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Paramétrages

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1. WO2005006448 - TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP ET PROCEDE POUR PRODUIRE UN TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP

Numéro de publication WO/2005/006448
Date de publication 20.01.2005
N° de la demande internationale PCT/EP2004/007109
Date du dépôt international 30.06.2004
CIB
H01L 29/786 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66Types de dispositifs semi-conducteurs
68commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
76Dispositifs unipolaires
772Transistors à effet de champ
78l'effet de champ étant produit par une porte isolée
786Transistors à couche mince
H01L 51/40 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
51Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives
05spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances à l'état solide, ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
40Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives
CPC
H01L 29/78642
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
66Types of semiconductor device ; ; Multistep manufacturing processes therefor
68controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
76Unipolar devices ; , e.g. field effect transistors
772Field effect transistors
78with field effect produced by an insulated gate
786Thin film transistors, ; i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
78642Vertical transistors
H01L 51/0004
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
51Solid state devices using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of such devices, or of parts thereof
0001Processes specially adapted for the manufacture or treatment of devices or of parts thereof
0002Deposition of organic semiconductor materials on a substrate
0003using liquid deposition, e.g. spin coating
0004using printing techniques, e.g. ink-jet printing, screen printing
H01L 51/0024
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
51Solid state devices using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of such devices, or of parts thereof
0001Processes specially adapted for the manufacture or treatment of devices or of parts thereof
0024for forming devices by joining two substrates together, e.g. lamination technique
H01L 51/0512
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
51Solid state devices using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of such devices, or of parts thereof
05specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential- jump barrier or surface barrier ; multistep processes for their manufacture
0504the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or swiched, e.g. three-terminal devices
0508Field-effect devices, e.g. TFTs
0512insulated gate field effect transistors
Déposants
  • FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V. [DE/DE]; Hansastrasse 27c 80686 München, DE (AllExceptUS)
  • AMELUNG, Jörg [DE/DE]; DE (UsOnly)
  • WEDEL, Armin [DE/DE]; DE (UsOnly)
  • TODT, Ulrich [DE/DE]; DE (UsOnly)
Inventeurs
  • AMELUNG, Jörg; DE
  • WEDEL, Armin; DE
  • TODT, Ulrich; DE
Mandataires
  • SCHOPPE, Fritz ; SCHOPPE, ZIMMERMANN, STÖCKELER & ZINKLER Postfach 246 82043 Pullach bei München, DE
Données relatives à la priorité
03015994.114.07.2003EP
Langue de publication allemand (DE)
Langue de dépôt allemand (DE)
États désignés
Titre
(DE) FELDEFFEKTTRANSISTOR UND VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES FELDEFFEKTTRANSISTORS
(EN) FIELD EFFECT TRANSISTOR AND METHOD FOR THE PRODUCTION OF A FIELD EFFECT TRANSISTOR
(FR) TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP ET PROCEDE POUR PRODUIRE UN TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP
Abrégé
(DE)
Ein Feldeffekttransistor umfaßt ein Substrat (10) mit einer Hauptoberfläche (10a), eine Drainschicht (16) und eine Sourceschicht (12), die sich in Richtung der Hauptoberfläche (10a) des Substrats erstrecken und übereinander angeordnet sind, und eine isolierende Schicht (14), die sich zwischen der Drainschicht (16) und der Sourceschicht (12) erstreckt. Der Feldeffekttransistor umfaßt ferner eine Kanalschicht (20), die sich auf einer seitlichen Begrenzungsfläche (14a) der isolierenden Schicht (14) erstreckt und mit der Drainschicht (16) und der Sourceschicht (12) verbunden ist. Ferner ist eine Gateisolatorschicht (24), die sich auf der Kanalschicht (20) erstreckt, und eine auf der Gateisolatorschicht (24) angeordnete Gateschicht (26) vorgesehen.
(EN)
The invention relates to a field effect transistor provided with a substrate (10) comprising a main surface (10a), a drain layer (16) and a source layer (12) which extends in the direction of the main surface (10a) of the substrate, whereby said layers are arranged on top of each other, also comprising an insulating layer (14) which extends between the drain layer (16) and the source layer (12). The field effect transistor further comprises a channel layer (20) which extends on a lateral defining surface (14a) of the insulating layer (14) and which is connected to the drain layer (16) and the source layer (12). Additionally, a gate insulating layer (24), which extends on the channel layer (20) and a gate layer (26) arranged on a gate insulating layer (24), are provided.
(FR)
La présente invention concerne un transistor à effet de champ qui comprend un substrat (10) présentant une surface principale (10a), une couche de drain (16) et une couche de source (12) qui s'étendent en direction de la surface principale (10a) et se trouvent l'une sur l'autre, ainsi qu'une couche isolante (14) qui s'étend entre la couche de drain (16) et la couche de source (12). Le transistor à effet de champ comprend également une couche de canal (20) qui s'étend sur une surface de délimitation latérale (14a) de la couche isolante (14) et qui est reliée à la couche de drain (16) et à la couche de source (12), ainsi qu'une couche d'isolant de grille (24) qui s'étend sur la couche de canal (20) et une couche de grille (26) située sur la couche d'isolant de grille (24).
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