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Paramétrages

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1. WO2005007938 - PROCEDE DE CROISSANCE DE CRISTAL A BASE DE SI, CRISTAL A BASE DE SI, SUBSTRAT A BASE DE SI ET PILE SOLAIRE

Numéro de publication WO/2005/007938
Date de publication 27.01.2005
N° de la demande internationale PCT/JP2004/010213
Date du dépôt international 16.07.2004
CIB
C30B 11/00 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
30CROISSANCE DES CRISTAUX
BCROISSANCE DES MONOCRISTAUX; SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE; PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; APPAREILLAGES À CET EFFET
11Croissance des monocristaux par simple solidification ou dans un gradient de température, p.ex. méthode de Bridgman-Stockbarger
C30B 29/06 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
30CROISSANCE DES CRISTAUX
BCROISSANCE DES MONOCRISTAUX; SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE; PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; APPAREILLAGES À CET EFFET
29Monocristaux ou matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée caractérisés par leurs matériaux ou par leur forme
02Eléments
06Silicium
CPC
C30B 11/00
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
11Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
C30B 29/06
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
29Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
02Elements
06Silicon
Y02E 10/546
YSECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
10Energy generation through renewable energy sources
50Photovoltaic [PV] energy
54Material technologies
546Polycrystalline silicon PV cells
Déposants
  • 国立大学法人東北大学 National University Corporation Tohoku University [JP/JP]; 〒9808577 宮城県仙台市青葉区片平二丁目1番1号 Miyagi 1-1, Katahira 2-chome Aoba-ku, Sendai Miyagi 9808577, JP (AllExceptUS)
  • 中嶋 一雄 NAKAJIMA, Kazuo [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • 藤原 航三 FUJIWARA, Kouzou [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • 宇佐美 徳隆 USAMI, Tokutaka [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • 宇治原 徹 UJIHARA, Toru [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • 我妻 幸長 WAGATUMA, Yukinaga [JP/JP]; JP (UsOnly)
Inventeurs
  • 中嶋 一雄 NAKAJIMA, Kazuo; JP
  • 藤原 航三 FUJIWARA, Kouzou; JP
  • 宇佐美 徳隆 USAMI, Tokutaka; JP
  • 宇治原 徹 UJIHARA, Toru; JP
  • 我妻 幸長 WAGATUMA, Yukinaga; JP
Mandataires
  • 奥山 雄毅 OKUYAMA, Yuki; 〒1510051 東京都渋谷区千駄ヶ谷5丁目21番12号代々木リビン4階 奥山特許商標事務所内 Tokyo Okuyama International Patent Office 4F, Yoyogi-Livin' 5-21-12, Sendagaya Shibuya-ku, Tokyo 1510051, JP
Données relatives à la priorité
2003-19849017.07.2003JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) METHOD FOR GROWING Si BASED CRYSTAL, Si BASED CRYSTAL, Si BASED CRYSTAL SUBSTRATE AND SOLAR CELL
(FR) PROCEDE DE CROISSANCE DE CRISTAL A BASE DE SI, CRISTAL A BASE DE SI, SUBSTRAT A BASE DE SI ET PILE SOLAIRE
(JA) Si系結晶の成長方法、Si系結晶、Si系結晶基板及び太陽電池
Abrégé
(EN)
A method for growing a Si based crystal, which comprises placing a crystal piece (12) comprising Si in a bottom portion of a crucible (11) for growing a cast material, placing a raw Si material (13) above the crystal piece (12) in the crucible (11) for growing a cast material, heating the crucible for growing a cast material to melt the raw Si material (13) for forming a Si melt (14) in such a manner that at least a part of the crystal piece (12) remains to be unmolten, and then cooling and solidifying the Si melt (14), to thereby grow a Si based crystal in one direction from the residue (12A) of the crystal piece (12). The above method allows, in the growth of a Si based crystal by means of a cast process, the control of the crystal orientation of the Si based crystal, which results in the formation of a structure having a uniform shape orientation in the Si based crystal with ease and simplicity, leading to the production, from the Si based crystal, of a wafer having a texture structure of a uniform shape orientation after prescribed etching operations.
(FR)
L'invention concerne un procédé de croissance de cristal à base de Si, selon lequel il est prévu: de placer un morceau de cristal (12) comprenant du Si, dans la partie de base d'un creuset (11) pour permettre la croissance d'un matériau coulé ; de placer un matériau Si brut (13) au-dessus du morceau de cristal (12) dans le creuset (11) de croissance du matériau coulé ; de chauffer le creuset de croissance du matériau coulé, afin de faire fondre le matériau Si brut (13) pour former une matière Si fondue (14), de sorte qu'au moins une partie du morceau de cristal (12) demeure non fondue ; puis de faire refroidir et de solidifier la matière Si fondue (14), afin d'assurer la croissance d'un cristal à base de Si, dans une direction à partir du résidu (12A) du morceau de cristal (12). Ledit procédé permet d'assurer, aisément et simplement, dans le cadre de la croissance d'un cristal à base de Si, à l'aide d'un processus de coulée, la régulation de l'orientation du cristal à base de Si, ce qui induit la formation d'une structure à orientation de forme uniforme dans le cristal à base de Si. Il en résulte la production, à partir du cristal à base de Si, d'une tranche à structure texturée d'une orientation de forme uniforme après les opérations de gravure prescrites.
(JA)
 キャスト法を用いたSi系結晶の成長方法において、前記Si系結晶の結晶方位を自在に制御することができ、前記Si系結晶から切り出して得たウエハが所定のエッチング操作後において、形状方位の揃ったテクスチャー構造を有するように、前記Si系結晶内に形状方位の揃った構造を簡易に形成する。キャスト成長用坩堝11の底部に、少なくともSiを含む結晶片12を配置する。次いで、キャスト成長用坩堝11内において、結晶片12の上方にSi原料13を配置する。次いで、キャスト成長用坩堝12を加熱して、結晶片12の少なくとも一部が残存するようにSi原料13を溶解して、Si融液14を形成する。次いで、Si融液14を冷却及び凝固させることにより、結晶片12の残部12AからSi系結晶を一方向成長させる。
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