optique. Un mode de réalisation utilise une matière de substrat de type N avec une couche épitaxiale P- pour former le drain de débordement vertical. L'implantation d'un puits P profond est introduite dans le processus CMOS normalisé afin d'empêcher le verrouillage entre le puits N et le substrat de type N. la photodiode est fabriquée par empilement puits N/puits N profond et par empilement puits P/puits P profond aux fins de l'amélioration des performances.
Également publié en tant que
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