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Paramétrages

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1. WO2005006509 - LASER A CAVITE VERTICALE ET A EMISSION PAR LA SURFACE PRESENTANT UNE COMMANDE DE MODE TRANSVERSAL AMELIOREE PAR L'OPTIMISATION DE L'OUVERTURE D'OXYDE ACCRUE PAR RAPPORT AUX DIMENSIONS DE LASER

Numéro de publication WO/2005/006509
Date de publication 20.01.2005
N° de la demande internationale PCT/EP2004/007386
Date du dépôt international 06.07.2004
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 09.04.2005
CIB
H01S 5/065 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
SDISPOSITIFS UTILISANT LE PROCÉDÉ D'AMPLIFICATION DE LA LUMIÈRE PAR ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT POUR AMPLIFIER OU GÉNÉRER DE LA LUMIÈRE; DISPOSITIFS UTILISANT L’ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT ÉLECTROMAGNÉTIQUE DANS DES GAMMES D’ONDES AUTRES QU'OPTIQUES
5Lasers à semi-conducteurs
06Dispositions pour commander les paramètres de sortie du laser, p.ex. en agissant sur le milieu actif
065Accrochage de modes; Suppression de modes; Sélection de modes
H01S 5/183 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
SDISPOSITIFS UTILISANT LE PROCÉDÉ D'AMPLIFICATION DE LA LUMIÈRE PAR ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT POUR AMPLIFIER OU GÉNÉRER DE LA LUMIÈRE; DISPOSITIFS UTILISANT L’ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT ÉLECTROMAGNÉTIQUE DANS DES GAMMES D’ONDES AUTRES QU'OPTIQUES
5Lasers à semi-conducteurs
10Structure ou forme du résonateur optique
18Lasers à émission de surface
183ayant une cavité verticale
CPC
H01S 2301/166
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
2301Functional characteristics
16Semiconductor lasers with special structural design to influence the modes, e.g. specific multimode
166Single transverse or lateral mode
H01S 5/18313
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
5Semiconductor lasers
10Construction or shape of the optical resonator ; , e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
18Surface-emitting [SE] lasers
183having a vertical cavity [VCSE-lasers]
18308having a special structure for lateral current or light confinement
18311using selective oxidation
18313by oxidizing at least one of the DBR layers
H01S 5/18338
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
5Semiconductor lasers
10Construction or shape of the optical resonator ; , e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
18Surface-emitting [SE] lasers
183having a vertical cavity [VCSE-lasers]
18308having a special structure for lateral current or light confinement
18338Non-circular shape of the structure
H01S 5/18344
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
5Semiconductor lasers
10Construction or shape of the optical resonator ; , e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
18Surface-emitting [SE] lasers
183having a vertical cavity [VCSE-lasers]
18344characterized by the mesa, e.g. dimensions or shape of the mesa
H01S 5/18355
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
5Semiconductor lasers
10Construction or shape of the optical resonator ; , e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
18Surface-emitting [SE] lasers
183having a vertical cavity [VCSE-lasers]
18355having a defined polarisation
H01S 5/18394
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
5Semiconductor lasers
10Construction or shape of the optical resonator ; , e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
18Surface-emitting [SE] lasers
183having a vertical cavity [VCSE-lasers]
18386Details of the emission surface for influencing the near- or far-field, e.g. a grating on the surface
18394Apertures, e.g. defined by the shape of the upper electrode
Déposants
  • AVALON PHOTONICS AG [CH/CH]; Badenerstrasse 569 CH-8048 Zurich, CH (AllExceptUS)
  • ROYO, Paul [CH/CH]; CH (UsOnly)
Inventeurs
  • ROYO, Paul; CH
Mandataires
  • PFAU, Anton; Grünecker, Kinkeldey, Stockmair & Schwanhäusser Maximilianstrasse 58 80538 München, DE
Données relatives à la priorité
03015307.607.07.2003EP
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) A VERTICAL HAVING IMPROVED TRANSVERSE MODE CONTROL BY OPTIMIZING THE INCREASED OXIDE APERTURE RELATIVE TO THE LASER DIMENSIONS
(FR) LASER A CAVITE VERTICALE ET A EMISSION PAR LA SURFACE PRESENTANT UNE COMMANDE DE MODE TRANSVERSAL AMELIOREE PAR L'OPTIMISATION DE L'OUVERTURE D'OXYDE ACCRUE PAR RAPPORT AUX DIMENSIONS DE LASER
Abrégé
(EN)
The present invention provides a VCSEL device (100) and a method of fabricating the same, wherein two or more characteristic device dimensions (DM, DP) are correlated with each other so as to optimise single mode emission, while at the same time significantly providing an increased oxide aperture (DOX) compared to conventional devices. Thus, device lifetime and reliability are enhanced. The present invention may rely on well-established process techniques for VCSEL devices having an oxide aperture (DOX), wherein merely one additional mesa etch step is required.
(FR)
La présente invention a trait à un dispositif laser à cavité verticale et à émission par la surface (100) et son procédé de fabrication, dans lequel au moins deux dimensions caractéristiques de dispositif (dm, dp) sont corrélées l'une avec l'autre en vue d'optimiser une émission unimodale, tout en fournissant une ouverture d'oxyde (dox) accrue par rapport aux dispositifs classiques. Ainsi, la durée de vie et la fiabilité du dispositif sont améliorées. La présente invention peut également être basée sur des techniques de traitement bien établies pour des dispositifs laser à cavité verticale et à émission par la surface comportant une ouverture d'oxyde (dox), où une simple étape supplémentaire de gravure de mésa est requise.
Également publié en tant que
US2007091959
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international