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Paramétrages

Paramétrages

1. WO2005006102 - SOURCE DE TENSION DE BASSE REFERENCE INDEPENDANTE DE LA TEMPERATURE

Numéro de publication WO/2005/006102
Date de publication 20.01.2005
N° de la demande internationale PCT/SI2003/000022
Date du dépôt international 09.07.2003
CIB
G05F 3/24 2006.01
GPHYSIQUE
05COMMANDE; RÉGULATION
FSYSTÈMES DE RÉGULATION DES VARIABLES ÉLECTRIQUES OU MAGNÉTIQUES
3Systèmes non rétroactifs pour la régulation des variables électriques par l'utilisation d'un élément non commandé, ou d'une combinaison d'éléments non commandés, un tel élément ou une telle combinaison étant propre à exercer par lui-même une régulation
02Régulation de la tension ou du courant
08là où la tension ou le courant sont continus
10utilisant des dispositifs non commandés à caractéristiques non linéaires
16consistant en des dispositifs à semi-conducteurs
20en utilisant des combinaisons diode-transistor
24dans lesquelles les transistors sont uniquement du type à effet de champ
G05F 3/26 2006.01
GPHYSIQUE
05COMMANDE; RÉGULATION
FSYSTÈMES DE RÉGULATION DES VARIABLES ÉLECTRIQUES OU MAGNÉTIQUES
3Systèmes non rétroactifs pour la régulation des variables électriques par l'utilisation d'un élément non commandé, ou d'une combinaison d'éléments non commandés, un tel élément ou une telle combinaison étant propre à exercer par lui-même une régulation
02Régulation de la tension ou du courant
08là où la tension ou le courant sont continus
10utilisant des dispositifs non commandés à caractéristiques non linéaires
16consistant en des dispositifs à semi-conducteurs
20en utilisant des combinaisons diode-transistor
26Miroirs de courant
CPC
G05F 3/245
GPHYSICS
05CONTROLLING; REGULATING
FSYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
3Non-retroactive systems for regulating electric variables by using an uncontrolled element, or an uncontrolled combination of elements, such element or such combination having self-regulating properties
02Regulating voltage or current
08wherein the variable is dc
10using uncontrolled devices with non-linear characteristics
16being semiconductor devices
20using diode- transistor combinations
24wherein the transistors are of the field-effect type only
242with compensation for device parameters, e.g. channel width modulation, threshold voltage, processing, or external variations, e.g. temperature, loading, supply voltage
245producing a voltage or current as a predetermined function of the temperature
G05F 3/262
GPHYSICS
05CONTROLLING; REGULATING
FSYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
3Non-retroactive systems for regulating electric variables by using an uncontrolled element, or an uncontrolled combination of elements, such element or such combination having self-regulating properties
02Regulating voltage or current
08wherein the variable is dc
10using uncontrolled devices with non-linear characteristics
16being semiconductor devices
20using diode- transistor combinations
26Current mirrors
262using field-effect transistors only
G05F 3/267
GPHYSICS
05CONTROLLING; REGULATING
FSYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
3Non-retroactive systems for regulating electric variables by using an uncontrolled element, or an uncontrolled combination of elements, such element or such combination having self-regulating properties
02Regulating voltage or current
08wherein the variable is dc
10using uncontrolled devices with non-linear characteristics
16being semiconductor devices
20using diode- transistor combinations
26Current mirrors
267using both bipolar and field-effect technology
Y10S 323/907
YSECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
323Electricity: power supply or regulation systems
907Temperature compensation of semiconductor
Déposants
  • PLETERSEK, Anton [SI/SI]; SI
Inventeurs
  • PLETERSEK, Anton; SI
Mandataires
  • PATENTNA PISARNA D.O.O.; Copova 14 POB 1725 1001 Ljubljana, SI
Données relatives à la priorité
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) TEMPERATURE INDEPENDENT LOW REFERENCE VOLTAGE SOURCE
(FR) SOURCE DE TENSION DE BASSE REFERENCE INDEPENDANTE DE LA TEMPERATURE
Abrégé
(EN)
A circuit of the invention comprises a low voltage PTAT source. Current generators (t1, t2) are controlled so that their output currents I1 and I2, respectively, have temperature properties of the quotient VPTAT/R. The current I1 is conducted to a first terminal (X) on a first connection of a composition of series connected resistors (Ra, Rb), a second connection thereof being grounded. A transistor (T) is diodelike forward connected between the first terminal (X) and the ground. The current I2 is conducted to a second terminal (Y), preferably being at the same time a common connection (Z) of the resistors (Ra, Rb). Reference voltage Vr is tapped from the connection (Z). Said resistors (Ra, Rb) are manufactured in the n-well technology in the same way as the resistor (R), with the resistance of which the mentioned quotient is generated. The proposed circuit is distinguished for its current controlled summing regulator, which is also suggested by the invention, and which makes it possible that in a temperature range from -50 °C to 150 °C a very low reference voltage of 0.35 V at low supply voltage lying below 0.9 V is reached, and does not simultaneously introduce nonideal behaviour like offset voltage.
(FR)
L'invention concerne un circuit qui comprend une source PTAT (proportionnelle à la température absolue) à basse tension. Des générateurs de courant (t1, t2) sont commandés de façon que leurs courants de sortie I1 et I2, respectivement, présentent des propriétés de température du quotient VPTAT/R. Le courant I1 est conduit vers une première borne (X) sur une première connexion d'une composition de résistance montées en série (Ra, Rb), une seconde connexion étant mise à la terre. Un transistor (T) est monté dans le sens direct entre la première borne (X) et la terre, comme une diode. Le courant I2 est conduit vers une seconde borne (Y), de préférence, en étant simultanément une connexion commune (Z) des résistances (Ra, Rb). La tension de référence Vr est tirée de la connexion (Z). Lesdites résistances (Ra, Rb) sont fabriquées selon la technique N-WELL de la même façon que la résistance (R), dont la valeur de résistance est générée avec le quotient mentionné. Le circuit proposé est caractérisé en ce qu'il comprend un régulateur de sommation à courant régulé, qui est également proposé par l'invention. Au moyen de ce régulateur, une tension de très basse référence de 0,35 V à une faible tension d'alimentation inférieure à 0,9 V peut atteindre, dans une plage de températures allant de -50 °C à 150 °C. De plus, ce régulateur n'introduit pas simultanément une tension de décalage qui entraîne un comportement non idéal.
Également publié en tant que
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