Traitement en cours

Veuillez attendre...

Paramétrages

Paramétrages

1. WO2005007718 - COMPOSITION POSITIVE DE RESERVE ET PROCEDE DE FORMATION DE MOTIFS DE RESERVE

Numéro de publication WO/2005/007718
Date de publication 27.01.2005
N° de la demande internationale PCT/JP2004/010434
Date du dépôt international 15.07.2004
CIB
C08G 8/10 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
08COMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES ORGANIQUES; LEUR PRÉPARATION OU LEUR MISE EN UVRE CHIMIQUE; COMPOSITIONS À BASE DE COMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES
GCOMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES OBTENUS PAR DES RÉACTIONS AUTRES QUE CELLES FAISANT INTERVENIR UNIQUEMENT DES LIAISONS NON SATURÉES CARBONE-CARBONE
8Polymères de condensation obtenus uniquement à partir d'aldéhydes ou de cétones avec des phénols
04d'aldéhydes
08de formaldéhyde, p.ex. de formaldéhyde formé in situ
10avec du phénol
C08L 61/06 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
08COMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES ORGANIQUES; LEUR PRÉPARATION OU LEUR MISE EN UVRE CHIMIQUE; COMPOSITIONS À BASE DE COMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES
LCOMPOSITIONS CONTENANT DES COMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES
61Compositions contenant des polymères de condensation d'aldéhydes ou de cétones; Compositions contenant des dérivés de tels polymères
04Polymères de condensation obtenus uniquement à partir d'aldéhydes ou de cétones avec des phénols
06d'aldéhydes avec des phénols
G03F 7/023 2006.01
GPHYSIQUE
03PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
FPRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
7Production par voie photomécanique, p.ex. photolithographique, de surfaces texturées, p.ex. surfaces imprimées; Matériaux à cet effet, p.ex. comportant des photoréserves; Appareillages spécialement adaptés à cet effet
004Matériaux photosensibles
022Quinonediazides
023Quinonediazides macromoléculaires; Additifs macromoléculaires, p.ex. liants
CPC
C08G 8/10
CCHEMISTRY; METALLURGY
08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
GMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
8Condensation polymers of aldehydes or ketones with phenols only
04of aldehydes
08of formaldehyde, e.g. of formaldehyde formed in situ
10with phenol
C08L 61/06
CCHEMISTRY; METALLURGY
08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
LCOMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
61Compositions of condensation polymers of aldehydes or ketones
04Condensation polymers of aldehydes or ketones with phenols only
06of aldehydes with phenols
G03F 7/0236
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
004Photosensitive materials
022Quinonediazides
023Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders
0233characterised by the polymeric binders or the macromolecular additives other than the macromolecular quinonediazides
0236Condensation products of carbonyl compounds and phenolic compounds, e.g. novolak resins
Déposants
  • TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD. [JP/JP]; 150, Nakamaruko, Nakahara-ku Kawasaki-shi, Kanagawa 2110012, JP (AllExceptUS)
  • MASUDA, Yasuo [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • OKUI, Toshiki [JP/JP]; JP (UsOnly)
Inventeurs
  • MASUDA, Yasuo; JP
  • OKUI, Toshiki; JP
Mandataires
  • TANAI, Sumio ; 2-3-1, Yaesu, Chuo-ku Tokyo 104-8453, JP
Données relatives à la priorité
2003-27505116.07.2003JP
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) POSITIVE PHOTORESIST COMPOSITION AND METHOD OF FORMING RESIST PATTERN
(FR) COMPOSITION POSITIVE DE RESERVE ET PROCEDE DE FORMATION DE MOTIFS DE RESERVE
Abrégé
(EN)
A positive photoresist composition comprising an alkali-soluble novolak resin (A) containing a structural unit (al) represented by a general formula (I) shown below, and a structural unit (a2) represented by a general formula (II) shown below, and a photosensitizer (B).
(FR)
L'invention porte sur une composition positive de réserve consistant en une résine novolaque alcalinosoluble (A) comprenant une unité structurelle (a1) de formule générale (I), une unité structurelle (a2) de formule générale (II) et un photosensibiliseur (B).
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international