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Paramétrages

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1. WO2005006424 - PROCEDE ET APPAREIL POUR L'ELIMINATION D'UNE COUCHE ORGANIQUE RESIDUELLE D'UN SUBSTRAT AU MOYEN DE GAZ REACTIFS

Numéro de publication WO/2005/006424
Date de publication 20.01.2005
N° de la demande internationale PCT/US2004/018610
Date du dépôt international 10.06.2004
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 27.01.2005
CIB
H01L 21/00 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
H01L 21/306 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
302pour changer leurs caractéristiques physiques de surface ou leur forme, p.ex. gravure, polissage, découpage
306Traitement chimique ou électrique, p.ex. gravure électrolytique
H01L 21/311 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
31pour former des couches isolantes en surface, p.ex. pour masquer ou en utilisant des techniques photolithographiques; Post-traitement de ces couches; Emploi de matériaux spécifiés pour ces couches
3105Post-traitement
311Gravure des couches isolantes
CPC
G03F 7/423
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
26Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
42Stripping or agents therefor
422using liquids only
423containing mineral acids or salts thereof, containing mineral oxidizing substances, e.g. peroxy compounds
H01L 21/31133
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
31to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques
3105After-treatment
311Etching the insulating layers ; by chemical or physical means
31127Etching organic layers
31133by chemical means
H01L 21/6708
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
67011Apparatus for manufacture or treatment
67017Apparatus for fluid treatment
67063for etching
67075for wet etching
6708using mainly spraying means, e.g. nozzles
H01L 21/67086
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
67011Apparatus for manufacture or treatment
67017Apparatus for fluid treatment
67063for etching
67075for wet etching
67086with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels
Déposants
  • LAM RESEARCH CORPORATION [US/US]; 4650 Cushing Parkway Fremont, CA 94538, US (AllExceptUS)
  • DE LARIOS, John, M. [US/US]; US (UsOnly)
Inventeurs
  • DE LARIOS, John, M.; US
Mandataires
  • HSU, Michael, K.; Martine & Penilla, LLP 710 Lakeway Drive, Suite 170 Sunnyvale, CA 94085, US
Données relatives à la priorité
10/608,87127.06.2003US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) METHOD AND APPARATUS FOR REMOVING A RESIDUAL ORGANIC LAYER FROM A SUBSTRATE USING REACTIVE GASES
(FR) PROCEDE ET APPAREIL POUR L'ELIMINATION D'UNE COUCHE ORGANIQUE RESIDUELLE D'UN SUBSTRAT AU MOYEN DE GAZ REACTIFS
Abrégé
(EN)
A system and method for removing a layer from a substrate surface is provided. The method includes providing at least one encapsulating transport, where the encapsulating transport contains at least some reactive gas. At least one encapsulating transport is applied to the layer, and the layer is a chemically reactive layer. The encapsulating transport ruptures on the chemically reactive layer and releases the reactive gas in combination with a reaction inducing agent onto the chemically reactive layer to facilitate removal of the layer from the substrate surface. The at least one encapsulating transport is a bubble or a foam.
(FR)
La présente invention a trait à un système et un procédé pour l'élimination d'une couche à partir d'un substrat. Le procédé comprend la mise à disposition d'au moins un support d'encapsulation, le support d'encapsulation contenant au moins un gaz réactif. Au moins un support d'encapsulation est appliqué à la couche, et la couche est une couche à réaction chimique. Le support d'encapsulation réalise la rupture de la couche à réaction chimique et libère le gaz réactif en combinaison avec un agent induisant une réaction sur la couche à réaction chimique pour faciliter l'élimination de la couche à partir de la surface du substrat. Ledit au moins un support d'encapsulation est une bulle ou une mousse.
Également publié en tant que
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