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Paramétrages

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1. WO2005007571 - DISPOSITIF ET PROCEDE DE FABRICATION DE NANOTUBES DE CARBONE

Numéro de publication WO/2005/007571
Date de publication 27.01.2005
N° de la demande internationale PCT/JP2003/009172
Date du dépôt international 18.07.2003
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 15.12.2004
CIB
C01B 31/02 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
01CHIMIE INORGANIQUE
BÉLÉMENTS NON MÉTALLIQUES; LEURS COMPOSÉS
31Carbone; Ses composés
02Préparation du carbone; Purification
CPC
B82Y 30/00
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
82NANOTECHNOLOGY
YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
30Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
B82Y 40/00
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
82NANOTECHNOLOGY
YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
40Manufacture or treatment of nanostructures
C01B 2202/08
CCHEMISTRY; METALLURGY
01INORGANIC CHEMISTRY
BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; ; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
2202Structure or properties of carbon nanotubes
08Aligned nanotubes
C01B 32/162
CCHEMISTRY; METALLURGY
01INORGANIC CHEMISTRY
BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; ; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
32Carbon; Compounds thereof
15Nano-sized carbon materials
158Carbon nanotubes
16Preparation
162characterised by catalysts
Déposants
  • AKAMATSU, Norio [JP/JP]; JP
  • NISHIKADO, Hiroshi [JP/JP]; JP
  • YANO, Kensuke [JP/JP]; JP (UsOnly)
Inventeurs
  • AKAMATSU, Norio; JP
  • NISHIKADO, Hiroshi; JP
  • YANO, Kensuke; JP
Mandataires
  • ARAFUNE, Hiroshi ; 5F, Nikko Kagurazaka Bldg. 18, Iwatocho, Shinjuku-ku Tokyo 162-0832, JP
Données relatives à la priorité
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) CARBON NANOTUBE MANUFACTURING APPARATUS AND METHOD FOR MANUFACTURING CARBON NANOTUBE
(FR) DISPOSITIF ET PROCEDE DE FABRICATION DE NANOTUBES DE CARBONE
(JA) カーボンナノチューブ製造装置及びカーボンナノチューブ製造方法
Abrégé
(EN)
A carbon nanotube manufacturing apparatus (1000, 2000, 3000) comprises an ionizing means (e.g. a negative ion generator (10)) for ionizing a vapor of a certain carbon-containing compound, an electric field generating means (e.g. a direct-current power supply (21), a cathode (22) and an anode (23)) for generating an electric field and a heating means (e.g. a high-frequency heater (30)) for heating a growth substrate (50, 55) disposed within the electric field generated by the electric field generating means. A carbon nanotube manufacturing method in which an ionized vapor of the carbon-containing compound is passed through the electric field and brought into contact with the heated growth substrate, so that a carbon nanotube (4) is orientationally grown on the growth substrate is adopted.
(FR)
L'invention concerne un dispositif (1000, 2000, 3000) permettant de fabriquer des nanotubes de carbone, qui comprend des moyens ionisants (p. ex. générateur d'ions négatifs (10)) pour ioniser la vapeur d'un certain composé carboné ; des moyens de production de champ électrique (p. ex. alimentation (21) en courant continu), cathode (22) et anode (23)) pour produire un champ électrique ; et des moyens de chauffe (p. ex. élément chauffant (30) haute fréquence) pour chauffer un substrat de croissance (50, 55) placé dans le champ électrique produit par les moyens de production de champ électrique. L'invention concerne aussi un procédé de fabrication de nanotubes de carbone, dans lequel la vapeur ionisée du composé carboné passe à travers le champ électrique et est mise en contact avec le substrat de croissance chauffé, de manière à faire croître un nanotube (4) de carbone dans une certaine orientation sur ledit substrat.
(JA)
 カーボンナノチューブ製造装置(1000、2000、3000)において、所定の炭素含有化合物の気化ガスをイオン化するイオン化手段(例えば、マイナスイオン発生器10)と、電界を発生する電界発生手段(例えば、直流電源21とカソード電極22とアノード電極23)と、電界発生手段により発生された電界内に配置される成長基板(50、55)を加熱する加熱手段(例えば、高周波加熱器30)と、を備え、イオン化された炭素含有化合物の気化ガスを、電界内を通過させることにより、加熱された成長基板に接触させることで、カーボンナノチューブ(4)を成長基板に配向成長させるカーボンナノチューブ製造方法を採用した。
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