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Paramétrages

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1. WO2005007939 - MONOCRISTAL INP, MONOCRISTAL ASGA ET PROCEDE DE FABRICATION

Numéro de publication WO/2005/007939
Date de publication 27.01.2005
N° de la demande internationale PCT/JP2004/010555
Date du dépôt international 16.07.2004
CIB
C30B 11/00 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
30CROISSANCE DES CRISTAUX
BCROISSANCE DES MONOCRISTAUX; SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE; PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; APPAREILLAGES À CET EFFET
11Croissance des monocristaux par simple solidification ou dans un gradient de température, p.ex. méthode de Bridgman-Stockbarger
C30B 29/40 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
30CROISSANCE DES CRISTAUX
BCROISSANCE DES MONOCRISTAUX; SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE; PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; APPAREILLAGES À CET EFFET
29Monocristaux ou matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée caractérisés par leurs matériaux ou par leur forme
10Composés inorganiques ou compositions inorganiques
40Composés AIII BV
C30B 29/42 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
30CROISSANCE DES CRISTAUX
BCROISSANCE DES MONOCRISTAUX; SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE; PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; APPAREILLAGES À CET EFFET
29Monocristaux ou matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée caractérisés par leurs matériaux ou par leur forme
10Composés inorganiques ou compositions inorganiques
40Composés AIII BV
42Arséniure de gallium
CPC
C30B 11/00
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
11Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
C30B 29/40
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
29Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
10Inorganic compounds or compositions
40AIIIBV compounds ; wherein A is B, Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
C30B 29/42
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
29Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
10Inorganic compounds or compositions
40AIIIBV compounds ; wherein A is B, Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
42Gallium arsenide
Déposants
  • SHOWA DENKO K.K. [JP/JP]; 13-9, Shiba Daimon 1-chome Minato-ku Tokyo 105-8518, JP (AllExceptUS)
  • MATSUMOTO, Fumio [JP/JP]; JP (UsOnly)
Inventeurs
  • MATSUMOTO, Fumio; JP
Mandataires
  • FUKUDA, Kenzo ; Kashiwaya Building 6-13, Nishishinbashi 1-chome Minato-ku Tokyo 105-0003, JP
Données relatives à la priorité
2003-27598717.07.2003JP
60/489,49424.07.2003US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) InP SINGLE CRYSTAL, GaAs SINGLE CRYSTAL, AND METHOD FOR PRODUCTION THEREOF
(FR) MONOCRISTAL INP, MONOCRISTAL ASGA ET PROCEDE DE FABRICATION
Abrégé
(EN)
A method for the production of an InP single crystal includes gradually cooling a molten raw material held in contact with a seed crystal to solidify the molten raw material from a lower part toward an upper part of an inïerior of a crucible and grow a single crystal, causing the seed crystal to possess an average dislocation density of less than 10000/cm2 and assume substantially identical cross-sectional shape and size with a cross­sectional shape and size of a single crystal to be grown, and allowing the InP single crystal to be grown to retain a non-doped state or a state doped with Fe or Sn.
(FR)
L'invention concerne un procédé de fabrication d'un monocristal InP consistant à refroidir graduellement un matériau brut fondu maintenu en contact avec un cristal germe de manière à solidifier le matériau brut fondu, d'une partie inférieure vers une partie supérieure de l'intérieur d'un creuset, et à fabriquer un monocristal ; à traiter le cristal germe de manière que celui-ci présente une densité des dislocations moyenne inférieure à 10000/cm2, et une section transversale et des dimensions essentiellement identiques à celles du monocristal à fabriquer ; et, à mettre en oeuvre le monocristal InP de manière que celui présente un état non-dopé ou un état dopé au moyen de Fe ou Sn.
Également publié en tant que
DE112004001269
GB0600232.3
GBGB0600232.3
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