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Paramétrages

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1. WO2005006507 - LASER A SEMI-CONDUCTEUR ET PROCEDE DE FABRICATION

Numéro de publication WO/2005/006507
Date de publication 20.01.2005
N° de la demande internationale PCT/IE2004/000091
Date du dépôt international 24.06.2004
CIB
H01S 5/065 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
SDISPOSITIFS UTILISANT LE PROCÉDÉ D'AMPLIFICATION DE LA LUMIÈRE PAR ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT POUR AMPLIFIER OU GÉNÉRER DE LA LUMIÈRE; DISPOSITIFS UTILISANT L’ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT ÉLECTROMAGNÉTIQUE DANS DES GAMMES D’ONDES AUTRES QU'OPTIQUES
5Lasers à semi-conducteurs
06Dispositions pour commander les paramètres de sortie du laser, p.ex. en agissant sur le milieu actif
065Accrochage de modes; Suppression de modes; Sélection de modes
H01S 5/10 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
SDISPOSITIFS UTILISANT LE PROCÉDÉ D'AMPLIFICATION DE LA LUMIÈRE PAR ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT POUR AMPLIFIER OU GÉNÉRER DE LA LUMIÈRE; DISPOSITIFS UTILISANT L’ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT ÉLECTROMAGNÉTIQUE DANS DES GAMMES D’ONDES AUTRES QU'OPTIQUES
5Lasers à semi-conducteurs
10Structure ou forme du résonateur optique
H01S 5/22 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
SDISPOSITIFS UTILISANT LE PROCÉDÉ D'AMPLIFICATION DE LA LUMIÈRE PAR ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT POUR AMPLIFIER OU GÉNÉRER DE LA LUMIÈRE; DISPOSITIFS UTILISANT L’ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT ÉLECTROMAGNÉTIQUE DANS DES GAMMES D’ONDES AUTRES QU'OPTIQUES
5Lasers à semi-conducteurs
20Structure ou forme du corps semi-conducteur pour guider l'onde optique
22ayant une structure à nervures ou à bandes
CPC
H01S 5/065
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
5Semiconductor lasers
06Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
065Mode locking; Mode suppression; Mode selection ; ; Self pulsating
H01S 5/0656
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
5Semiconductor lasers
06Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
065Mode locking; Mode suppression; Mode selection ; ; Self pulsating
0656Seeding, i.e. an additional light input is provided for controlling the laser modes, for example by back-reflecting light from an external optical component
H01S 5/1017
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
5Semiconductor lasers
10Construction or shape of the optical resonator ; , e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
1003Waveguide having a modified shape along the axis, e.g. branched, curved, tapered, voids
1017Waveguide having a void for insertion of materials to change optical properties
H01S 5/1021
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
5Semiconductor lasers
10Construction or shape of the optical resonator ; , e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
1021Coupled cavities
H01S 5/2231
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
5Semiconductor lasers
20Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
22having a ridge or stripe structure
223Buried stripe structure
2231with inner confining structure only between the active layer and the upper electrode
Déposants
  • EBLANA PHOTONICS LIMITED [IE/IE]; Trinity College Enterprise Centre Pearse Street Dublin 2, IE (AllExceptUS)
  • PATCHELL, John, Anthony [IE/IE]; IE (UsOnly)
  • KELLY, Brian, Joseph [IE/IE]; IE (UsOnly)
  • O'GORMAN, James, Christopher [IE/IE]; IE (UsOnly)
Inventeurs
  • PATCHELL, John, Anthony; IE
  • KELLY, Brian, Joseph; IE
  • O'GORMAN, James, Christopher; IE
Mandataires
  • PAUL, Richard; Murgitroyd & Company Unit 1, Block 8 Blanchardstown Corporate Park Cruiserath Road Dublin 15, IE
Données relatives à la priorité
S2003/051611.07.2003IE
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) SEMICONDUCTOR LASER AND METHOD OF MANUFACTURE
(FR) LASER A SEMI-CONDUCTEUR ET PROCEDE DE FABRICATION
Abrégé
(EN)
Disclosed is a laser (10) comprising a lasing cavity with a lasing medium and primary optical feedback means in the form of a facet (17) at either end of the cavity, the laser cavity defining a longitudinally extending optical path; and secondary optical feedback means formed by a plurality of refractive index perturbations (16, 22) in the laser cavity, each perturbation defining two interfaces (20, 21); characterised in that, for at least one perturbation, only one of the two interfaces contributes to optical feedback along the optical path. The present invention relaxes the lithographic tolerances for making single longitudinal mode devices and improves performance characteristics.
(FR)
Cette invention se rapporte à un laser (10), qui comprend une cavité laser avec un milieu actif d'émission laser et un moyen de rétroaction optique primaire se présentant sous la forme une facette (17) à une et l'autre extrémités de la cavité, laquelle définit un trajet optique s'étendant longitudinalement ; et un moyen de rétroaction optique secondaire formé par plusieurs perturbations de l'indice de réfraction (16, 22) dans la cavité laser, chacune de ces perturbations définissant deux interfaces (20, 21). Ce laser se caractérise en ce que, pour au moins une perturbation, seule une des deux interfaces contribue à la rétroaction optique le long du trajet optique. Cette invention permet d'étendre les tolérances lithographiques lors de la fabrication de dispositifs laser à mode longitudinal unique, tout en améliorant les performances.
Également publié en tant que
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