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Paramétrages

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1. WO2005008745 - GRAVURE SELECTIVE DE FILMS EN CARBURE DE SILICIUM

Numéro de publication WO/2005/008745
Date de publication 27.01.2005
N° de la demande internationale PCT/US2004/020698
Date du dépôt international 25.06.2004
CIB
H01L 21/00 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
H01L 21/306 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
302pour changer leurs caractéristiques physiques de surface ou leur forme, p.ex. gravure, polissage, découpage
306Traitement chimique ou électrique, p.ex. gravure électrolytique
H01L 21/308 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
302pour changer leurs caractéristiques physiques de surface ou leur forme, p.ex. gravure, polissage, découpage
306Traitement chimique ou électrique, p.ex. gravure électrolytique
308en utilisant des masques
H01L 29/82 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66Types de dispositifs semi-conducteurs
82commandés par la variation du champ magnétique appliqué au dispositif
CPC
B81C 1/00595
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
CPROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
1Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
00436Shaping materials, i.e. techniques for structuring the substrate or the layers on the substrate
00555Achieving a desired geometry, i.e. controlling etch rates, anisotropy or selectivity
00595Control etch selectivity
B81C 2201/0109
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
CPROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
2201Manufacture or treatment of microstructural devices or systems
01in or on a substrate
0101Shaping material; Structuring the bulk substrate or layers on the substrate; Film patterning
0102Surface micromachining
0105Sacrificial layer
0109Sacrificial layers not provided for in B81C2201/0107 - B81C2201/0108
B81C 2201/0132
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
CPROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
2201Manufacture or treatment of microstructural devices or systems
01in or on a substrate
0101Shaping material; Structuring the bulk substrate or layers on the substrate; Film patterning
0128Processes for removing material
013Etching
0132Dry etching, i.e. plasma etching, barrel etching, reactive ion etching [RIE], sputter etching or ion milling
H01L 21/0475
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
0445the devices having semiconductor bodies comprising crystalline silicon carbide
0475Changing the shape of the semiconductor body, e.g. forming recesses,
Déposants
  • THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF CALIFORNIA [US/US]; Office of Technology Transfer 1111 Franklin Street, 12th Floor Oakland, CA 94607-5200, US (AllExceptUS)
  • GAO, Di [CN/US]; US (UsOnly)
  • HOWE, Roger, T. [US/US]; US (UsOnly)
  • MABOUDIAN, Roya [US/US]; US (UsOnly)
Inventeurs
  • GAO, Di; US
  • HOWE, Roger, T.; US
  • MABOUDIAN, Roya; US
Mandataires
  • KUSHA, Babak ; Townsend and Townsend and Crew Llp Two Embarcadero Center Eighth Floor San Francisco, CA 94111-3834, US
Données relatives à la priorité
10/613,50803.07.2003US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) SELECTIVE ETCHING OF SILICON CARBIDE FILMS
(FR) GRAVURE SELECTIVE DE FILMS EN CARBURE DE SILICIUM
Abrégé
(EN)
A method of etching silicon carbide using a nonmetallic mask layer. The method includes providing a silicon carbide substrate; forming a non-metallic mask layer by applying a layer of material on the substrate; patterning the mask layer to expose underlying areas of the substrate; and etching the underlying areas of the substrate with a plasma at a first rate, while etching the mask layer at a rate lower than the first rate.
(FR)
Cette invention concerne un procédé de gravure d'un carbure de silicium an moyen d'une couche-masque non métallique. Le procédé consiste à prendre un substrat en carbure de silicium, à former un couche-masque non métallique par application d'une couche de matériau sur le substrat, à créer des motifs sur la couche-masque afin d'exposer des régions sous-jacentes du substrat, et à graver lesdites régions sous-jacentes du substrat à l'aide d'un plasma selon un premier taux, tout en gravant la couche-masque à un taux plus faible que le premier taux.
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