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Paramétrages

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1. WO2005006381 - PROCEDE DE PRODUCTION D'ECRAN PLASMA

Numéro de publication WO/2005/006381
Date de publication 20.01.2005
N° de la demande internationale PCT/JP2004/010365
Date du dépôt international 14.07.2004
CIB
H01J 9/02 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
JTUBES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE OU LAMPES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE
9Appareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication de tubes à décharge électrique, de lampes à décharge électrique ou de leurs composants; Récupération de matériaux à partir de tubes ou de lampes à décharge
02Fabrication des électrodes ou des systèmes d'électrodes
CPC
H01J 11/12
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
11Gas-filled discharge tubes with alternating current induction of the discharge, e.g. AC-PDPs [Alternating Current Plasma Display Panels]
10AC-PDPs with at least one main electrode being out of contact with the plasma
12with main electrodes provided on both sides of the discharge space
H01J 11/40
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
11Gas-filled discharge tubes with alternating current induction of the discharge, e.g. AC-PDPs [Alternating Current Plasma Display Panels]
20Constructional details
34Vessels, containers or parts thereof, e.g. substrates
40Layers for protecting or enhancing the electron emission, e.g. MgO layers
H01J 9/02
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
9Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, ; installation, removal, maintenance; of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof
02Manufacture of electrodes or electrode systems
Déposants
  • 松下電器産業株式会社 MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD. [JP/JP]; 〒5718501 大阪府門真市大字門真1006番地 Osaka 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi Osaka 5718501, JP (AllExceptUS)
  • 高瀬 道彦 TAKASE, Michihiko; null (UsOnly)
Inventeurs
  • 高瀬 道彦 TAKASE, Michihiko; null
Mandataires
  • 岩橋 文雄 IWAHASHI, Fumio; 〒5718501 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器産業株式会社内 Osaka c/o Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi Osaka 5718501, JP
Données relatives à la priorité
2003-19715815.07.2003JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) METHOD FOR MANUFACTURING PLASMA DISPLAY PANEL
(FR) PROCEDE DE PRODUCTION D'ECRAN PLASMA
(JA) プラズマディスプレイパネルの製造方法
Abrégé
(EN)
Disclosed is a method for forming a good-quality metal oxide film on a substrate of a plasma display panel. In a step for forming a protective layer (8) composed of an MgO film as a metal oxide film, the film is formed while keeping the vacuum degree in a deposition chamber (21) as the film-forming chamber within the range from 1 × 10-1 Pa to 1 × 10-2 Pa. Consequently, the protective film (8) can be formed at a good film-forming rate, obtaining good film properties. As a result, it becomes possible to produce a plasma display panel with good image display quality.
(FR)
L'invention concerne un procédé de formation d'une couche mince d'oxyde métallique de bonne qualité sur un substrat d'un écran plasma. Dans une étape de formation d'une couche de protection (8) composée d'une couche mince MgO en tant que couche mince d'oxyde métallique, la couche mince est formée tout en conservant le degré de vide dans une chambre de dépôt (21) faisant office de chambre de formation de couche mince dans la plage comprise entre 1 x 10-1 Pa et 1 x 10-2 Pa. Par conséquent, la couche de protection (8) peut être formée à un bon taux de formation de couche, ce qui permet d'obtenir de bonnes propriétés de film. Il s'avère ainsi possible de produire un écran plasma présentant une bonne qualité d'affichage d'image.
(JA)
プラズマディスプレイパネルの基板へ良質な金属酸化膜を成膜する製造方法である。金属酸化膜であるMgO膜による保護層(8)を形成する工程において、その際の成膜は、成膜室である蒸着室(21)内の真空度を1×10−1Pa~1×10−2Paの範囲内とした状態で行い、保護層(8)の形成において、成膜レートや膜質が良好で、画像表示を良質に行うことができるプラズマディスプレイパネルを製造することが可能となる。
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