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Paramétrages

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1. WO2005006421 - PROCEDE DE CROISSANCE EPITAXIALE

Numéro de publication WO/2005/006421
Date de publication 20.01.2005
N° de la demande internationale PCT/JP2004/006144
Date du dépôt international 28.04.2004
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 08.03.2005
CIB
C30B 23/02 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
30CROISSANCE DES CRISTAUX
BCROISSANCE DES MONOCRISTAUX; SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE; PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; APPAREILLAGES À CET EFFET
23Croissance des monocristaux par condensation d'un matériau évaporé ou sublimé
02Croissance d'une couche épitaxiale
C30B 29/40 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
30CROISSANCE DES CRISTAUX
BCROISSANCE DES MONOCRISTAUX; SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE; PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; APPAREILLAGES À CET EFFET
29Monocristaux ou matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée caractérisés par leurs matériaux ou par leur forme
10Composés inorganiques ou compositions inorganiques
40Composés AIII BV
H01L 21/203 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
20Dépôt de matériaux semi-conducteurs sur un substrat, p.ex. croissance épitaxiale
203en utilisant un dépôt physique, p.ex. dépôt sous vide, pulvérisation
CPC
C30B 23/02
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
23Single-crystal growth by condensing evaporated or sublimed materials
02Epitaxial-layer growth
C30B 29/40
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
29Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
10Inorganic compounds or compositions
40AIIIBV compounds ; wherein A is B, Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
H01L 21/02392
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02367Substrates
0237Materials
02387Group 13/15 materials
02392Phosphides
H01L 21/02463
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02436Intermediate layers between substrates and deposited layers
02439Materials
02455Group 13/15 materials
02463Arsenides
H01L 21/02543
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02518Deposited layers
02521Materials
02538Group 13/15 materials
02543Phosphides
H01L 21/02631
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02612Formation types
02617Deposition types
02631Physical deposition at reduced pressure, e.g. MBE, sputtering, evaporation
Déposants
  • 株式会社日鉱マテリアルズ NIKKO MATERIALS CO., LTD. [JP/JP]; 〒1058407 東京都港区虎ノ門二丁目10番1号 Tokyo 10-1, Toranomon 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1058407, JP (AllExceptUS)
  • 高草木 操 TAKAKUSAKI, Misao [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • 金井 進 KANAI, Susumu [JP/JP]; JP (UsOnly)
Inventeurs
  • 高草木 操 TAKAKUSAKI, Misao; JP
  • 金井 進 KANAI, Susumu; JP
Mandataires
  • 荒船 博司 ARAFUNE, Hiroshi; 〒1620832 東京都新宿区岩戸町18番地 日交神楽坂ビル5階 Tokyo 5F, Nikko Kagurazaka Building, 18, Iwato-cho, Shinjuku-ku, Tokyo 162-0832, JP
Données relatives à la priorité
2003-27444115.07.2003JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) EPITAXIAL GROWTH PROCESS
(FR) PROCEDE DE CROISSANCE EPITAXIALE
(JA) エピタキシャル成長方法
Abrégé
(EN)
A epitaxial growth process for forming a semiconductor thin film having a heterojunction of a III-V compound semiconductor by a molecular beam epitaxial growth process comprises a first step for forming a first compound semiconductor layer through irradiation with a molecular beam of at least one kind of group III elements and a molecular beam of a first group V element, a second step for stopping irradiation with the molecular beam of group III elements and the molecular beam of the first group V element and interrupting the growth until the supply of the first group V element becomes one tenth or less of the supply in the first step, and a third step for forming a second compound semiconductor layer different from the first compound semiconductor on the first compound semiconductor layer through irradiation with a molecular beam of at least one kind of group III elements and a molecular beam of a second group V element.
(FR)
L'invention concerne un procédé de croissance épitaxiale permettant de former un film fin semi-conducteur possédant une hétérojonction d'un semi-conducteur composé de groupes III-V au moyen d'un procédé de croissance épitaxiale par faisceau moléculaire. Ce procédé comprend une première étape destinée à former une première couche de semi-conducteur composé par irradiation avec un faisceau moléculaire d'au moins une sorte d'éléments de groupe III et un faisceau moléculaire d'un premier élément de groupe V, une deuxième étape destinée à arrêter l'irradiation avec le faisceau moléculaire d'éléments de groupe III et le faisceau moléculaire du premier élément de groupe V et à interrompre la croissance jusqu'à ce que la quantité fournie du premier élément de groupe V soit égale ou inférieure à un dixième de la quantité fournie à la première étape, et une troisième étape destinée à former une seconde couche de semi-conducteur composé différent du premier semi-conducteur composé, située sur la première couche de semi-conducteur composé, par irradiation avec un faisceau moléculaire d'au moins une sorte d'éléments de groupe III et un faisceau moléculaire d'un second élément de groupe V.
(JA)
 分子線エピタキシャル成長法によりIII−V族系化合物半導体のヘテロ接合を有する半導体薄膜を形成するエピタキシャル成長方法であって、少なくとも一種類以上のIII族元素の分子線と第1のV族元素の分子線とを照射して第1の化合物半導体層を形成する第1の工程と、前記III族元素の分子線と前記第1のV族元素の分子線の照射を停止し、前記第1のV族元素の供給量が前記第1の工程における供給量の1/10以下となるまで成長を中断する第2の工程と、少なくとも一種類以上のIII族元素の分子線と第2のV族元素の分子線とを照射して前記第1の化合物半導体層上に前記第1の化合物半導体とは異なる第2の化合物半導体層を形成する第3の工程と、を備えるようにした。
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