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Paramétrages

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1. WO2005006410 - PROCEDE DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEURS ET APPAREIL MIS EN OEUVRE AVEC CE PROCEDE

Numéro de publication WO/2005/006410
Date de publication 20.01.2005
N° de la demande internationale PCT/IB2004/051166
Date du dépôt international 08.07.2004
CIB
H01L 21/00 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
H01L 21/306 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
302pour changer leurs caractéristiques physiques de surface ou leur forme, p.ex. gravure, polissage, découpage
306Traitement chimique ou électrique, p.ex. gravure électrolytique
CPC
C11D 11/0047
CCHEMISTRY; METALLURGY
11ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
DDETERGENT COMPOSITIONS
11Special methods for preparing compositions containing mixtures of detergents
0005Special cleaning and washing methods
0011characterised by the objects to be cleaned
0023"Hard" surfaces
0047Electronic devices, e.g. PCBs, semiconductors
C11D 7/08
CCHEMISTRY; METALLURGY
11ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
DDETERGENT COMPOSITIONS
7Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
02Inorganic compounds
04Water-soluble compounds
08Acids
H01L 21/02063
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02041Cleaning
02057Cleaning during device manufacture
0206during, before or after processing of insulating layers
02063the processing being the formation of vias or contact holes
H01L 21/02071
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02041Cleaning
02057Cleaning during device manufacture
02068during, before or after processing of conductive layers, e.g. polysilicon or amorphous silicon layers
02071the processing being a delineation, e.g. RIE, of conductive layers
H01L 21/76814
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
71Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
768Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device ; comprising conductors and dielectrics
76801characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing
76802by forming openings in dielectrics
76814post-treatment or after-treatment, e.g. cleaning or removal of oxides on underlying conductors
H01L 21/76838
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
71Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
768Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device ; comprising conductors and dielectrics
76838characterised by the formation and the after-treatment of the conductors
Déposants
  • KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V. [NL/NL]; Groenewoudseweg 1 NL-5621 BA Eindhoven, NL (AllExceptUS)
  • RINK, Ingrid, A. [DE/NL]; NL (UsOnly)
  • VROOM, Reinoldus, B., M. [NL/NL]; NL (UsOnly)
Inventeurs
  • RINK, Ingrid, A.; NL
  • VROOM, Reinoldus, B., M.; NL
Mandataires
  • ELEVELD, Koop, J.; Prof. Holstlaan 6 NL-5656 AA Eindhoven, NL
Données relatives à la priorité
03102115.711.07.2003EP
03103918.323.10.2003EP
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) METHOD OF MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR DEVICE AND AN APPARATUS FOR USE IN SUCH A METHOD
(FR) PROCEDE DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEURS ET APPAREIL MIS EN OEUVRE AVEC CE PROCEDE
Abrégé
(EN)
The invention relates to a method of manufacturing a semiconductor device (10) with a substrate (1) and a semiconductor body (11) which comprises at least one semiconductor element, wherein, after formation of the element, a layer structure is formed which comprises at least one electrically insulating layer (2) or an electrically conductive layer (3), wherein an opening is formed in the layer structure with the aid of a patterned photoresist layer (4) and an etching process, wherein residues are formed on the surface of the semiconductor body (11) during the etching process, and wherein the photoresist layer (4) is ashed, after the etching process, by means of a treatment with an oxygen-containing compound, after which the surface is subjected to a cleaning operation using a cleaning agent comprising a diluted solution of an acid in water and being heated to a temperature above room temperature, thereby causing the residues formed to be removed. According to the invention, sulphuric acid is chosen as the acid for the cleaning agent.
(FR)
L'invention se rapporte à un procédé de fabrication d'un dispositif à semi-conducteurs (10) comprenant un substrat (1) et un corps semi-conducteur (11) qui comporte au moins un élément semi-conducteur. Après la formation de cet élément, une structure en couches est formée, cette structure comportant au moins une couche d'isolation électrique (2) ou une couche à conductivité électrique (3). Une ouverture est produite dans la structure en couches au moyen d'une couche de résine photosensible (4) présentant des motifs et un procédé de gravure, au cours duquel des résidus sont formés sur la surface du corps semi-conducteur (11). La couche de résine photosensible (4) est calcinée après le procédé de gravure par un traitement avec un composé contenant de l'oxygène. La surface est ensuite nettoyée au moyen d'un agent nettoyant comportant une solution diluée d'un acide dans l'eau, puis chauffée à une température supérieure à la température ambiante, ce qui permet d'éliminer les résidus formés. Selon l'invention, l'acide utilisé comme agent nettoyant est l'acide sulfurique.
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