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Paramétrages

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1. WO2005007769 - PROCEDE DE FIXATION DE LA TEMPERATURE DE CHAUFFAGE DE CARBONATE DE CERIUM, PROCEDE DE PRODUCTION D'ABRASIFS D'OXYDE DE CERIUM, ET ABRASIFS D'OXYDE DE CERIUM OBTENUS A L'AIDE DUDIT PROCEDE

Numéro de publication WO/2005/007769
Date de publication 27.01.2005
N° de la demande internationale PCT/JP2004/010592
Date du dépôt international 20.07.2004
CIB
C01F 17/00 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
01CHIMIE INORGANIQUE
FCOMPOSÉS DE BÉRYLLIUM, MAGNÉSIUM, ALUMINIUM, CALCIUM, STRONTIUM, BARYUM, RADIUM, THORIUM OU COMPOSÉS DES MÉTAUX DES TERRES RARES
17Composés des métaux des terres rares
C09G 1/02 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
09COLORANTS; PEINTURES; PRODUITS À POLIR; RÉSINES NATURELLES; ADHÉSIFS; COMPOSITIONS NON PRÉVUES AILLEURS; UTILISATIONS DE SUBSTANCES, NON PRÉVUES AILLEURS
GCOMPOSITIONS DE PRODUITS À POLIR AUTRES QUE LE VERNIS À L'ALCOOL; FARTS
1Compositions de produits à polir
02contenant des abrasifs ou agents de polissage
H01L 21/3105 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
31pour former des couches isolantes en surface, p.ex. pour masquer ou en utilisant des techniques photolithographiques; Post-traitement de ces couches; Emploi de matériaux spécifiés pour ces couches
3105Post-traitement
CPC
C01F 17/206
CCHEMISTRY; METALLURGY
01INORGANIC CHEMISTRY
FCOMPOUNDS OF THE METALS BERYLLIUM, MAGNESIUM, ALUMINIUM, CALCIUM, STRONTIUM, BARIUM, RADIUM, THORIUM, OR OF THE RARE-EARTH METALS
17Compounds of rare earth metals
20Compounds containing only rare earth metals as the metal element
206oxide or hydroxide being the only anion
C01P 2004/10
CCHEMISTRY; METALLURGY
01INORGANIC CHEMISTRY
PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
2004Particle morphology
10extending in one dimension, e.g. needle-like
C01P 2006/12
CCHEMISTRY; METALLURGY
01INORGANIC CHEMISTRY
PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
2006Physical properties of inorganic compounds
12Surface area
C01P 2006/80
CCHEMISTRY; METALLURGY
01INORGANIC CHEMISTRY
PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
2006Physical properties of inorganic compounds
80Compositional purity
C09G 1/02
CCHEMISTRY; METALLURGY
09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
GPOLISHING COMPOSITIONS OTHER THAN FRENCH POLISH; SKI WAXES
1Polishing compositions
02containing abrasives or grinding agents
C09K 3/1409
CCHEMISTRY; METALLURGY
09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
3Materials not provided for elsewhere
14Anti-slip materials; Abrasives
1409Abrasive particles per se
Déposants
  • SHOWA DENKO K.K. [JP/JP]; 13-9, Shiba Daimon 1-chome Minato-ku, Tokyo 1058518, JP (AllExceptUS)
  • MIZUKAMI, Hiroshi [JP/JP]; JP (UsOnly)
Inventeurs
  • MIZUKAMI, Hiroshi; JP
Mandataires
  • AOKI, Atsushi ; A. Aoki, Ishida & Associates Toranomon 37 Mori Bldg. 5-1, Toranomon 3-chome Minato-ku, Tokyo 1058423, JP
Données relatives à la priorité
2003-19872617.07.2003JP
60/489,91925.07.2003US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) METHOD FOR SETTING FIRING TEMPERATURE OF CERIUM CARBONATE, METHOD FOR PRODUCING CERIUM OXIDE ABRASIVES AND CERIUM OXIDE ABRASIVES OBTAINED BY THE METHOD
(FR) PROCEDE DE FIXATION DE LA TEMPERATURE DE CHAUFFAGE DE CARBONATE DE CERIUM, PROCEDE DE PRODUCTION D'ABRASIFS D'OXYDE DE CERIUM, ET ABRASIFS D'OXYDE DE CERIUM OBTENUS A L'AIDE DUDIT PROCEDE
Abrégé
(EN)
A method for producing a cerium oxide abrasive, characterized in that the method comprises firing a raw material of cerium carbonate having a fluorine content F (ppm by mass) falling within a range of 10 to 500 ppm by mass, at a firing temperature T (°C) selected within a temperature range defined by the following formula: 730 - 14[log(F)] ≤ T ≤ 790 - 10[log(F)].
(FR)
L'invention a trait à un procédé de production d'un abrasif d'oxyde de cérium, ledit procédé étant caractérisé en ce qu'il consiste à chauffer une matière première de carbonate de cérium possédant une teneur en fluorine F (mg/l en masse) comprise entre 10 et 500 mg/l en masse, à une température de chauffage T (°C) sélectionnée dans une gamme de températures définie par la formule suivante : 730 - 14[log(F)] = T = 790 - 10[log(F)].
Également publié en tant que
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