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Paramétrages

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1. WO2005008214 - APPAREIL ET PROCEDE PERMETTANT D'EFFECTUER DES MESURES ELLIPSOMETRIQUES AVEC UNE RESOLUTION SPATIALE ELEVEE

Numéro de publication WO/2005/008214
Date de publication 27.01.2005
N° de la demande internationale PCT/US2004/021544
Date du dépôt international 07.07.2004
CIB
G01B 9/02 2006.01
GPHYSIQUE
01MÉTROLOGIE; TESTS
BMESURE DE LA LONGUEUR, DE L'ÉPAISSEUR OU DE DIMENSIONS LINÉAIRES ANALOGUES; MESURE DES ANGLES; MESURE DES SUPERFICIES; MESURE DES IRRÉGULARITÉS DES SURFACES OU CONTOURS
9Instruments tels que spécifiés dans les sous-groupes et caractérisés par l'utilisation de moyens de mesure optiques
02Interféromètres
CPC
G01N 2021/214
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
21Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using infra-red, visible or ultra-violet light
17Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
21Polarisation-affecting properties
211Ellipsometry
214Variangle incidence arrangement
G01N 21/211
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
21Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using infra-red, visible or ultra-violet light
17Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
21Polarisation-affecting properties
211Ellipsometry
G01N 21/9501
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
21Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using infra-red, visible or ultra-violet light
84Systems specially adapted for particular applications
88Investigating the presence of flaws or contamination
95characterised by the material or shape of the object to be examined
9501Semiconductor wafers
Déposants
  • ZETETIC INSTITUTE [US/US]; 1665 E. 18th Street Suite 206 Tucson, AZ 85719, US (AllExceptUS)
  • HILL, Henry, Allen [US/US]; US (UsOnly)
Inventeurs
  • HILL, Henry, Allen; US
Mandataires
  • PRAHL, Eric, L. ; Wilmer Cutler Pickering Hale and Dorr LLP 60 State Street Boston, MA 02109, US
Données relatives à la priorité
60/485,25507.07.2003US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) APPARATUS AND METHOD FOR ELLIPSOMETRIC MEASUREMENTS WITH HIGH SPATIAL RESOLUTION
(FR) APPAREIL ET PROCEDE PERMETTANT D'EFFECTUER DES MESURES ELLIPSOMETRIQUES AVEC UNE RESOLUTION SPATIALE ELEVEE
Abrégé
(EN)
A method of detecting non-uniform ellipsometric properties of a substrate surface wherein the non-uniform ellipsometric properties are characterized by a characteristic dimension, the method involving: generating an input beam (24) for illuminating a spot at a selected location on or in the substrate (60) that has a size L that is substantially larger than the characteristic dimension; deriving a measurement beam (24A) and a reference beam from the input beam; directing the measurement beam onto the substrate as an incident measurement beam that illuminates the spot at that selected location to produce a scattered measurement beam (28A); for each orientation of a plurality of different orientations of the reference beam relative to the scattered measurement beam, interfering the scattered measurement beam with the reference beam to produce a corresponding interference beam (32A, 32B), wherein each of the different orientations of the reference beam is selected to produce a peak sensitivity for a portion of the scattered measurement beam that emanates from the object at a corresponding different diffraction angle of a plurality of diffraction angles; for each orientation of the plurality of different orientations of the reference beam relative to the scattered measurement beam, converting the interference beam for that selected location into an interference signal; and using the interference signals for each orientation of the plurality of different orientations to determine whether any non-uniform ellipsometric properties that are characterized by the characteristic dimension are present anywhere within a region on or in the substrate defined by the spot at that selected location.
(FR)
La présente invention concerne un procédé qui permet de détecter des propriétés ellipsométriques d'une surface de substrat, les propriétés ellipsométriques étant caractérisées par une dimension caractéristique, lequel procédé consiste : à produire un faisceau d'entrée afin d'illuminer un point en un emplacement choisi sur ou dans le substrat, lequel point possède une taille L qui est sensiblement supérieure à la dimension caractéristique ; à dériver un faisceau de mesure et un faisceau de référence du faisceau d'entrée ; à diriger le faisceau de mesure sur le substrat, sous la forme d'un faisceau de mesure incident illuminant le point à l'emplacement choisi afin de produire un faisceau de mesure diffusé ; pour chaque orientation parmi une pluralité d'orientations différentes du faisceau de référence par rapport au faisceau de mesure diffusé, entraver le faisceau de mesure diffusé au moyen du faisceau de référence afin de produire un faisceau d'interférence correspondant, chacune parmi les différentes orientations du faisceau de référence étant choisie pour produire une sensibilité maximale pour une partie du faisceau de mesure diffusé émanant de l'objet selon un angle de diffraction différent correspondant parmi une pluralité d'angles de diffraction ; pour chaque orientation parmi la pluralité d'orientations différentes du faisceau de référence par rapport au faisceau de mesure diffusé, convertir le faisceau d'interférence pour l'emplacement choisi en un signal d'interférence ; et utiliser les signaux d'interférence pour chaque orientation parmi la pluralité d'orientations différentes pour déterminer si de quelconques propriétés ellipsométriques non uniformes caractérisées par la dimension caractéristique sont présentes en un quelconque emplacement à l'intérieur d'une région sur ou dans le substrat définie par le point en cet emplacement choisi.
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